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World File Search System碳化硅
4H 碳化硅的受控剥落与自旋相干性研究，用于量子工程集成
摘要：我们详细介绍了实现单晶 4H 碳化硅 (4H-SiC) 从块状基底受控剥落和层转移的科学和工程进展。4H-SiC 的特性（包括高热导率和宽带隙）使其成为电力电子的理想半导体。此外，4H-SiC 是用于量子计算和量子网络的固态原子缺陷量子比特的优良宿主。由于 4H-SiC 基底价格昂贵（由于生长时间长且产量有限），因此需要采用块状质量薄膜的去除和转移技术以便重复使用基底并集成分离的薄膜。在这项工作中，我们利用最新的应力层厚度控制和剥落裂纹起始方法来展示 4H-SiC 的受控剥落，4H-SiC 是迄今为止剥落的断裂韧性最高的晶体。我们实现了中性双空位 (VV 0 ) 量子比特集合的相干自旋控制，并在剥落的薄膜中测量了 79.7 μ s 的准体自旋 T 2。关键词：4H-SiC、层转移、固态量子比特、自旋相干性、异质积分 C
层全彩色碳化硅衍射波导
和安全优势。第一个光学透视 HMD 由 Sutherland 在 20 世纪 60 年代提出 6 。从那时起，光学透视技术在军事 7-11 、工业 12,13 和消费电子应用 14-16 中不断得到探索。已经开发出各种方法来将图像从微型投影仪引导到观察者，将现实世界的视图与虚拟图像相结合 16,17 。早期的 HMD 光学组合器基于传统的轴向分束器，如谷歌眼镜 18-20 所示。然而，由于视场 (FOV) 和框架尺寸与光学元件的尺寸成正比，因此在性能和舒适度之间取得平衡会导致此类智能眼镜的 FOV 更小。为了实现更大的 FOV，使用离轴非球面镜的 HMD
碳化硅超表面中强耦合声子极化子的光谱和干涉和频成像
声子极化子能够实现红外光的波导和定位，具有极强的限制性和低损耗。通常使用互补技术（例如近场光学显微镜和远场反射光谱）来探测此类极化子的空间传播和光谱共振。这里，介绍了红外-可见和频光谱显微镜作为声子极化子光谱成像的工具。该技术同时提供亚波长空间分辨率和高分辨率光谱共振信息。这是通过使用可调红外激光共振激发极化子和对上转换光进行宽场显微镜检测来实现的。该技术用于对 SiC 微柱超表面中局部和传播表面声子极化子的杂交和强耦合进行成像。光谱显微镜允许通过角度相关共振成像同时测量动量空间中的极化子色散，并通过极化子干涉测量法在实空间中测量极化子色散。值得注意的是，可以直接成像强耦合如何影响极化子的空间定位，而这是传统光谱技术无法实现的。在强耦合阻止极化子传播到超表面的激发频率下观察到边缘态的形成。该技术适用于具有破坏反演对称性的广泛极化子材料，可用作快速、非微扰工具来成像极化子杂化和传播。
基于激光的碳化硅晶片制造用于下一代...
碳化硅电力电子代表了下一代技术，该技术已在更紧凑的外形下以更高的电压和更高的频率运行，在广泛的产品中展示了显著的整体能效改进。它们已用于著名的高端应用，包括电动汽车、工业、电气化铁路和风能电力电子，以及电网传输和电动汽车充电基础设施。该项目的目的是扩大和商业化一种新型的基于激光的制造技术，用于制造碳化硅晶片，碳化硅晶片是构建碳化硅电力电子的基本构件。成功采用了初始概念验证原型，并将其构建成一条完整的生产线，展示了低速率的初始生产。该项目已经证明，该技术有可能实现零材料损失，并且每个晶片的产量在几分钟内即可完成。这将大大降低导电碳化硅基板的成本，从而使这种材料系统经过验证的有益特性能够应用于各种应用的先进下一代电力电子中。
用于辐射探测的碳化硅装置
CNR-IMM – 卡塔尼亚 CNR-INO – 比萨 PSI – 瑞士 ENEA- 弗拉斯卡蒂 布鲁诺凯斯勒基金会 (FBK) – 特伦托 ST 微电子 – 卡塔尼亚 LPE – 卡塔尼亚 (LPE)
碳化硅预陶瓷聚合物Pre-Preg
