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World File Search System磷化铟
先进催化剂合成与表征 (ACSC)
• 具有可控原子位点、纳米结构和介观结构的金属改性氧化物/沸石 • 通过分子前体热解的金属碳化物、氮化物、磷化物 • 具有可控形貌、成分和晶相的纳米结构材料的可扩展溶液合成
978964.pdf -rwth Publications
金属氯化物配合物在温和条件下与Tris（三甲基甲硅烷基）磷酸反应，以产生金属磷化物（TMP）纳米颗粒（NPS），而氯甲基甲硅烷则作为副产物。与起始M-CL键更强的Si-Cl键的形成是反应的驱动力。通过使用[RUCL 2（Cymene）]和Tris（Trimet-hylsilyl）磷酸在35°C中制备该策略的潜力。将小（1.3 nm的直径为1.3 nm）和无定形NP形成，其整体RU 50 P 50组成。有趣的是，这些NP可以很容易地固定在功能支持材料上，这对于在催化和电催化中的潜在应用引起了极大的兴趣。mo 50 P 50和CO 50 P 50 NP也可以按照相同的策略合成。这种方法简单且通用，并为在轻度反应条件下制备广泛的过渡金属磷化物纳米颗粒的方式铺平了道路。
自支撑CoxP/Co3(PO4)2/C复合纳米纤维垫的合成及其作为锂硫电池多功能中间层的特性
超级电容器[18]、锌空气[19,20]和锂空气电池[21]以及锂离子、钠离子和钾离子存储负极。[22–24] 不同钴磷化物（Co x P：CoP+Co 2 P）[25]与氧化钴（Co x P/CoO）[26]的组合使这些材料多功能化并提高了其性能。另一方面，Co x P和Co 3 (PO 4 ) 2的联合作用对锂硫电池电化学性能和多硫化物转化机理的影响尚未研究。尽管钴磷化物具有广泛的潜在应用，但它们通常通过复杂的合成路线合成，包括在过量的磷源和还原剂中对钴或钴氧化物进行磷化。[22,24–26] 最近，Li等人。报道了使用化学计量的脱氧核糖核酸 (DNA) 作为 P 源，通过简便的静电纺丝和热处理成功合成了 Co 2 P/Co 2 N/C。[27] 另一方面，由于聚丙烯腈（碳源）溶液中无机组分的溶解度较差，限制了 Co 2 P 的含量。相反，使用水和乙醇可溶性的聚乙烯吡咯烷酮 (PVP) 作为碳源，可以合成无机组分含量高的碳复合材料。[28] 此外，还证实了 PVP 衍生的碳/SiO 2 复合纳米纤维垫可以作为多功能中间层，有效防止多硫化物的穿梭，并提高 S 基锂电池的电化学性能。[29,30]
韦尔半金属磷化铌薄膜中的超快亚 100 fs 全光调制和高效三次谐波产生
近年来，外尔半金属（WSM）在固态研究中引起了广泛关注。它们的独特性质是由电子能带结构中导带和价带的单个接触点决定的，该结构具有线性电子色散。[1,2] 在这种所谓的外尔锥中，电子表现为无质量的准相对论费米子，并由狄拉克方程的相应解外尔方程描述。[3] 这些外尔节点总是以相反手性的成对出现，在动量空间中分开并由拓扑保护的表面态（费米弧）连接。 [4,5] 这种特殊的电子结构产生了许多材料特性，例如高电子迁移率、[6,7] 低温超导性、[8–10] 巨大的磁阻、[11,12] 强烈的异常霍尔效应、[7,11,13] 以及 Adler–Bell–Jackiw 异常。[14–17]
非晶态基底上具有高紫外至可见透明度的相关金属透明导体
传统透明导电氧化物 (TCO) 的技术策略是采用简并掺杂宽带隙半导体来实现两个关键特性：电导率和光学透明度。宽带隙半导体被选为主体材料，其带间跃迁高于可见光谱，而掺杂剂则增加载流子密度，从而提高电导率。锡掺杂氧化铟 (ITO) 因其在可见光谱中实现了高电导率和光学透明度的最佳平衡而得到广泛应用。[3] 然而，由于铟矿的供应有限，ITO 用作 TCO 的使用越来越多，导致 ITO 成本上升。[4] 同时，许多其他应用，如日盲探测、紫外 (UV) 光刻、紫外发光二极管和紫外固化，都需要紫外光谱中的透明导体。[5–8] 然而，传统的高电导率 TCO 在光谱的紫外侧表现出低透射率。 [1]
支持信息纳米级横向 p–n ...
