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World File Search System空位
补充信息具有锡空位中心的非线性量子光子学与一维金刚石波导耦合
样品制作工艺从对 < 100 > 表面取向的电子级金刚石衬底 (元素 6) 进行植入前表面处理开始。首先将样品衬底放入湿式 Piranha（H 2 SO 4 (95 %): H 2 O 2 (31 %) 比例为 3:1）无机溶液中，在 80 ◦ C 下清洗 20 分钟，然后通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻 (ICP/RIE) Ar/Cl 2 等离子体化学配方进行表面约 5 µ m 蚀刻，以去除衬底表面残留的抛光诱导应变。再进行约 5 µ m ICP/RIE O 2 化学等离子蚀刻，以去除前面蚀刻步骤中残留的氯污染[1]。接下来，将样品在 Piranha 溶液中进行无机清洗（80 ◦ C 下 20 分钟），并注入 Sn 离子（剂量为 1e11 离子/cm 2，能量为 350 keV）。在通过真空退火（1200 ◦ C）激活 SnV 中心之前，进行三酸清洗（比例为 1:1:1，HClO 4（70%）：HNO 3（70%）：H 2 SO 4（> 99%））1.5 小时，以去除任何残留的有机污染，然后在退火步骤后进行相同的湿式无机清洗程序，以去除在金刚石基材退火步骤中形成的任何表面石墨薄膜层。为了评估 SnV 中心是否成功激活，在悬浮结构纳米制造之前对样品进行表征。波导结构的纳米加工遵循参考文献[2-6]和[1]中开发的基于晶体相关的准各向同性蚀刻底切法的工艺。图S1中显示了该方法的示意图。
STP484-EB/1970 年 1 月讨论 - ASTM International
65 • 10 -4，其中考虑了背景的斜率，这是根据 PII 峰的形状估计的。该值比 Wagenblast 和 Swarts 的值大约大 50 倍。这个高峰值表明亚稳态氮化物或薄 AlN 沉淀物的分辨率远高于 Wagenblast 和 Swarts 显示的 Fe-0.2C 中亚稳态碳化物的分辨率。但是，它并没有表明氮空位情况下的单位缺陷松弛强度比碳空位情况下的单位缺陷松弛强度高 50 倍。
镰状细胞疼痛行动计划
应对策略、分散注意力和放松技巧 继续使用便秘药物：如果需要静脉注射止痛药，请前往门诊疼痛诊所或急诊室 门诊疼痛诊所 如果您 1) 疼痛剧烈，2) 尝试过家庭阿片类药物但无缓解，并且 3) 我们的诊所有空位，我们可能可以在血液科诊所而不是急诊室治疗您的疼痛。诊所仅在白天门诊时间开放。请发送电子邮件至：Hematology@childrensal.org，了解我们在接下来的 24 小时内是否有空位。 急诊室建议
SiC 中的 NV 中心：量子计算技术的解决方案？
金刚石和最近的碳化硅中的自旋 S = 1 中心已被确定为可用于各种量子技术的有趣固态量子比特。金刚石中氮空位中心 (NV) 是研究较多的案例，被认为是适用于大多数应用的量子比特，但也存在重大缺点。最近的研究表明，SiC 中的双空位 (V Si VC ) ° 和 NV (V Si NC ) 中心可以克服许多缺点，例如与微电子技术、纳米结构以及 n 型和 p 型掺杂的兼容性。特别是，4H-SiC 多型体是一种广泛用于功率器件的微电子半导体，这些问题已经得到解决，并且大规模基板 (300mmm) 可供商业化使用。研究较少的 3C 多型体可以拥有相同的中心 (VV、NV)，并且具有额外的优势，因为它可以在 Si 上外延，从而允许与 Si 技术集成。执行光学操控和自旋状态检测的光谱范围从金刚石中 NV 中心的可见光 632 nm 移至 SiC 中双空位和 NV 中心的近红外 1200 – 1300 nm（电信波长）。然而，还有其他关键参数对于可靠的信息处理至关重要，例如自旋相干时间、芯片上的确定性位置和受控缺陷浓度。在这篇评论中，我们重新审视并比较了金刚石中 NV 中心以及 4H 和 3C-SiC 中双空位和 NV 中心的一些基本特性。
随机等摩尔 FCC 合金中的缓慢扩散
