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World File Search System稳压器
XL4016 降压转换器 DC-DC 数据表
XL4016 稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量。该模块由 XL4016 稳压器和一些其他有源（半导体）和无源元件组成。它具有 7805 5V 稳压器，可调节 LM358 芯片的输入电压，该芯片用作反馈电压比较器。TL431 用作分流稳压器，用作比较器电路的正电压基准。XL4016 是一个开关稳压器，这意味着它用作高频开关。双（肖特基）二极管用作电压整流器，它具有高速特性，这对于转换器的效率至关重要。电感线圈用作能量转换元件。转换器电路具有输入和输出电解电容器，它们用作滤波器，以清除电路中先前未调节和开关部分的纹波并存储电能。
7915 1.5A TO-252.docx
描述 7915 三端负稳压器采用 TO-252 封装，具有多种固定输出电压，因此适用于各种应用。这些稳压器可以提供本地卡上稳压，从而消除了与单点稳压相关的分配问题；此外，由于具有与 7815 正稳压器相同的电压，它们特别适合分离电源。如果提供足够的散热，它们可以提供超过 1.5 A 的输出电流。尽管这些设备主要设计为固定电压稳压器，但它们可以与外部组件一起使用以获得可调电压和电流。
适用于助听器应用且具有改进瞬态响应的面积高效低压差稳压器
摘要：本文介绍了一种低压差稳压器，其规格适用于助听器设备。所提出的 LDO 占用的芯片面积非常小，并提供出色的瞬态响应。LDO 架构中采用了一种新颖的电压尖峰抑制器模块，可降低负载突变期间输出电压的下冲和过冲。它引入了一个次级负反馈环路，其延迟小于主环路，并在需要时将静态电流引导至输出节点。这不仅提高了整体电流效率，而且还降低了片上电容。所提出的 LDO 采用 180 nm 标准 CMOS 技术进行布局，并进行了后布局模拟。当施加 1 V 的最小电源电压时，LDO 产生 0.9 V 输出。调节器可以驱动 0.5 mA 的最大负载。LDO 分别表现出 4.4 mV/V 和 800 μ V/mA 的线路和负载调节。当受到阶跃负载变化的影响时，记录到 20.34 mV 的下冲和 30.28 mV 的过冲。为了使 LDO 正常运行，只需要 4.5 pF 的片上电容。
耦合仿真和加速退化模型的可靠性评估：应用于电压调节器
本文根据低压差稳压器的行为，演示了如何使用数值模拟数据，基于加速退化测试数据进行可靠性性能评估。该稳压器采用 Cadence Virtuoso 软件和 180 nm AMS CMOS 技术设计，并通过模拟评估其输出电压随温度和输入电压的变化。输出电压退化数据是根据环境参数（输入电压和温度）约束生成的，这使得我们能够利用数值模拟模型和所提出的退化模型定义加速条件下的故障阈值。采用退化路径模型确定指定故障标准（5%）下的伪故障时间。然后，我们推导出加速度定律模型，通过执行最大似然估计法来估计可靠性模型参数，不仅可以分析，还可以预测不同电压和温度应力条件下稳压器的寿命数据分布。
无电容 LDO 的快速循环
半导体行业集成电路和电源管理的发展迫使电子电路能够更高程度地集成到片上系统解决方案中。传统的低压差稳压器具有较大的外部电容器来补偿频率响应和瞬态变化。为了集成到片上系统应用中，必须移除外部电容器。对于 28nm CMOS 工艺技术，所提出的解决方案提供了一种快速调节路径，无需外部电容器即可补偿低压差稳压器的瞬态响应。该低压差稳压器无需外部电容，具有快速调节路径，供电电压为 1.8V，能够调节 1.2V、1.1V、1V、0.9V、0.8V 和 0.7V 的输出电压。从无外部电容的低压差稳压器的通用无补偿架构来看，在误差放大器中实现了一个值为 5pF 的内部米勒电容，目的是在系统中产生频率补偿并确保其交流稳定性。研究并实施了一种快速调节路径补偿方案，用于补偿负载电容相当于 1 pF 时最大负载电流变化为 1 mA 的瞬态响应。仿真结果表明，低压差稳压器在最先进的架构中具有竞争力，超越了一些架构，输出电压的正负瞬态变化值分别记录为 48 mV 和 49.8 mV，恢复时间为 0.5 µ s。随后进行的 PVT（工艺、电压、温度）极端情况模拟和蒙特卡罗分析表明，所设计的系统符合 ISO 26262 标准。提出了所提系统的布局设计，以供将来集成。
