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World File Search System磷化铟
体超导铟对一维锌超导纳米线超导电性的抑制效应'
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用于集成路径差分吸收激光雷达的双激光磷化铟光子集成电路
摘要 — 演示了一种用于大气二氧化碳 (CO 2 ) 集成路径差分吸收激光雷达的磷化铟光子集成电路 (PIC)。PIC 由两个宽调谐采样光栅分布布拉格反射器 (SGDBR) 激光器、定向耦合器、相位调制器、光电二极管和半导体光放大器 (SOA) 组成。一个 SGDBR 激光器（前导）使用片上相位调制器和台式 CO 2 Herriott 参考单元锁定在 1572.335 nm 处的吸收线中心。另一个 SGDBR 激光器（跟随器）在 1572.335 nm 附近以 ± 15 GHz 的频率步进，以扫描目标 CO 2 吸收线。跟随器激光器通过光学锁相环偏移锁定到前导激光器。跟随器激光器后的 SOA 在每个频率步进处产生一个脉冲，以创建对目标 CO 2 吸收线进行采样的脉冲序列。根据目标性能要求对 PIC 组件和子系统进行特性描述和评估。与自由运行相比，引导激光器在锁定状态下的频率稳定性标准偏差提高了 236 倍，而与引导激光器相比，在 2 GHz 编程偏移下，跟随激光器的频率稳定性标准偏差为 37.6 KHz。
InP和GaAs双栅极MOSFET的设计与分析
摘要 本文分析了一种由III族材料（铟、镓）和V族材料（磷化物、砷化物）统一构成的新型双栅极MOSFET（DG MOSFET）。由于其对短沟道效应的免疫、漏电流的减少和更高的扩展潜力，DG MOSFET成为低功耗应用最舒适的器件之一。在本文中，我们研究了基于磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）的DG MOSFET通过取代基于硅的传统DG MOSFET对最佳性能和漏极电流特性的影响。晶体管的沟道长度设定为20纳米。这两种器件都使用NanoHub模拟器建模，并使用Matlab检查了特性。通过相应的绘图结构对特性进行了描述性分析——能带结构、ID vs V GS特性、ID vs V GS特性、跨导。从提供的结果来看，基于 InP 的 DG MOSFET 器件提供的导通电流为 10 -3 A，优于基于硅和砷化镓 (GaAs) 的 DG MOSFET 器件。关键词：DG MOSFET、GaAs、InP、导通电流、关断电流
反应溅射制备磷化硼薄膜
BP 在许多领域都具有广泛的应用，如耐腐蚀和耐热涂层 [4,5]、光催化剂和电催化剂 [6,7]，以及热管理 [1] 和极紫外光学应用。 [8] 最近，BP 被认为是一种潜在的 p 型透明导电材料 (TCM)。 [9] 这是一个特别有趣的前景，因为在光学透明材料中获得高 p 型电导率仍然是一个尚未解决的挑战。 [10,11] 与其他 p 型 TCM 候选材料不同，多位作者报道了 BP 中的双极掺杂。 [3,5,9,12,13] 因此，BP 可能是具有 p 型和 n 型掺杂能力的透明材料的独特例子。BP 结晶于具有四面体配位的金刚石衍生的闪锌矿结构中。由于B和P之间的电负性差异很小，BP是共价固体，其能带结构与金刚石结构中的Si和C的能带结构非常相似。主要区别在于BP的基本间接带隙大小适中（≈2.0 eV）[14–16]，这主要是由于键长适中。虽然该带隙对应于可见光，但BP的直接带隙要宽得多，位于紫外区（≈4.3 eV）。[15–17]预计BP在室温下的间接跃迁很弱[15]，这是使BP薄膜足够透明以用于许多TCM应用的关键因素。例如，根据包括电子-声子耦合在内的第一性原理计算，100nm厚的BP膜预计会吸收微不足道的红黄光和不到10%的紫光。 [15] 就电学性质而言，BP 具有由 p 轨道产生的高度分散的价带，从而确保较低的空穴有效质量（0.35 me）。[9] 与金刚石不同，BP 的价带顶位于相对于真空能级相对较浅的能量处。浅而分散的价带通常与高 p 型掺杂性相关，因为更容易形成未补偿的浅受体缺陷。[18,19]
1个基于磷化物的Terahertz量子cascade激光...
图1。在所提出的结构的生长方向上，在施加的电压V 1 = 73 mV的每个级联和温度t = 77 k处的传导带V，能量水平和平方。 对于我们的计算，我们使用级联的两个量子井（QW）选择了设计和在所提出的结构的生长方向上，在施加的电压V 1 = 73 mV的每个级联和温度t = 77 k处的传导带V，能量水平和平方。对于我们的计算，我们使用级联的两个量子井（QW）选择了设计和
5G 和未来电信技术的高频 VLSI 设计的进步
关键词：5G 网络、VLSI 设计、高频操作、电信技术、毫米波、太赫兹频谱、数据传输、节能处理、半导体材料、硅锗 (SiGe)、氮化镓 (GaN)、磷化铟 (InP)、器件架构、FinFET、纳米级晶体管、速度增强、效率提高、功耗、热管理、信号完整性、先进冷却技术、低功耗设计方法、纠错算法、人工智能 (AI)、机器学习 (ML)、优化、自适应性能、连接性、数据处理能力、下一代网络、尖端方法、技术挑战、设计解决方案、新颖的设备实施、未来电信进步。
铜铟镓硒（CIGS）薄膜研究...
太阳能电池是一种光伏装置，它通过吸收半导体中的光生载流子，将太阳能直接转化为电流。太阳能电池主要涉及三个过程：吸收光子产生电荷载流子、分离载流子和收集载流子。半导体材料通常吸收能量大于其带隙的光子。被吸收的光子激发电子从吸收材料中的价带移动到导带，从而产生电子-空穴对。产生的电荷载流子对要么重新组合，要么分离然后收集。吸收的光子取决于吸收材料的厚度和吸收系数。太阳能电池的关键部分是pn结的形成，pn结由两种连接在一起的半导体材料组成，其中一种是n型掺杂的，另一种是p型掺杂的。在CIGS太阳能电池中，各种不同的半导体材料用于形成pn结，因此这种结构称为异质结。使用异质结可以为电池提供宽带隙窗口层，从而减少表面复合。价带和导带
