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平面射频磁控等离子体中的电子动力学：I.霍尔加热机制和µ模式
摘要 研究了低压射频 (RF) 驱动磁增强电容耦合等离子体中的电子动力学和功率吸收机制。重点研究的装置是一个几何不对称的圆柱形磁控管，轴向具有径向不均匀的磁场，径向具有电场。使用冷等离子体模型和单粒子形式对动力学进行分析研究，并使用内部能量和电荷守恒粒子室内/蒙特卡罗碰撞代码 ECCOPIC1S-M 对动力学进行数值研究。发现动力学与未磁化的参考放电有显著不同。在通电电极前方的磁化区域中，在鞘层膨胀期间会产生增强电场，在鞘层塌陷期间会产生反向电场。这两个场都是确保放电维持电子传输以抵抗磁场限制效应所必需的。相应的方位 E × B 漂移可以将电子加速到非弹性能量范围，从而产生一种新的射频功率耗散机制。它与霍尔电流有关，性质上不同于欧姆加热，以前的文献中将其归类为欧姆加热。这种新的加热方式有望在许多磁化电容耦合放电中占主导地位。建议将其称为“µ 模式”，以将其与其他加热模式区分开来。
超低氧气氛中半导体氧化钇薄膜的反应脉冲直流磁控溅射沉积：光谱
摘要 利用反应脉冲直流磁控溅射技术进行了一项实验研究，探索了在 623 K (± 5K) 下沉积的半导体氧化钇薄膜的光谱和结构特性。根据 x 射线衍射和透射电子显微镜测量的结果，一氧化钇很可能在 β-Y 2 O 3 和 α-Y 2 O 3 之间的过渡区中形成，并伴有晶体 Y 2 O 3 。由于 4d 和 5s 轨道之间的能量分离低和/或相应轨道亚能级的自旋状态不同，一氧化物的稳定性在热力学意义上最有可能受晶体大小的自身限制。与金属氧化物立方结构相比，这种行为会导致晶体结构扭曲，并且还会影响纳米晶/非晶相的排列。此外，椭圆偏振光谱法表明半导体氧化钇的形成特征比结晶的 Y 2 O 3 更显著，且大多为非晶态。我们的目的是利用目前的研究结果，加深对不寻常价态 (2+) 钇的形成动力学/条件的理解。
微纳卫星太阳定向自旋稳定姿态纯磁控制研究
摘要：面向太阳的姿态控制是大多数微纳卫星最重要的姿态控制方式之一，直接影响在轨能量获取，因此采用最简单的传感器和执行器以及最可靠的算法实现面向太阳的姿态控制具有重要意义。提出一种纯磁控制的面向太阳自旋稳定微纳卫星姿态控制方法，控制过程分为初始阻尼阶段、太阳对准阶段、自旋加速阶段和自旋稳定阶段4个阶段。所提方法考虑了轨道阴影区、太阳敏感器及太阳板偏置安装、太阳敏感器视场限制以及环境扰动力矩的影响。通过数值仿真评估了控制性能，仿真结果表明所提方法适用于搭载太阳敏感器和三轴磁力计作为姿态传感器、3个正交安装磁力矩器作为姿态执行器的卫星。所提出的方法适用于大多数地磁场能够提供足够姿态控制扭矩的地球轨道卫星。
磁控溅射和热蒸发低损耗 Sb-...