该项目将涉及各种危险化学品和气体的使用和处理以及危险废物的产生。这些包括溶剂、陶瓷前聚合物前体、涂层前体、石墨工具、陶瓷纤维和粉末。加利福尼亚州圣地亚哥的 GA 站点的所有活动都将按照 GA 的危险工作授权流程进行，该流程由 GA 的许可、安全和核合规 - 健康与安全部门授权。所有活动都将在安全的实验室环境中进行，符合美国环境保护署 (USEPA)、加利福尼亚州有毒物质和控制部 (DTSC) 以及 GA 的化学和危险废物处理和管理规范。所有危险材料都将根据美国环境保护署、DTSC 和圣地亚哥县当地环境和安全法规进行管理。
GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失 在碳化硅上集成石墨烯和MOS2 高级材料处理系统中的传输通道 Calpain活性调节剂：抑制剂和激活剂作为潜在药物LeventeEndreDókus，Mo'Ath Yousef＆ZoltánBánócziPharmaceutics 2020， 对自动化车辆的泳道控制，反馈延迟：非线性分析和实验室实验 在介孔Niwo 4 上支持的电催化剂的设计降低了PT含量 多分散性比（PDR）及其对... 的应用 有问题的社交网络使用中的隐式认知 焊接轮廓对绝缘栅极晶体管（IGBTS）的热参数的影响 多核算方法 polycomb蛋白RYBP在小鼠胚胎干细胞的体外心脏分化过程中激活转录因子plagl1 光控制生物杂交微型机器 量子信息的费米子系统 用TiO 2和Zno 抑制Snagcu焊料合金的Sn晶须生长
谷物宽度和重量2（GW2）是一种E3-泛素连接酶编码基因，对谷物物种中谷物的大小和重量负调节。因此，建议禁用GW2基因活性以提高作物生产率。我们在这里表明，大麦GW2.1同源物的CRISPR/CAS介导的诱变会导致细长谷物的发展和蛋白质含量增加。同时，GW2.1功能的损失引起了由于尖峰数量减少和谷物设置低而引起的明显晶粒屈服不足。我们还表明，GW2.1缺乏作物产量和蛋白质含量引起的相反作用在很大程度上与培养条件无关。这些发现表明大麦GW2.1基因对于产量和晶粒性状之间的优化是必需的。总的来说，我们的数据表明，大麦中GW2.1基因活性的丧失与多效性效应相关，对生成器官的发展以及因此谷物产生产生了负面影响。我们的发现有助于更好地理解谷物的发育以及GW2.1控制大麦的定量和定性遗传改善中控制的UTI。
通过铁掺杂的碳化硅石墨烯单层吸附布洛芬：DFT探索药物输送见解
通过执行密度功能理论（DFT）计算来研究非甾体类抗炎药的吸附，提供了抽象的药物输送见解。布洛芬（IBU），由铁掺杂的碳化硅（FSIC）石墨烯单层。在这方面，优化了IBU，SIC和FSIC的单个模型以获得其稳定的几何形状和特征，其中为增强的FSIC石墨烯单层发现了出色的成就，可用于原始的SIC石墨烯单层，以与IBU物质相互作用。随后，通过重新调整Bimolecular模型来获得IBU@SIC和IBU@FSIC复合物，并以-1.44 kcal/kcal/kcal/kcal/kcal/mol和-43.14 kcal/mol/mol/mol，相应地，对IBU的相互作用和SIC和SIC和FSIC的单层相互作用的形成进行了研究。此外，还发现了铁掺杂区域在管理FSIC和IBU对应物之间的相互作用方面的显着作用。o…fe相互作用在IBU@FSIC复合物中的存在得到了分子（QTAIM）分析中原子量子理论的结果肯定。电子分子轨道结果表明，与SIC石墨烯单层相比，FSIC石墨烯单层较软，可以更好地参与与IBU物质的相互作用。比较了态度（DOS）图（DOS）图和能量差距（GAP）距离的距离（GAP）的距离（GAP）的距离（GAP）距离与单一石墨烯单层与复杂状态的边界分子水平的距离相比，FSIC比SIC更容易IBU检测IBU检测。作为最后的说明，在该领域进一步研究后，发现了IBU@FSIC复合物的适用性，可作为拟议的药物输送平台工作。
碳化硅如何帮助最大程度提高可再生能源系统的效率
与 IGBT 相比，SiC 电源开关易受短路影响，短路可能会严重损坏电力电子系统。通常，IGBT 的短路耐受时间约为 10 µs，而 SiC 的短路耐受时间约为 2 µs。因此，在使用 SiC 电源开关进行设计时，务必考虑添加去饱和或过流保护等保护元件。某些栅极驱动器（例如 UCC21710 栅极驱动器）具有内置短路保护功能，可检测和响应短路事件。要了解有关 SiC FET 短路保护的更多信息，请参阅应用说明“了解 SiC MOSFET 的短路保护”。