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World File Search System离子束
通过石墨烯的位点选择性氟化增强氨气吸附
摘要：石墨烯具有原子层厚度的二维共轭结构、大的比表面积等优异性能，被广泛研究作为理想的气体传感平台。本文报道，通过位点选择性离子束诱导氟化引入共价CF键，由于氟化石墨烯表面对气体的吸附增强，石墨烯对氨气的传感响应可以大大提高。对氨气的响应提高了8倍，检测限接近65 ppb。利用Langmuir等温模型分析了氨气和氟化石墨烯之间的吸收动力学，结果表明，灵敏度的提高主要归因于氟化石墨烯对氨气分子的强结合能，这与之前的理论预测一致。
通过高解析度阐明氮化钛中的位错核心结构
术语 TiN：氮化钛 MgO：氧化镁 TMN：过渡金属氮化物 FCC：面心立方 B1：岩盐结构 UHV：超高真空 TEM：透射电子显微镜 STEM：扫描透射电子显微镜 HAADF：高角度环形暗场 DFT：密度泛函理论 MEAM：改进的嵌入原子方法 XRD：X 射线衍射 ToF-ERDA：飞行时间弹性反冲检测分析 BF：明场 FIB：聚焦离子束 SEM：扫描电子显微镜 FFT：快速傅里叶变换 DOS：态密度 FWHM：半峰全宽 GSFE：广义堆垛层错能 OP：重叠布居
AMIR: M2 TUD HOST UNIVERSITY（二年级学生）
AMIR：M2 TUD HOST UNIVERSITY（二年级学生）秋季学期 代码名称 ECTS 注释 必修 11-01-4189 高级研究实验室（12）* 12 实验室工作 13-K3-M020 产品与系统的生命周期评估** 3 I&ENT 11-01-4104 功能材料 6 11-01-4105 表面与界面 5 选修课*** 11-01-7342 陶瓷材料：合成与特性。第二部分 4 11-01-2009 材料物理概念 6 11-01-7562 计算材料科学 5 11-01-7301 能源应用中的电化学 II： 4 11-01-8131 工程微结构 - 加工、特性和应用 4 11-01-2027 材料科学中的有限元模拟 4 11-01-9063 聚焦离子束显微镜：基础与应用 4 11-01-8202 现代表面科学的基础与技术 4 11-01-2016 界面 - 从润湿到摩擦 4 11-01-7892 扫描电子显微镜简介 1 11-01-2031 材料科学的机器学习 6 11-01-2001 磁性与磁性材料 4 11-01-7292 材料化学 4 11-01-7042 利用高能离子束进行材料研究 - 以及纳米技术 4 11-01-4404 可再生能源系统的材料科学 5 11-01-3018 材料科学中的数学方法 4 11-01-9332 陶瓷材料的力学性能 4 11-01-2006 金属的力学性能 4 11-01-4109 材料科学的微观力学 6 11-01-2026 有机功能材料：从液晶到分子电路 4 11-01-2036 离子固体中的点缺陷 4 11-01-3031 聚合物材料 6 11-01-2023 用于能源相关应用的多孔陶瓷 4 11-01-4004 材料科学的量子力学 6 11-01-8162 半导体界面 4 11-01-2035 智能设计和广告。下一代材料的加工 4 总计 30 春季学期论文 30 * 课程“ 高级研究实验室 (12)”可以由课程“ 高级研究实验室 (8) 11-01-4188”替换，需要 8 ECTS。 ** 课程“ 产品和系统的生命周期评估”不适用于第一年留在波尔多的学生。 *** 所有符合条件的“ 选修课程”均列在 TUCaN 系统的“ 选修课程 M. Sc. 材料科学 ”中。 没有材料科学或物理学学士学位的学生也可以根据要求使用课程“ 材料物理概念 (6 ECTS)”。 ° 模块“ 与导师讨论”是自愿的，但建议参加。
香港城市大学提供的课程大纲...
