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World File Search System硫基
有效合成了富含硫硫的化合物...
对形成碳键的新方法的探索，导致结构新颖的桥接化合物的合成对科学界而言至关重要。许多桥接化合物是众所周知的天然产物和生物活性支架的部分结构，并且也是许多反应中的剂量[1]（图1）。桥接分子的结构唯一性，例如它们的设计，异常对齐和诱人的化学反应，具有较小的桥梁群体鼓励我们检查其独特的有机，猜想和光谱研究[2]。设计一种连贯的策略来访问桥接化合物的综合策略的令人震惊的综合挑战，该化合物具有非保障的热力学稳定性，在合成化学家中产生了好奇心[3]。在桥位的杂原位的紧张的杂循环部分的合成是一项迷人的合成工作，由于兴高采烈以及许多有用的特性，与碳环糖化合物相比，由于兴高采烈以及许多有用的特性，它一直在获得大量的cur现利息[4]。在1928年，奥托·迪尔斯（Otto Diels）教授和他的学生库尔特·奥尔德（Kurt Alder）报告了关于合成的[4Þ2]环加成反应的开创性工作
原位从β-硫酰胺硫的硫酸盐产生的硫酸盐为...
磺基序已被广泛地嵌入在药物分子，1个农产品，2和功能材料中。3图1，例如，显示了由FDA批准的药物的含硫分子的取样。1由于磺酰基群的显着重要性，其构造的合成策略的发展引起了人们的关注。4从经典中，磺基衍生物是由具有强氧化剂的相应硫化物的氧化制备的，这可能导致兼容兼容的问题（方案1A）。5直接SO 2插入策略6构成了合成磺基衍生物的直接方法；但是，因此2气是有毒的，不容易处理。近年来，使用SO替代物（方案1b）7，例如Dabso，8元甲硫酸盐，9和Sogen 10。尽管这些方法在各种过程中取得了成功，但由于这些盐的溶解性和/或吸湿性问题，仍然存在与使用这些盐有关的缺点。硫酸及其盐已成为用于构建含有磺基产品的磺酰基试剂，11，但它们的制备和纯化限制了其应用。与磺酸制剂的众多文献相反，硫酸盐的原位产生和/或功能化已被较少注意作为进入磺酰基化合物的替代途径。
湿度对大尺寸石墨烯片与水泥基复合材料之间界面 ...
揭示了G和C-S-H之间仅有范德华力，界面键合强度很弱，并且脱键性能很低。石墨烯的脱根能量随着界面水含量的增加而降低，表明水侵入会削弱G和C-S-H的结合效应，并减少石墨烯对C-S-H底物的难度。在纳米级湿度的影响下探索石墨烯对CSH的粘附行为对于理解基本的粘附机制，优化复合材料证明和促进相关学科的发展至关重要。
基于后量子密码学的同态加密演算法
Abel C. H. Chen Chunghwa Telecom Co.，Ltd。Chchen.scholar@gmail.com; OrcID 0000-0003-3628-3033Abel C. H. Chen Chunghwa Telecom Co.，Ltd。Chchen.scholar@gmail.com; OrcID 0000-0003-3628-3033
有机硫在锂硫电池中的研究进展及展望
锂硫电池 (LSB) 是后 LIBs 技术最有前途的候选者之一。[10–12] 在 LSB 中，通过硫和锂之间的多电子反应可实现 1675 mAh g −1 的理论容量。放电过程中会出现两个不同的电压平台。在较高的电压平台（约 2.3 V）下，S 的最稳定的同素异形体 S 8 的环状结构被破坏，形成长链多硫化锂；一开始是 Li 2 S 8 ，然后进一步还原为 Li 2 S 6 和 Li 2 S 4 。在较低的电压平台（约 2.1 V），长链多硫化锂进一步还原为 Li 2 S 2 和 Li 2 S。[13,14] 除了理论容量高之外，地球上 S 的储量丰富、价格低廉以及环境友好等特性使得 LSB 比 LIB 更便宜。然而，LSB 的工业化进程中仍存在一些障碍。[15,16] 首先，S 和放电产物 Li 2 S 本质上都是绝缘的（≈ 5 × 10 − 30 S cm − 1）。电极材料的低电导率会影响电池的电化学性能，尤其是在高电流密度下。其次，充放电过程中体积变化大会导致安全性和稳定性问题。由于 S 和 Li 2 S 的密度差异，当 S 转移到 Li 2 S 时，体积变化将高达 75%。最后，臭名昭著的穿梭效应会进一步导致性能下降。充放电过程中形成的多硫化锂可溶于电解液。这些中间体在正极和负极之间穿梭，并通过公式（1）和（2）所示的化学反应或电化学反应与电极材料发生反应，导致锂负极的消耗和“死”硫的形成，最终导致库仑效率和稳定性降低。
1 厚 空 基 公 示 第 28号 令 和 6 年 7 月 5日 ...