摘要：硫族相变材料 (PCM) 在非挥发性的非晶态和结晶态之间具有很大的光学特性差异，引起了人们对其在长期接近零功耗的超紧凑光子集成电路中的应用的浓厚兴趣。然而，在过去十年中，PCM 集成光子器件和网络受到各种常用 PCM 本身巨大光学损耗的困扰。在本文中，我们重点研究了一种新兴低损耗相变材料 Sb 2 Se 3 在硅光子平台上的沉积、特性和单片集成。蒸发的 Sb-Se 薄膜的非晶相和结晶相之间的折射率对比度被优化到 0.823，而椭圆偏振法测得的消光系数保持小于 10 − 5。当集成在硅波导上时，非晶薄膜引入的传播损耗可以忽略不计。结晶后，磁控溅射Sb-Se贴片覆盖硅波导的传播损耗低至0.019 dB/µm，而热蒸发贴片覆盖硅波导的传播损耗低于0.036 dB/µm。
通过圆形平面磁控管上的动态等离子体运动实现“清洁”溅射靶材的工艺优势
• 大致分为小FFE（3”-8”靶材）和大FFE（10”-17”靶材） • 靶材利用率高，镀膜均匀性好 • 半导体、研发、贵金属溅射、光学
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
直流反应磁控共溅射沉积的钽-钛氮氧化物薄膜：机械、光学和电学特性
摘要：调整二元 Me 氮氧化物 (Me 1 Me 2 ON) 的元素组成和结构的可能性可以为多种应用带来有吸引力的特性。在这项工作中，钽-钛氮氧化物 (TaTiON) 薄膜通过直流反应磁控共溅射沉积，对基片支架施加 -50 V 偏压，基片温度恒定为 100 ◦ C。为了以受控方式增加或减少共溅射膜中的 Ti 和 Ta 含量，Ti 和 Ta 靶电流在 0.00 和 1.00 A 之间变化，步长为 0.25 A，同时保持施加到两个靶上的电流总和为 1.00 A。反应气体流量由具有恒定 N 2 /O 2 比率 (85%/15%) 的氮气和氧气混合物组成，也保持恒定。单金属氮氧化物（TaON 和 TiON）结晶度较低，而所有其他共溅射膜则基本呈非晶态。这两种膜还表现出对金属基材的更高附着力。TaON 膜的硬度值最高（14.8 GPa），TiON 膜的硬度值低得多（8.8 GPa），而共溅射涂层的硬度值介于两者之间。最有趣的发现之一是，当 Ti 浓度超过 Ta 浓度时，O 含量显著增加。这不仅显著影响了膜的光学特性，还影响了其电性能。共溅射膜的薄层电阻率在很大程度上取决于 O/(Ta + Ti) 原子比。
磁控铜线对
扉页 磁控表面粗糙度与弹性模量对磁流变弹性体—铜副滑动摩擦特性影响研究 李睿，1975年生，重庆大学博士研究生，现任重庆邮电大学教授，主要研究方向为智能检测技术、摩擦控制、智能机械结构系统。 电话：+86-135-94078659；邮箱：lirui_cqu@163.com 王迪，1996年生，重庆邮电大学自动化学院硕士研究生，邮箱：812996901@qq.com 李欣燕，1995年生，重庆邮电大学自动化学院硕士研究生。 E-mail：459148593@qq.com 杨平安，1989年生，重庆大学博士研究生，现职为重庆邮电大学讲师，主要研究方向为智能仿生复合材料、柔性传感器、电磁屏蔽材料与结构设计。 电话：+86-151-23254645；E-mail：yangpa@cqupt.edu.cn 阮海波，1984年生，重庆大学博士研究生，主要研究方向为柔性纳米线复合透明电极的构建及其性能提升。 电话：+86-136-47619849；E-mail：rhbcqu@aliyun.com 寿梦杰，1993年生，重庆大学博士研究生，主要研究方向为智能检测技术、摩擦控制、智能机械结构系统。 E-mail: shoumj@cqupt.edu.cn 通讯作者 ： 杨平安 E-mail ： yangpa@cqupt.edu.cn
磁控溅射技术分析射频溅射功率对SiO2/Si基片上沉积铝薄膜微结构表面形貌的影响
摘要 本研究采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si基底上沉积铝（Al）薄膜，以分析射频溅射功率对微结构表面形貌的影响。采用不同的溅射射频功率（100–400 W）来沉积Al薄膜。利用X射线衍射图（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和傅里叶变换红外（FTIR）光谱研究了沉积Al薄膜的特性。X射线衍射（XRD）结果表明，低溅射功率下沉积的薄膜具有非晶性质。随着溅射功率的增加，可以观察到结晶。AFM分析结果表明，300 W的射频功率是生长最光滑Al薄膜的最佳溅射功率。FTIR结果表明，不同的射频功率影响沉积薄膜的化学结构。 SEM结果表明，随着溅射功率的增加，基体表面形成了孤立的纹理。总之，射频功率对沉积薄膜的性质，特别是结晶和形状有显著的影响。
磁控溅射锆钛酸铅（PZT）薄膜涂层的制备、微观结构与性能
摘要：与化学计量简单的氮化铝 (AlN) 相比，锆钛酸铅薄膜 (PZT) 具有优异的压电和介电性能，是先进微机电系统 (MEMS) 器件中另一种有希望的候选材料。大面积 PZT 薄膜的制造具有挑战性，但需求迫切。因此，有必要建立合成参数与特定性能之间的关系。与溶胶-凝胶和脉冲激光沉积技术相比，本综述重点介绍了磁控溅射技术，因为它具有高度的可行性和可控性。在本文中，我们概述了 PZT 薄膜的微观结构特征、合成参数（如基底、沉积温度、气体气氛和退火温度等）和功能特性（如介电、压电和铁电等）。本综述特别强调了这些影响因素的依赖性，为研究人员通过磁控溅射技术获取具有预期性能的PZT薄膜提供实验指导。