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World File Search System稳压器
采用分布式 LLC 谐振转换器抑制高压 VR-on-Package 的 EMI
摘要 — 更高的片上电流需求会导致供电网络的功率效率降低，这是由于电流路径内的分布损耗造成的。高压电源架构和封装内稳压器 (VR) 拓扑可以通过减少分布损耗来提高系统功率效率。然而，由于高压注入和与敏感电子设备的距离很近，电磁干扰 (EMI) 可能是一个重大挑战。本文介绍了一种具有分布式拓扑的新型基于变压器的电感、电感、电容 (LLC) 谐振转换器，用于负载点直流-直流转换。与具有相同降压比的单分支 LLC 谐振转换器相比，分布式拓扑的 EMI 降低了 3 倍以上。已经开发出封装内 VR 的原型。实验结果证明其与 EMI 分析具有良好的相关性。由于这种分布式转换器系统的 EMI 较低，因此适合应用于系统级封装、无线设备和物联网。
电子器件与电路（规
了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型（定性分析）。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
Livguard 能源技术私人有限公司
关于集团 Livguard Batteries Private Limited (LBPL) 成立于 2012 年，是一家总部位于古尔冈的公司，由 Gurpreet Singh Bhatia 先生、Navneet Kapoor 先生、Raghav Ramdev 先生和 Paresh Chandra Pradhan 先生创立。公司于 2015 年开始运营。该公司从事汽车、逆变器和电动三轮车电池的生产。LBPL 还为国内市场生产逆变器和稳压器等电力电子产品。该公司有四个制造部门，三个位于喜马偕尔邦，一个位于哈里亚纳邦。 LBPL 是 Livguard 集团的一部分，也是 2014 年成立的 Livguard Energy Technologies Private Limited (LETPL) 和 2018 年成立的 Livfast Batteries Private Limited (LFBPL) 的 OEM。这两家公司在印度各地都有业务，在两家公司中各拥有 600 多家分销商，两家公司的经销商数量各为 20,000 家。该集团以“Livguard”和“Livfast”品牌销售其产品。Livguard Batteries Private Limited 于 2023 年 10 月 1 日与 LETPL 合并，以便将制造和分销业务纳入一家公司，从而实现更好的协同效应。
1.2-V 2.18-ppm/C 曲率补偿 CMOS...
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路（如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备）的关键组件[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的准确性和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度系数电阻之比决定，该比值将根据工艺角和失配而发生剧烈漂移。文献 [13, 14, 15, 16] 进一步讨论了温度补偿法，利用工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压进行补偿，但亚阈值 MOS 管由于补偿面积较大，因此 TC 受工艺影响较大。文献 [17] 则采用了非线性补偿项 T ln T 的方法，T ln T 是由工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压扩散产生的，
公司简介
