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喷涂印刷的磁性多功能复合材料
基于聚（乙烯基氟化物-co-trifluoroethelene）/钴铁液，P（VDF-TRFE）/COFE 2 O 4的喷雾印刷磁电（ME）复合材料的性能。表明，对于20 wt。％铁氧体含量，复合材料表现出纤维状孔结构，≈1.8GPA Young的模量，11.2 EMU.G -1，6.0 EMU.G -1磁性磁性和2050 OE的磁性磁性的饱和磁化。此外，证明了34个介电常数（在10 kHz时）和27 pc.n -1压电系数。在2450 OE的最佳磁场下，如此高的介电和压电响应解释了21.2 mV cm -1 oe -1的ME响应，这比通过bar涂层制备的相似复合材料的响应优于。高ME响应和简单可扩展的打印方法证明了这些材料对于具有成本效益和大规模传感器/执行器应用的适用性。
![arxiv：2308.14878v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年4月4日](/simg/b\b9791802aad50f784fff530df3a481d1afc2b89d.webp)
arxiv：2308.14878v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年4月4日
简介。自从Øersted发现通过电流携带的线发现指南针的偏转以来，一直不断研究磁性自由度的电气操作。现代研究已经在旋转轨道相互作用[1-4]提供的磁电耦合上进行了促进，而近期有力的近期效率是针对没有旋转轨道耦合的系统中轨道自由度的电气操作[5-12]。这项工作集中在意识到Bloch电子对其质量中心具有轨道角（OAM）[13]的意识到，这部分与浆果曲率相关[14-18]。OAM会影响半经典量化[15，17，18]，有助于某些材料的磁化[19-21]，影响dirac材料的Zeeman分裂[22，23]，并归因于非线性磁铁抗性，valley-Hall-Hall-Hall-Hall效应，Valley-Hall效应[19,24,24,25]，以及Anomalos nerners nernSt效应[26]。
带有磁铁的扩展光学波导理论 -
摘要：光学波导理论对于各种光学设备的开发至关重要。尽管有有关磁光（MO）和磁电（ME）效应的光学波导理论的报道，但考虑到这两种效应尚未发布，对波导的全面理论分析。在这项研究中，通过考虑构成MO和ME效应的构成关系来扩展常规的波导理论。使用扩展的波导理论，还将传播特性在安排超材料和磁性材料的介质中进行分析，以便可以独立控制MO和ME效应。已确认MO和ME效应之间的相互作用取决于某些超材料的排列和磁化方向。这表明非偏振控制控制在自由空间中传播时仅在一个方向上旋转极化，并增强了波导传播中传播波的非偏置性质。
分层的van der waals crcl 3
我们研究了范德华（VDW）分层CRCL 3的磁性和磁性性能，并通过磁化和热容量测量值进行了磁性和磁性特性。crcl 3由于铁磁和防铁磁相互作用之间的强烈竞争而表现出复杂的磁性特性：一种约17 k的铁磁秩序，然后在14.3 k处进行防铁磁有序。在14.3 K.观察到在过渡温度附近7 t的场变化，而在18 K和0-3 T处的机械效率（G M）为1.17。磁电参数的这些值比CRI 3和其他分层VDW系统的值明显大。缩放分析表明，所有重新缩放的D S M（T，H）数据崩溃成单个曲线，这表明磁相变的二阶性质。上面的结果表明，环保的CRCL 3可以是非常昂贵的稀土材料的绝佳选择，用于用于液化液化的磁性冷藏。
设计自旋纹理晶格来控制反铁磁体中的各向异性磁振子传输
磁性材料中的自旋波具有超低能量耗散和长相干长度，是未来计算技术的有前途的信息载体。反铁磁体是强有力的候选材料，部分原因是它们对外部场和较大群速度的稳定性。多铁性反铁磁体，例如 BiFeO 3 (BFO)，具有源于磁电耦合的额外自由度，允许通过电场控制磁结构，从而控制自旋波。不幸的是，由于磁结构的复杂性，BFO 中的自旋波传播尚不明确。在这项工作中，在外延工程、电可调的 1D 磁振子晶体中探索了长距离自旋传输。在平行于和垂直于 1D 晶体轴的自旋传输中发现了显著的各向异性。多尺度理论和模拟表明，这种优先磁振子传导是由其色散中的群体不平衡以及各向异性结构散射共同产生的。这项工作为反铁磁体中的电可重构磁子晶体提供了途径。
2D铁电器中的新兴多功能性