UCD7230 - 德州仪器
1 特性 应用 • 数字控制同步降压电源 2 • 来自数字控制器的输入设置单相和多相频率和占空比应用的工作阶段 • 高达 2MHz 的开关频率 • 特别适合与 UCD91xx 或 • UCD95xx 控制器一起使用的双电流限制保护独立可调阈值 • 高电流多相 VRM/EVRD • 带有可调稳压器的快速电流感应电路，适用于台式机、服务器、电信和消隐间隔防止灾难性的笔记本电脑处理器电流水平 • 使用 m Cs 或 TMS320TM DSP 的数字控制同步降压电源 • 数字输出电流限制标志系列 • 低偏移、48 的增益、差分电流感应放大器描述 • 3.3 V、10 mA 内部稳压器 UCD7230 是 UCD7K 系列数字稳压器的一部分 • 双 TrueDrive™高电流驱动器控制兼容驱动器，适用于采用 • 10 ns 典型上升/下降时间和 2.2 nF 数字控制技术的应用或需要快速负载局部峰值电流限制保护的应用。 • 4.5 V 至 15.5 V 电源电压范围
TMI8037 500mA LNB-电源和控制电压...
TMI8037 适用于模拟和数字卫星接收器/卫星电视、卫星 OC 卡，是一款采用 ESOP8 封装的单片稳压器和接口 IC，专门设计用于高效提供 14V/19V 电源，并为天线盘中的 LNB 下变频器或多开关盒提供 22kHz TONE 信号。TMI8037 由 BOOST 转换器和低噪声线性稳压器以及 TONE 注入和引脚可控接口所需的电路组成。该设备使整个 LNB 电源设计变得简单、高效和紧凑，外部元件数量少。
适用于低功耗便携式应用的全集成 180 nm CMOS 1.2 V 低压差稳压器
长寿命自主便携式和可穿戴设备越来越多地出现 [1-8]，对系统小型化和降低功耗的要求使高效电源管理单元 (PMU) 的设计成为首要问题，其中低压差 (LDO) 稳压器发挥着关键作用 [9-13]。如图 1 所示，在电池供电系统中，在电池电压和偏置特定系统模块所需的负载电流发生大幅变化的情况下，LDO 会从电池电压 V BAT 产生稳定、低噪声和精确的电源电压 V out ，通常会使用多个 LDO 来优化每个模块的功耗，从而优化整体电源效率。传统 LDO 依靠位于输出节点的外部 µ F 电容来保证稳定性，同时尽量减少瞬态工作下 V out 的变化 [14-16]。尽管如此，系统功率和尺寸的降低正导致完整的片上系统 (SoC) 设备的发展，其中所有组件都需要完全集成。实施低成本片上系统解决方案的一个关键条件是与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的兼容性。这反过来又与低压合规性有关，因为随着 CMOS 技术的缩小，电源电压也会缩小，非常接近 MOS 晶体管的阈值电压，因此在设计这种低压电路时必须遵循新策略。因此，无 CMOS 电容器低压差稳压器的设计已成为一个有前途的研究课题，需要低压架构和替代的片上补偿技术，以保持系统在整个工作范围内的稳定性，同时保持调节性能。此外，便携式设备的一个关键参数是功耗，因为它决定了电池寿命。这意味着使用低静态电流 I q 。然而，降低 Iq 会降低动态性能：最大输出电流受到限制，从而限制了诸如转换速率和稳定时间等参数。这就需要引入瞬态增强电路技术来平衡动态性能，同时将对功率效率和电路复杂性的影响降至最低。