图 S1。石墨烯/ -RuCl 3 器件制造。(A) 石墨烯/ - RuCl 3 器件组装的四个步骤图。在第一步中，使用 PC 涂层玻璃载玻片拾取 SiO 2 /Si 基板上剥离的 - RuCl 3。在第二步中，使用 -RuCl 3 /PC 转移载玻片拾取剥离的石墨烯。在第三步中，翻转转移载玻片并将 PC 从玻璃载玻片上分层并放置在 SiO 2 /Si 芯片上。在最后一步中，使用微焊接方法将铟触点沉积在器件上。1 (B) 石墨烯/ - RuCl 3 器件的光学图像，其中石墨烯以红色勾勒出轮廓， -RuCl 3 以绿色勾勒出轮廓。(C) (B) 中所示堆栈的高对比度放大图像。 （D）沉积铟触点后的石墨烯/-RuCl 3 器件的光学图像。
Spie Photonics Europe 2024最佳学生纸奖
光学传感和检测12999-35光纤传感应用的集成光子询问器Aleksandra Bieniek-Kaczorek，Warsaw Univ。技术（波兰）；斯坦尼斯劳·普斯金斯基（Stanislaw Stopinski），卡尔兹·史蒂夫·安德斯（Krzysztof Anders），华沙大学（Univ）。of Technology (Poland) Specialty Optical Fibres VIII 13001-6 Static and dynamic mode interaction in high-average power polarization maintaining fibers Gonzalo Palma Vega, Fraunhofer-Institut für Angewandte Optik und Feinmechanik IOF (Germany) Fiber Lasers and Glass Photonics: Materials through Applications IV 13003-36 Optical properties of激光纤维的TM掺杂眼镜Arni Pratiwi，Leibniz-InstitutFürPhotonische Technologien E.V.（德国）非线性光学及其应用2024 13004-19在磷化物磷化物综合波导尼古拉·库兹尼托夫（Ecole Polytechniquefédéralede Lausanne（Switzerland）
拓扑化学合成磷化铜纳米带用于柔性光电忆阻器
金属磷化物纳米带因特殊的电子结构、大的接触面积和优异的力学性能而成为柔性光电子微器件的理想构建材料。本工作采用拓扑化学方法从结晶红磷纳米带（cRP NR）制备单晶磷化铜纳米带（Cu 3 P NR）以保留 cRP 形貌。Cu 3 P NR 用于在 ITO/PEN 基底上构建柔性光电忆阻器，以 Cu 3 P NR 的天然氧化壳作为电荷捕获层来调节电阻开关特性。基于 Cu 3 P NR 的忆阻器在不同机械弯曲状态和不同弯曲时间下均具有出色的非挥发性存储性能。从基于 Cu 3 P NR 的忆阻器中观察到光学和电学调制的人工突触功能，并且由于记忆回溯功能，使用 Ag/Cu 3 P/ITO 人工突触阵列实现了模式识别。拓扑化学合成法是一种通用方法，可用于生产具有特殊形态和特定晶体取向的纳米结构化合物。结果还表明，金属磷化物是未来光电神经形态计算的忆阻器中的优良材料。
多层 CdHgTe 基红外探测器：2D/3D 微断层扫描、同步辐射和室温及 100 K 下应力分布的有限元建模
在几种温度下加工后，对基于 CdHgTe 的红外探测器的机械行为进行了评估，以确定热机械负荷对残余应力和可靠性的影响。首先，依靠 SEM、X 射线微层析成像和衍射分析，对探测器的结构进行了全面表征，以便了解所有组成层（特别是铟焊料凸块）的性质、形态和晶体取向。结果特别显示了铟凸块的意外单晶外观，具有可重复的截锥形几何形状。为了获得加工后结构在工作温度范围内（从 430 K 到 100 K）的热机械响应，随后开发了一个 3D 有限元模型。正如预期的那样，数值结果显示，从高温到低温，结构中的应力梯度发生了变化，在 100 K 时，CdHgTe 中的局部高应力约为 30 MPa，这主要是由于不同层之间的热膨胀系数不匹配。它们强调了凸块的几何形状和单晶性质以及不同材料的行为规律的重大影响。
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制