公司成立于 1989 年。公司开始设计和制造不间断电源、稳压器，以满足当地家庭和商业需求。我们的研发部门不断关注最终用户的需求，开发现代设备，引进最新技术，占领了当地市场的合理份额。随着时间的推移，LEO 开始以集团公司的形式服务于巴基斯坦的不同领域。LEO 是一家快速发展的公司，在巴基斯坦的企业领域以及全球开展业务。我们是电气、机械、化学、家禽和奶制品行业、石油和天然气领域、其他跨国公司以及公共和私营企业的知名制造商、采购和服务提供商。我们完全具备在当地环境中领先业务并遵守国际标准的必要潜力。公司的基础由 Aamir Anjum 先生奠定，他将丰富的技术知识和业务技能灌输给员工，以培养专业制造、采购和服务的混合体。凭借以客户为导向的方法以及灵活、进步和创新的业务战略，LEO 巴基斯坦公司在市场挑战面前开始了它的征程。由于我们拥有高质量的产品和服务，在真主的恩赐下，我们在多个领域获得了卓越的市场声誉，并在有限的时间内获得了认可。我们正在行业内引入新的 ECO 技术。我们很享受赢得现有客户的业务，并从中学到了很多东西。他们挑战我们，让我们成为今天的样子，我们期待着在未来与他们一起找到创造性的解决方案。无论您是否是现有客户，我们都会从反馈中受益，并欢迎您提出任何意见。
1.2 dB NF 分集接收模块的低频带多增益 LNA 设计
摘要：本文介绍并讨论了一种用于分集接收模块的低频带 (LB) 低噪声放大器 (LNA) 设计，该模块适用于多模蜂窝手机。LB LNA 覆盖 5 个不同频段，频率范围从 617 MHz 到 960 MHz，5 刀单掷 (5PST) 开关用于选择不同的频段，其中两个用于主频段，三个用于辅助频段。所提出的结构涵盖从 -12 到 18 dB 的增益模式，增益步长为 6 dB，每种增益模式的电流消耗都不同。为了在高增益模式下达到噪声系数 (NF) 规格，我们在本设计中采用了具有电感源退化结构的共源共栅 (CS)。为了实现 S 11 参数和电流消耗规格，高增益模式（18 dB、12 dB 和 6 dB）和低增益模式（0 dB、-6 dB 和 -12 dB）的内核和共源共栅晶体管已被分开。尽管如此，为了保持较小的面积并将相位不连续性保持在 ± 10 ◦ 以内，我们在两个内核之间共享了退化和负载电感器。为了补偿工艺、电压和温度 (PVT) 变化的性能，该结构采用了低压差 (LDO) 稳压器和极端电压补偿器。该设计在65nm RSB工艺设计套件中进行，电源电压为1V，以18dB和-12dB增益模式为例，其NF分别为1.2dB和16dB，电流消耗为10.8mA和1.2mA，输入三阶截取点（IIP3）分别为-6dBm和8dBm。
EM 和 Power SCA 弹性 AES-256 通过 >
摘要 — 数学上安全的加密算法在物理基板上实施时会泄露关键的“侧信道”信息，从而导致电源和电磁 (EM) 分析攻击。电路级保护涉及开关电容器、降压转换器或串联低压差 (LDO) 稳压器实现，每种实现方式都存在显著的功率、面积或性能权衡问题，迄今为止仅实现了 10 M 的最小泄漏痕迹 (MTD)。利用深入的白盒模型，这项工作首次专注于电流域中的签名抑制，这在 MTD 中提供了 2 级衰减增强，从而使功率和 EM 侧信道分析 (SCA) 免疫力提高了几个数量级。使用电流域“签名衰减”(CDSA) 和本地低级金属布线的组合，加密电流中的关键相关信息在到达电源引脚之前被显著抑制。尤其是，为了防止电磁泄漏从源头（金属层承载相关加密电流，充当天线）泄漏，这项工作采用了嵌入加密 IP 的 CDSA 的较低层金属布线，这样签名在通过较高金属层（辐射显著）连接到外部引脚之前就会受到高度抑制。65 纳米 CMOS 测试芯片包含受保护和不受保护的并行 AES-256 实现，运行时钟频率为 50 MHz。首次通过片上测量对受保护的 CDSA-AES 进行测试矢量泄漏评估 (TVLA)，结果表明较高层金属层泄漏
电源管理集成电路
关于导师：Qadeer Khan 教授是印度理工学院马德拉斯分校电气工程系集成电路与系统组的助理教授。他于 1999 年获得印度新德里贾米亚米利亚伊斯兰大学电子与通信工程学士学位，并于 2012 年获得美国俄勒冈州立大学电气与计算机工程博士学位。他的博士工作重点是开发高性能开关直流-直流转换器的新型控制技术。2012 年至 2015 年，他担任高通公司圣地亚哥分公司的电源管理系统主管工程师，2015 年至 2016 年在班加罗尔高通公司工作，参与定义骁龙芯片组各种电源管理模块的系统和架构，以满足不同的智能手机市场需求。 1999 年至 2005 年，他曾就职于摩托罗拉和印度飞思卡尔半导体公司，主要负责设计用于基带和网络处理器的混合信号电路以及用于高压电机驱动器的全芯片集成解决方案。Qadeer Khan 博士拥有 18 项美国专利，并在模拟、混合信号和电源管理 IC 领域撰写/合作撰写了 20 多篇 IEEE 出版物。他担任 IEEE 固态电路杂志、IEEE 超大规模集成系统交易、IEEE 电力电子交易和 IEEE 电力电子快报的审稿人。他的研究兴趣涉及高性能线性稳压器、LDO、开关直流-直流转换器和用于便携式电子产品和能量收集的电源管理 IC
PEAT 太阳能电池充电方法研究...