2D铁电材料分别与磁性/valleytronics，力学和光学的耦合，在信息存储，传感器技术和光电子化中呈现了有希望的应用。2D铁电与磁性的整合通过启用电场控制的磁状态来增强存储设备中的数据存储密度。铁电 - 瓦利耦合通过利用山谷极化的电控制，对高速，低能电子电子设备有望。铁电 - 应变耦合会导致各种极性拓扑，并在高密度数据存储技术和传感器设备中使用潜在的应用。此外，铁电和光学之间的耦合促进了基于铁电材料的非线性光子学的发展。本综述总结了耦合机制中最新的理论进步，包括dzyaloshinskii-moriya-interaction诱导的磁电耦合，与对称性相关的铁电 - 触发器耦合，通过互动式极高的拓扑结构，以及第二个型号，通过互动式互动。提供了为多功能应用的2D铁电材料中耦合的当前挑战和未来的机会。
非共线反铁磁序的复合自旋霍尔电导率
非共线反铁磁体 (AFM) 是一个令人兴奋的新平台，可用于研究本征自旋霍尔效应 (SHE)，这种现象源于材料的能带结构、贝里相位曲率和对外部电场的线性响应。与传统的 SHE 材料相比，非共线反铁磁体的对称性分析不禁止具有 ̂ x、̂ z 极化的非零纵向和平面外自旋电流，并预测电流方向为磁晶格的各向异性。本文报道了在非共线状态下唯一生成的 L1 2 有序反铁磁 PtMn 3 薄膜中的多组分平面外自旋霍尔电导率 𝝈 x xz 、𝝈 y xz 、𝝈 z xz。最大自旋扭矩效率 (𝝃 = JS / J e ≈ 0.3) 明显高于 Pt (𝝃 ≈ 0.1)。此外，非共线状态下的自旋霍尔电导率表现出预测的取向相关各向异性，为具有可选自旋极化的新设备开辟了可能性。这项工作展示了通过磁晶格进行对称性控制作为磁电子系统中定制功能的途径。
纳米级光学非注册性，非线性跨膜
光学非转录表现为相反的激发方向的光的传播差异。非重生光学器件传统上是通过基于法拉第旋转的相对较大的组件（例如光学隔离器）实现的，从而阻碍了光学系统的微型化和整合。在这里，我们通过跨表面的自由空间非偏置传输，该跨表面由由二氧化硅与二氧化钒杂交的二维纳米孔阵列组成（vo 2）。这种效果来自谐振器支持的MIE模式之间的磁电耦合。纳米孔子的非转化响应无需外部偏见而发生；取而代之的是，互惠因触发vo 2相变的入射光即以一个方向的速度而损坏。非偏置传输是在λ= 1.5 µm附近的电信范围内覆盖100 nm以上的宽带。每个纳米架单位电池的体积仅占据〜0.1λ3，跨表面厚度的测量约为半微米。我们的自偏纳米唱片剂在150 w/cm 2或每纳米甲孔子的速度上表现出非股骨的强度下降到非常低的强度。我们估计皮秒级传输降落时间和亚微秒尺度的传输升高。我们的示范将低功率，宽带和无偏见的光学非转录带给纳米级。
用于测量无人机电流的商用磁传感器性能研究
摘要 — 无人机 (UAV) 具有多种自主应用，例如航空摄影、救援行动、监视和科学数据收集，因此工业界对无人机 (UAV) 的投资正在飙升。电流感应对于确定充电和放电过程中的电池容量以及在飞行过程中发出系统故障警报至关重要。分流电阻和霍尔效应传感器传统上用于无人机。最近，磁阻 (MR) 传感器引起了研究人员的极大关注。MR 传感器往往消耗更少的功率，并且它们比霍尔效应传感器更小。在本文中，研究了许多现成的 MR 传感器，以评估将它们应用于无人机的可能性。本文还研究并比较了另一种磁传感器（磁通门）和分流电阻作为参考。采用相对评分法评估传感器在不同指标下的性能，结果表明，与其他磁电流传感器相比，MR传感器具有更高的精度、更低的能耗、更宽的温度耐受性、更小的尺寸和更轻的重量，非常适合无人机的电流感应。通过整体比较，它们与传统分流电阻也非常具有竞争力。进一步讨论了MR传感器的剩磁、热稳定性和跨场灵敏度。这一发现为无人机电流传感器的选择策略提供了见解，并可能促进无人机的工业发展。
量子自旋霍尔绝缘子的超导二极管效应基于约瑟夫森连接
超导二极管效应（SDE）是一种磁电现象，其中外部磁场将非零的质量中心动量赋予库珀对，以促进或阻碍根据其方向促进超级电流的流动。我们提出，基于量子的自旋霍尔绝缘子（QSHI）的约瑟夫森连接器可以用作非隔离电子设备的多功能平台，当通过相位偏置和非平面磁场触发时，该平台表现出SDE。通过计算Andreev结合状态和准颗粒状态的连续体的贡献，我们提供了数值和分析结果，审查了SDE的各个方面，包括其质量Q因子。发现Q因子的最大值在低（零）温度下是通用的，它的起源与独立于交界处的特定细节的潜在拓扑特性相关。随着磁场的增加，由于轨道效应引起的诱导超导间隙的关闭，SDE减小了。要观察SDE，必须设计基于QSHI的Josephson结，以使其边缘具有不务件的运输。此外，我们在一个更具异国情调但现实的场景中探索了SDE，在驱动电流时，约瑟夫森交界处的典型地面态奇偶校仍然保守。在这种4π的周期情况下，我们预测SDE的增强是与其2π-周期性的，平等无限的对应物相比的增强。