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World File Search System磁滞
Jiles-Atherton 磁滞模型的改进与非正弦激励下 软磁材料复杂磁滞准确模拟
输入数据： 1 ） i = 0 时刻： H (0) = 0 ， M (0) = 0 ， H m = 0 2 ）磁化周期 0 — T 各时刻的磁密 B ( t ) 3 ）模型初始参数及动态参数 R 、 v 、 α 、 k 对应函数 4 ）磁化反转点磁密存储序列 [ B m (1), ⋅⋅⋅ , B m ( z )]
通过堆叠工程实现正交扭曲二维 CrSBr 磁体中的可编程磁滞。
扭转二维范德华磁体可以形成和控制不同的自旋纹理，如 skyrmion 或磁畴。除了旋转角度之外，还可以通过增加形成扭转范德华异质结构的磁层数量来设计不同的自旋反转过程。在这里，A 型反铁磁体 CrSBr 的原始单层和双层被视为构建块。通过将这些单元旋转 90 度，可以制造对称（单层/单层和双层/双层）和不对称（单层/双层）异质结构。磁输运特性显示出磁滞的出现，这在很大程度上取决于施加磁场的大小和方向，不仅由扭转角度决定，还由形成堆栈的层数决定。这种高可调性允许在零场下切换易失性和非易失性磁存储器，并根据需要控制在负场或正场值下突然磁反转过程的出现。根据微磁模拟的支持，基于层中发生的不同自旋切换过程合理化了现象学。结果强调了扭转角和层数的组合是设计扭转磁体中自旋切换反转的关键要素，这对于自旋电子器件的小型化和实现新型自旋纹理很有意义。
非线性谐振器中的捏磁滞回路
本文表明，可以在简单的非线性共振电路中观察到捏合的滞后，该谐振电路包含一个单个二极管，该二极管表现为电压控制开关。数学模型是串联和并行谐振电路的数值验证的。发现捏合环的叶面积随着频率的增加而增加，并且有多个捏合点可以使用奇怪的对称非线性（例如立方非线性）。实验，以证明具有单个二极管和两个抗平行二极管的捏滞存在。在这些电路中形成了一个捏合环的形成：1）捏合歇斯底里不是熟人的固定器，而2）非线性的存在对于产生这种行为至关重要。最后，验证了数字逻辑电路中的应用程序。
高密度适配器应用中 C(OSS) 磁滞损耗的影响
如今，人们对设备的依赖程度比以往任何时候都高。随着智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备的便携性，它们占据了我们日常生活中越来越多的空间和时间。由于可以无缝、即时地访问全球其他人和内容，因此持续、无限和无边界的通信、连接和任务已成为一种生活标准。但这对功率半导体行业有何影响？这些便携式设备依靠电池供电，因此，使用它们的基本前提是拥有充电器或适配器（取决于额定功率）来为它们充电。这就是功率微电子发挥作用的地方。在确定需要充电器/适配器来为我们的（智能）设备的电池充电之后，下一个问题是：我们愿意花多少时间充电？答案很明显：尽可能少。这正是快速充电越来越受欢迎的原因。但只有通过增加充电器/适配器的功率传输能力才能实现快速充电。除了充电时间，充电器的重量也是一个重要的考虑因素（越轻越好，因为我们通常必须随身携带）。这就是为什么需要功率密度更高的充电器/适配器的原因，它们可以在不增加物理尺寸或重量的情况下提供更多功率。