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World File Search System碳化硅
碳化硅 (SiC) 基板
碳化硅 (SiC) 具有独特的电子和热特性，非常适合用于先进的高功率和高频半导体器件，其工作性能远远超出了硅或砷化镓器件的能力。基于 SiC 的技术的主要优势包括降低开关损耗、提高功率密度、改善散热和增加带宽能力。在系统层面，这可以实现高度紧凑的解决方案，大大提高能源效率并降低成本。目前和预计采用 SiC 技术的商业应用名单正在迅速增加，包括开关电源、绿色（太阳能和风车）能源发电逆变器、工业电机驱动器、HEV 和 EV 汽车、智能电网电源切换和无线通信基站。
3D 打印导电碳化硅
图 3 | 3D 打印多孔导电陶瓷的结构分析。A 和 B，3D 打印多孔陶瓷的 SEM 图像。C，3D 打印多孔陶瓷的 TEM 图像，显示石墨烯渗透到多孔颗粒中。比例尺代表 50 纳米。D，BET-BJH 氮吸附等温曲线。E，孔径分布图。F，具有不同石墨烯/二氧化硅比率的 3D 打印样品的热导率测量。G，放置在热板上的 3D 打印 UB 标志的红外 (IR) 图像。该图像是在将样品在热板上放置 30 分钟后拍摄的。H，单轴压缩试验的应力-应变曲线。I，3D 打印样品的抗压强度摘要。经 SPS 处理的样品的抗压强度提高了 96.19%。
碳化硅和其他宽带隙材料
《材料》（ISSN 1996-1944）于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题：生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。
碳化硅的传输电子显微镜研究...
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
新兴的医疗用碳化硅 MOSFET ...
碳化硅 (SiC) MOSFET 凭借卓越的效率、可靠性和紧凑性，正在改变医疗设备的设计和功能。与标准的硅基功率器件不同，SiC MOSFET 具有增强的电气和热性能，包括更高的击穿电压、更低的开关损耗和更好的导热性。在医疗保健应用中，操作的准确性、能效和可靠性至关重要，这些特性非常重要。SiC MOSFET 可在 CT 和 MRI 扫描仪等医疗成像系统中提供更高的功率密度和更快的开关速度，从而提高图像质量并减小系统尺寸。可穿戴和便携式医疗设备的出色效率有助于缩小尺寸并延长电池寿命。此外，SiC MOSFET 可确保重症监护环境中的可靠性，从而提高手术器械、诊断器械和生命支持系统的效率。本文将讨论 SiC MOSFET 在改进医疗保健技术方面的重要性，以及它们与医疗保健相关的主要特性、现场应用及其对医疗保健系统的好处。随着医疗保健行业逐步采用复杂且能源密集型的技术，SiC MOSFET 有可能成为先进医疗电子产品的重要组成部分，从而推动临床和便携式护理解决方案的发展。
特刊——碳化硅材料：晶体生长，...
碳化硅和类似材料的晶体生长和综合表征方面最近取得的进展为功能应用开发提供了巨大的可能性。这期材料特刊题为“碳化硅材料：晶体生长、器件加工和功能应用”，专门讨论与碳化硅和相关材料的晶体生长、材料特性、器件制造和应用有关的所有方面，主要目的是广泛概述该领域的现状和未来前景。欢迎在该领域工作的研究人员参与讨论。潜在的兴趣主题包括但不限于以下内容： - 晶体生长； - 宽带隙半导体； - 材料特性； - 器件制造； - SiC、GaN、Ga2O3、金刚石。
用于辐射探测的碳化硅装置
CNR-IMM – 卡塔尼亚 CNR-INO – 比萨 PSI – 瑞士 ENEA- 弗拉斯卡蒂 布鲁诺凯斯勒基金会 (FBK) – 特伦托 ST 微电子 – 卡塔尼亚 LPE – 卡塔尼亚 (LPE)
碳化硅预陶瓷聚合物Pre-Preg
该项目将涉及各种危险化学品和气体的使用和处理以及危险废物的产生。这些包括溶剂、陶瓷前聚合物前体、涂层前体、石墨工具、陶瓷纤维和粉末。加利福尼亚州圣地亚哥的 GA 站点的所有活动都将按照 GA 的危险工作授权流程进行，该流程由 GA 的许可、安全和核合规 - 健康与安全部门授权。所有活动都将在安全的实验室环境中进行，符合美国环境保护署 (USEPA)、加利福尼亚州有毒物质和控制部 (DTSC) 以及 GA 的化学和危险废物处理和管理规范。所有危险材料都将根据美国环境保护署、DTSC 和圣地亚哥县当地环境和安全法规进行管理。
碳化硅 (SiC) 专利格局 2022
受 SiC 技术在电动汽车 (EV) 应用中的采用推动，SiC 功率器件市场正在快速增长。2021 年 SiC 功率器件市场收入超过 10 亿美元，主要由位于欧洲（意法半导体、英飞凌）、美国（Wolfspeed、安森美）和日本（罗姆半导体、三菱电机、富士电机）的公司获得。此外，Yole Développement 最近预测未来几年 SiC 功率器件市场将达到数十亿美元，到 2027 年将超过 60 亿美元，预计 2021-2027 年复合年增长率为 34%。显然，包括中国和韩国在内的其他半导体行业主要国家也已公布了发展本国 SiC 产业的雄心。然而，他们能否在短期或中期内建立功率 SiC 技术所需的整个供应链，尤其是建立 SiC 晶圆的国内供应，受到了质疑。事实上，SiC 晶圆业务的进入门槛非常高，目前能够为功率器件制造商批量生产大面积和高质量 SiC 晶圆的公司数量非常有限，因此他们能够满足电动汽车行业对器件的严格要求。在这种背景下，