此外，未成年人、被监护人或接受协助的人，即使已经取得订立合同所必需的同意，也属于同一条款内有特殊事由的情况。 （2）不属于预算会计令第71条规定情形的人。 （三）未受过国防部的停职或者其他措施。 （4）经营状况或信用状况未显著恶化，且已签订正当合同的人
1 厚 空 基 公 示 第 27号 令 和 6 年 5 月 27日 ...
此外，未成年人、被监护人或接受协助的人，即使已经取得订立合同所必需的同意，也属于同一条款内有特殊事由的情况。 （2）不属于预算会计令第71条规定情形的人。 （三）未受过国防部的停职或者其他措施。 （4）经营状况或信用状况未显著恶化，且已签订正当合同的人
镍基超导体中电荷序的实验研究进展 - 物理学报
图1。ndnio 2中的电荷顺序[24]：（a）从钙钛矿Ndnio 3（灰色）到Infinite-Layer ndnio 2（红色）的还原途径的示意图，具有各种中间状态（蓝色）； （b） - （d）样品J的茎结果，可以在面板（d）中区分根尖氧空位，从而导致Q//≈（1/3，0）在傅立叶变换图像（b）中的超晶格峰； （e）在Q //≈（1/3，0）围绕Ni L 3边缘处的弹性RXS测量，实体和虚线分别是具有σ和π偏振入射X射线的数据； （f）在ND M 5边的RXS测量； （g），（h）带有样品C和D的固定波形的RXS信号的能量依赖性，阴影区域表示标称电荷顺序贡献。黑色和红色箭头突出显示了Ni 3D-RE 5D杂交峰和Ni L 3主共振，样品C的中间状态比样品D较大，从而导致超晶格峰更强。
国防生产和技术基础战略
1.防卫生产技术基础战略的背景 （1）防卫生产技术基础战略的背景和定位 日本的防卫生产技术基础在二战结束后丧失殆尽，在防卫生产技术基础确立后，经历了一段依赖国防力量的时期。日本虽然没有从美国获得物资和贷款，但逐渐开始致力于国防装备的国产化，并于1970年制定了装备生产和发展基本方针（即所谓的“国产化方针”）。上述举措中，政府和私营部门通过许可和研发等方式，致力于国内主要国防装备的生产，并努力加强国防生产和技术基础。因此，该国目前有能力维持必要的基础。是。另一方面，自 20 世纪 90 年代冷战结束以来的 25 年里，由于国防装备的先进性和复杂性，以及军事实力的加强，国家面临着严重的财政困难，单位成本和维护维修费用不断上升。海外企业的竞争力。我们周围的环境已经发生了巨大的变化。 2013年12月，日本制定了第一份国家安全战略，其中指出“为了在有限的资源下，在中长期内稳步发展、维持和运作防卫能力，我们将”。内阁还表示，政府日本将努力有效、高效地获取国防物资，同时维持和加强日本的国防生产和技术基础，包括提高其国际竞争力。2015 财年及以后的防卫计划指南（以下简称“指南”）指出“为了迅速维持和加强日本的国防生产和技术基础，我们将制定日本整个国防生产和技术基础的未来愿景。”政府将制定一项展示其未来愿景的战略。基于上述，本战略取代了“国内生产政策”，指明了今后维持和加强国防生产和技术基础的新方向，旨在加强支撑国防力量和积极和平主义的基础。这将有利于作为实施这一倡议的新指南。国防生产技术基地是国防装备研发、生产、运行、维护、维修的重要支撑力量，是保障国防能力不可或缺的重要环节，其存在对外部威胁具有潜在的威慑力和重大意义，有助于维护并提高谈判能力。此外，该基金会支持的国防装备也将通过国防装备和技术合作，为全球和地区的和平与稳定做出贡献。此外，国防技术预计将通过衍生产品对整个行业产生连锁反应，并有可能推动日本的工业和技术实力。因此，在实现这一战略中，维持和加强国防生产和技术基础，是确保日本国家安全唯一责任的防卫政策，同时也是生产国防装备的民间企业的经济政策考虑到这其中还包含对活动产生连锁反应的产业政策因素，因此不仅需要国防部，还需要相关省厅共同应对这一问题。