1 马来西亚敦胡先翁大学工程技术学院电气工程系，84600 巴莪，柔佛，马来西亚 * 通讯作者名称 DOI：https://doi.org/10.30880/peat.2021.02.02.050 收到日期：2021 年 1 月 13 日；接受日期：2021 年 3 月 1 日；2021 年 12 月 1 日在线发布 摘要：本文提出了一种使用主要分立元件的简单电池充电控制器，旨在保护电池免于过度充电和深度循环放电。该设计包括三个阶段，包括电流增强器、电池充电控制器和电池电量指示器。太阳能电池板产生的电流经过电流增强器以使该值最大化。电流增强器能够控制电流以确保它获得最大值电流。LM317 稳压器用于保持电压恒定。电池充电器控制用于控制电池的充电。该电路使用集成电路 LM358 来控制充电过程。电池电量指示器用于指示电池是否已充满电。该电路使用运算放大器和发光二极管 (LED) 来指示电池。电压在电路的三个阶段进行测量。根据通过电路检测值的时间测量电压。在 12 点时，电流增强器、电池充电器控制器和电池电量指示器的输出电压分别为 0.18 V、0.27 V 和 0.22 V。通常，阳光的热量越高，产生的输出电压就越高。电池从 7.00 V 到 12.34 V 大约需要 5 小时才能充满电。这项研究使用本地采购和可用的组件，开发了一种低成本、可靠且实用的太阳能充电控制器。关键词：太阳能电池板、电流增强器、电池充电器控制器、电池电量指示器、可充电电池
佐治亚理工学院 - Gabriel Alfonso Rincón-Mora 著
佐治亚理工学院电气与计算机工程学院 ECE 3400 模拟电子学 2025 年春季 讲师：Gabriel A. Rincón-Mora 教授，博士电子邮件地址：Rincon-Mora@gatech.edu URL：Rincon-Mora.gatech.edu 讲座：每周一/周三下午 3:30–4:45 在 Van Leer C456 办公时间：课程问题：每周二晚上 7:30 使用 Zoom 进行问答环节 学术地位/个人事务：发送电子邮件进行咨询 课程网址：Rincon-Mora.gatech.edu/classes SPICE 模拟器：链接在“SPICE 页面”链接下 教学大纲：链接在“ECE 3400 模拟电子学”链接下 先决条件：ECE 3040 微电子电路 课程描述：ECE 3400 扩展了 ECE 2040 和 3040 中开始的半导体器件、电路和应用的概念，并提供了概念、问题解决技术和后续电子学课程所需的工具。本材料介绍、解释并展示了如何使用电气元件来建模、分析和设计滤波器、箝位器、整流器、峰值检测器、运算放大器电路、晶体管放大器和振荡器。其根本目的是培养和发展对电子设备在模拟电路中单独和集体工作的洞察力和直觉。本材料介绍了超越数学并促进创新的电路工程视角。教育成果：1. 分析一阶、二阶和双二次无源/有源滤波器。2. 分析箝位器、整流器和峰值检测器。3. 分析负反馈电路。4. 分析带有 BJT 和 MOSFET 的放大器和振荡器。5. 使用 SPICE 模拟电路。成绩构成： 第一次期中考试 = 20% 第二次期中考试 = 25% 期末考试 = 30% 作业 = 20% 出勤率/专业水平（遵守教学大纲和 ECE 政策）= 5% 可能因特别努力而获得额外学分。 重要日期： 开学第一天 1 月 6 日（星期一） 学校假期 | 假期 1 月 20 日（星期一）| 3 月 17-21 日（星期一至星期五） 第一次|第二次期中考试 2 月 10 日（星期一）| 3 月 12 日（星期三） 退课最后一天 TBD（TBD） 最后上课天 4 月 21 日（星期一）- 最后一份作业截止时间为 4 月 21 日 期末考试 4 月 30 日（星期三）下午 2:40-5:30 在 VL 456 课堂上 讲座来自：模拟电子学，第二版。纽约：KDP（www.amazon.com/dp/B0C47R2KQP）。教科书：《微电子电路设计》，第 6 版。麦格劳-希尔出版社，2023 年。参考文献：《开关电感器功率 IC 设计》，Springer。2022 年（通过 GT 图书馆在线访问）。《带低压差稳压器的模拟 IC 设计》，第 2 版。麦格劳-希尔出版社，2014 年。YouTube 视频链接在课程 URL 下的“…YouTube 视频…”链接下。建议：复习每次讲座后呈现的材料，做笔记并提问。将书带到课堂上并对其进行注释或在笔记中引用。