XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System磷族
III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
磷去除
使用Optifiber®，即使在桩纤维层的深度中除去固体，甚至可以有效地分离微芯片。具有合适的沉淀和絮凝性，总磷浓度≤0.20mg/l（Optifiber PES-14）或≤0.05-05-0.10mg/l（Optifiber UF-10）是通过光纤维桩培养基实现的。optifiber PES -14代表Advan CED磷去除的标准，主要用于保持总磷的浓度<< 0.2 mg/l，并且使用磷酸磷≤0.05-05-05-07mg/l。Optifiber UF -10用于确保总磷的浓度<< 0.1 mg/l或颗粒磷≤0.010-0.010-0.015mg/l。如果在PCMF的生命周期中的发射阈值发生变化，则可以轻松替换过滤器介质以符合新限制而无需更改滤波器结构。用于去除晚期的磷，用于Mecana PCMF的剖面吸力唇（Opticomb®）来增加固体载荷能力并减少过滤的能量需求。在过滤器裂解过程中形状的桩纤维层的分析增加了有效的过滤表面。
磷及其在化学演化中的作用
本文由UNF Digital Commons的学生奖学金免费提供给您。已被授权的数字公共授权管理员接受了潘迪恩（Pandion）的纳入潘迪恩（Pandion）：《鱼鹰研究与思想杂志》。有关更多信息，请联系数字项目。©保留所有权利
第一过渡金属砷化物非线性光学材料
四甲基磷族化合物最近才因其作为红外非线性光学 (IR-NLO) 材料的优势而受到关注，2 - 9 '16 '17 与更受欢迎和研究更多的硫族化物相比。我们为磷化物开发的合成方法包括磷与原子混合的难熔前体预熔 M+Si 的反应，从而发现了几种以前无法获得的化合物。21819 在本研究中，我们将这种方法扩展到砷化物。基于标题化合物 lrSi 3 As 3 的合成和发现的简易性，预计许多其他金属四甲基砷化物也具有同样令人兴奋的特性。报道了 lrSi 3 As 3 的结构-性质关系。