第三部分 其他资料（更多详情可于教学计划中另行提供） 1. 关键词大纲（列出本课程的主要主题。） ● 材料特性 ● 分析技术概览 ● 显微镜 ● 光谱学 ● 光学显微镜 ● 电子显微镜：扫描和透射 ● 扫描探针显微镜 ● 电子探针微分析 ● X 射线衍射 ● 离子束技术 ● 二次离子质谱法 ● 卢瑟福背散射光谱法 ● 霍尔效应 ● 电容-电压测量 ● 塞贝克效应 ● 分光光度法 ● 光谱椭圆偏振法 ● 调制光谱法 ● 光致发光 ● X 射线光电子能谱法 2. 阅读清单 2.1 必读内容（必读内容可以包括书籍、书籍章节或期刊/杂志文章。城大图书馆还提供电子书、电子期刊。）
用48元素的可编程相板
我们提出了一个48个元素的可编程相板，用于通过光刻和聚焦离子束的组合所产生的相干电子波。这将从光光学的波前塑造的非常成功的概念带入了电子光学的领域，并提供了准备电子量子状态的重要新自由度。相板芯片安装在放置在100-300 kV范围内的透射电子显微镜的C2平面上的孔杆上。相板的行为的特征是Gerchberg-Saxton算法，显示在300 kV时的相位灵敏度为0.075 rad / mV，相位分辨率约为3·10 - 3π。此外，我们简要概述了可能的用例，并通过模拟和实验结果进行支持。
半导体制造设备 2023 年 10 月规则
描述 - 新的 SME 添加到 ECCN 3B001 和 3B002 3B001.a.4 控制用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 外延生长的设备 3B001.d 沉积设备 3B001.f 光刻设备 3B001.k 控制用于“EUV”掩模版多层反射器的离子束沉积或物理气相沉积的设备。3B001.l 控制“EUV”薄膜。3B001.m 控制用于制造“EUV”薄膜的设备。3B001.n 控制用于涂覆、沉积、烘烤或显影为“EUV”光刻配制的光刻胶的设备。3B001.o 使用指定参数控制半导体晶圆制造退火设备。 3B001.p 对三种半导体晶圆制造清洗及移除设备的控制
DNA对高能量的电子激发响应...
摘要：缺乏针对DNA对带电颗粒辐射的电子激发反应的分子级别的理解，例如高能质子，仍然是推进质子和其他离子束癌疗法的基本科学瓶颈。尤其是，不同类型的DNA损伤对高能质子的依赖性代表着重要的知识空隙。在这里，我们使用大量平行的超级计算机采用第一原理实时依赖时间依赖性密度函数理论模拟，以揭示从高能质子到水中DNA的能量传递的量子力学细节。计算表明，质子在DNA糖 - 磷酸侧链上的沉积能量明显多于核仁酶，并且预期在DNA侧链上的能量转移大于水。由于这种电子停止过程，在DNA侧链上产生了高能孔，作为氧化损伤的来源。
Thermo Scientific ELEMENT GD 辉光放电质谱...
• 快流、高功率辉光放电室 - 高溅射率缩短分析时间 - 卓越的灵敏度 • 先进的双聚焦质谱仪 - 高离子传输率和低背景噪声带来无与伦比的信噪比，实现亚 ppb 级检测限 - 高质量分辨率带来最高选择性和准确度：获得无可争议的分析结果的先决条件 • 超过 12 个数量级的自动检测系统 - 由于全自动检测器的线性动态范围超过 12 个数量级，因此可以在一次扫描内测定超痕量和基质元素 - 直接测定 IBR（离子束比）定量的基质元素 • 先进的软件套件，提高工作效率和易用性 - 所有参数的全计算机控制 - 全自动调谐、分析和数据评估 - LIMS 连接，具有自动数据传输 - 远程控制和诊断 - Microsoft ® Windows ® XP 操作系统
表面表征和低能辐照的PANI/PBS聚合物纳米复合材料
摘要：在这项工作中，使用溶液制备方法制备了聚苯胺（PANI）（PANI）（PANI）和铅硫纳米颗粒（PBSNP）的纳米复合样品，以植入储能元件中。PANI/PBS纤维被不同的氧束的不同流体辐射：5×10 16、10×10 16和15×10 16离子。CM -2。由XRD，SEM，DSC和FTIR研究了复合材料。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。 以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。 此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。 介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。 此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。 确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。 这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。