* 通讯作者：daw@clemson.edu 关键词：高熵合金 (HEA)；成分复杂合金 (CCA)；多组分合金；多主元素合金；等摩尔；FCC；缓慢扩散；空位迁移率；自扩散；示踪扩散；嵌入原子方法 (EAM) 摘要：我们基于 Foiles、Baskes 和 Daw（Foiles、Baskes 和 Daw Phys Rev B 1986）久经考验的嵌入原子方法功能，研究了由 Cu、Ag、Au、Ni、Pd 和 Pt 形成的 57 种随机等摩尔合金中的空位辅助扩散。我们回应了 W. Yeh 等人的建议，Advanced Engineering Materials，2004 年），即增加成分数量会导致随机等摩尔合金中的扩散“缓慢”。使用分子动力学 (MD) 模拟具有单个空位的随机合金，结合空位形成的计算，我们提取了每种合金中空位辅助扩散率。在开发和应用了几种可能的“迟缓性”评估标准后，我们发现只有少数合金（从 1 到 8，取决于迟缓性的定义）表现出迟缓扩散，而绝大多数合金的扩散速度更快，在相当多的情况下应该被认为是剧烈的（即比任何成分都快）。我们将扩散率与
在2O3催化剂掺杂的单个金属原子上的CO2氢化和分离的比例关系，并具有促进的氧气空位位点
解决过多的碳排放引起的严重环境问题，碳捕获，利用和储存技术（CCUS）已引起了广泛关注。1 - 3为了探索Co 2 Hydroge-nation对甲醇反应4,5的探索，目的是同时改善可再生能源的利用。目前，工业量表上的甲醇合成很大程度上取决于合成气的转化，该合成气体是CO和H 2的混合物，与少量CO 2促进了Cu/ZnO/ZnO/Al 2 O 3催化剂。尽管如此，基于Cu的催化剂对于反水 - 气体什叶派（RWG）反应显着活跃，导致甲醇选择性降低和催化剂失活，尤其是在相对较高的反应温度下。6 - 8
纸张标题（使用样式
虽然电迁移的质量运输是由电子风力诱导的，但它并不是工作中唯一的驱动力。Blech从1976年完成的一系列作品表明，除了电迁移外，还在相反方向上进行了应力移民[6-8]，并且这种驱动力是由机械静水压力的梯度引起的。Kirchheim等。 [9,10]考虑到空缺产生和歼灭，进一步得出了空置运输和压力发展的方程。 和，Korhonen [11]所做的工作提出了一个模型，将应力演化与空位传输融为一体，后来在汤普森组开发的电气移动模拟软件MIT/EMSIM [12]中使用。 但是，对于Kirchheim和Korhonen的模型，电气移民分析中的自扩散（浓度梯度）被忽略，并且使用过度简化的假设来获得压力和空位浓度的耦合关系。Kirchheim等。[9,10]考虑到空缺产生和歼灭，进一步得出了空置运输和压力发展的方程。和，Korhonen [11]所做的工作提出了一个模型，将应力演化与空位传输融为一体，后来在汤普森组开发的电气移动模拟软件MIT/EMSIM [12]中使用。但是，对于Kirchheim和Korhonen的模型，电气移民分析中的自扩散（浓度梯度）被忽略，并且使用过度简化的假设来获得压力和空位浓度的耦合关系。
具有相干自旋控制的单个碳化硅色心的 Purcell 增强
摘要：碳化硅最近被开发为光学可寻址自旋缺陷的平台。特别是，4H 多型体中的中性双空位显示出光学可寻址的自旋 1 基态和近红外光发射。在这里，我们展示了耦合到光子晶体腔的单个中性双空位的 Purcell 增强。我们利用纳米光刻技术和掺杂剂选择性光电化学蚀刻的组合来产生质量因子超过 5000 的悬浮腔。随后与单个双空位的耦合导致 Purcell 因子约为 50，表现为零声子线的光致发光增加和激发态寿命缩短。此外，我们测量了腔纳米结构内双空位基态自旋的相干控制，并通过动态解耦证明了扩展的相干性。这种自旋腔系统代表了使用碳化硅的可扩展长距离纠缠协议的进步，该协议需要来自空间分离的单个量子比特的不可区分光子的干涉。关键词：碳化硅、双空位、单自旋缺陷、珀塞尔增强、相干自旋控制、光子晶体腔
金刚石中的 III 族量子缺陷是稳定的自旋 1 ...
钻石中的色心已成为一系列量子技术（从量子传感到量子网络）的主要固态“人造原子”。目前，协同研究活动正在进行中，以识别新的色心，这些色心将钻石中氮空位（NV − ）的稳定自旋和光学特性与硅空位（SiV − ）中心的光谱稳定性相结合，最近的研究还发现了其他具有优异特性的 IV 族色心。在本文中，我们从第一原理研究了一类新的钻石量子发射体，即 III 族色心，我们表明它们在自旋为 1、电场不敏感的结构中具有热力学稳定性。从从头算电子结构方法，我们表征了这些 III 族色心激发态流形中存在的乘积 Jahn-Teller (pJT) 效应，我们在那里捕捉到了与强电子-声子耦合相关的对称性破坏畸变。这些预测可以指导 III 族空位中心的实验识别及其在量子信息科学和技术应用中的使用。