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World File Search System磷化铟
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
细间距微铟凸块互连倒装芯片键合
铟凸点阵列在量子计算中的应用越来越广泛，因为其对共面性和键合线厚度控制以及高质量电气互连的要求非常严格，红外焦平面阵列 (IR FPA) 显示出对更高分辨率的持续追求，这意味着更小的凸点、更高的密度和更大的表面积，最后，消费市场对 µLED 或 Micro LED 的需求越来越大，这意味着细间距铟互连需要更高的吞吐量。
用于先进锌碘电池的 In-MOF 衍生分级空心碳纳米管
中空碳材料因其独特的多孔结构和电性能被视为催化和电化学储能中重要的支撑材料。本文以铟基有机骨架InOF-1为骨架，在惰性氩气下通过纳米氧化铟与碳基质的氧化还原反应形成铟颗粒。具体地说，通过在脱羧过程中结合铟的熔融和去除，原位获得了一种多孔中空碳纳米管（HCNS）。合成的HCNS具有更多的电荷活性位点以及短而快的电子和离子传输通道，以其独特的内部空腔和管壁上相互连通的多孔结构，成为碘等电化学活性物质的优良载体。此外，组装的锌碘电池（ZIBs）在1 A g -1 时提供234.1 mAh g -1 的高容量，这确保了电解质中碘物质的吸附和溶解达到快速平衡。基于HCNS的ZIBs的倍率性能和循环性能得到大幅提升，表现出优异的容量保持率，并表现出比典型的单向碳纳米管更好的电化学交换容量，使HCNS成为新一代高性能电池的理想正极材料。
红外探测器铟基微凸块阵列制造技术中的金属间化合物层形成
本研究报告了对凸块金属化下 Ti/Pt/Au 上放置的铟微凸块/柱内部均匀性的研究。这对于连接电阻率、长期耐用性和后续混合工艺（例如芯片键合）非常重要。金与铟发生反应，形成具有与纯铟不同的化学物理参数的金属间合金。根据透射电子显微镜图像分析了金属间合金的几何和结构参数。使用透射电子显微镜和能量色散谱法确定所研究样品中元素的分布。未退火（A）和退火（B）铟柱中的金属间合金厚度分别为 1.02 μm 和 1.67 μm。两个样品均观察到合金的层状和柱状内部结构，样品 B 中的晶粒大两倍。检测到未退火 In 柱的 Au-In 金属间合金的分级化学成分，而退火样品 B 的恒定成分为 40% Au 和 60% In。原子分布对 In 柱的机械稳定性影响较小。对于厚度为 1.67 μm 的均匀柱状金属间合金结构，直径为 25 µm、高度为 11 µm 的 In 柱的产率可能超过 99%。
自下而上设计可调铟镓锌氧化物薄膜原子层沉积的超循环配方
摘要：我们提出了一种自下而上的成功方法，设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方，以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合，已用于优化薄膜的沉积工艺和质量，方法是识别和解决生长挑战，例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比，可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比，我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能，同时防止热诱导偏析。关键词：IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度
二维柱状纳米粒子的密度泛函理论研究
图 1：单层结构，(ab) 碘化铅-PbI 2 ，(cd) 氧化铅 PbO ，(ef) 氧化锡 SnO ，(gh) 硫化铟-InS ，(ij) 硒化铟-InSe ，分别为顶视图和透视侧视图。(k) PbO 和 SnO ，(l) PbI 2 ，InS 和 InSe 的第一布里渊区路径。原子颜色代码：黑色=Pb，紫色=I，红色=O，浅蓝/灰色=Sn，浅粉色=In，黄色=S，绿色=Se
用于单片三维集成的高性能原子层沉积氧化铟三维晶体管和集成电路
摘要—本文报告了通过与后端工艺 (BEOL) 兼容的原子层沉积 (ALD) 工艺在鳍片结构和集成电路上涂覆 In 2 O 3 3-D 晶体管的实验演示。通过沟道厚度工程和后沉积退火，实现了具有 113 cm 2 /V · s 高迁移率和 2.5 mA/µ m 高最大漏极电流 (ID) 的高性能平面背栅 In 2 O 3 晶体管。演示了基于 ALD In 2 O 3 的高性能零 V GS 负载反相器，其最大电压增益为 38 V/V，最小电源电压 (V DD ) 低至 0.5 V。还演示了通过栅极绝缘体和沟道半导体的低温 ALD 制备的顶栅氧化铟 (In 2 O 3 ) 晶体管，其 ID 为 570 µ A/µ m，亚阈值斜率 (SS) 低至 84.6 mV/decade。然后演示了具有顶栅结构的 ALD In 2 O 3 3-D Fin 晶体管，其受益于 ALD 的保形沉积能力。这些结果表明，ALD 氧化物半导体和器件具有独特的优势，并且有望实现用于 3-D 集成电路的 BEOL 兼容单片 3-D 集成。
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