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晶体管 75 周年——过去、现在和未来
早期的晶体管：75 年前，出生在三大洲的三位贝尔实验室研究人员发明了晶体管——美国的约翰·巴丁 (美国麦迪逊)、欧洲的威廉·肖克利 (英国利物浦) 和亚洲的沃尔特·布拉顿 (中国厦门)。另一位工程师约翰·皮尔斯建议使用“晶体管”这个名称，因为它将这种新设备与已经熟悉的术语联系起来：跨导、电阻器等。当索尼在 1957 年推出一款使用德州仪器晶体管和标准 9V 电池的衬衫口袋大小的晶体管收音机并继续销售 600 万台时，晶体管就成为家喻户晓的词。IBM 于 1958 年推出第一台量产的晶体管计算机。从 Ge 到 Si 再到异质集成：早期的晶体管是用锗制成的。1960 年左右，硅成为首选的半导体，因为其较大的带隙大大降低了晶体管的漏电流，尤其是在晶体管热的时候。虽然硅晶片现在已成为衬底材料，但在 IC 生产过程中，Ge 已以 Si x Ge 1-x 合金薄膜的形式回归，这些薄膜被添加到 Si 衬底上。SiGe 在高级 MOSFET 中起着越来越重要的作用，可以提高电子和空穴的迁移率并带来其他好处。光学、磁性和铁电材料也已集成到 Si 技术中。Si 或 SiC 衬底上的宽带隙半导体 GaN 用于制造高压晶体管。晶体管密度如何不断增长：TI 的 Jack Kilby 因“在集成电路发明中的作用”而获得 2000 年诺贝尔物理学奖。仙童半导体公司的 Robert Noyce 被认为是另一位主要贡献者，他的
个人简历和学业 个人资料
1。MariaGrazia Betti，Dario Marchiani，Andrea Tonelli，Marco Sbroscia，Elena Blundo，Marta de Luca，Antonio Polimeni，Riccardo Frisenda，Carlo Mariani，Samuel Jeong，Yoshikazu Ito，Nicola Cavani，Roberto Berik berne no no no hern serne Molinari，Valentina de Renzi，Deborah Prezzi，“介电响应和氢化石墨烯的激发”，碳趋势，100274，（2023），10.1016/j.cartre.2023.100274 2 O L. Morales和Carlos A. Duque，“斐波那契石墨烯超晶格的磁光特性”，Eur。物理。 J. B, 93, 47, (2020), 10.1140/epjb/e2020-100583-x 3. Michael Hernandez、Alejandro Cabo Montes de Oca、Maurice Oliva Leyva 和 Gerardo Naumis，“水如何使石墨烯具有金属性”，Physics Letters A, 383, 29 (2019), 10.1016/j.physleta.2019.125904 4. M. de Dios-Leyva、MA Hernández-Bertrán、AL Morales 和 CA Duque，“准周期石墨烯超晶格：朗道能级谱的自相似性”，Solid State Communications, 284–286, 93–95 (2018), 10.1016/j.ssc.2018.09.011 5. M. de Dios-Leyva、MA Hernández-Bertrán、AL Morales、CA Duque 和 Huynh Vinh Phuc，“周期性石墨烯超晶格中的光吸收：垂直施加磁场和温度效应”，Ann.物理。 （柏林）2018，1700414（2018），10.1002/andp.201700414 6. Melquiades de Dios-Leyva、Michael Alejandro Hernández-Bertrán、Álvaro Luis Morales、Carlos Alberto Duque，“石墨烯超晶格中的磁光吸收：狄拉克点效应”，Phys. Status Solidi RRL 2017, 1700347, (2017), 10.1002/pssr.201700347 7. CA Duque、MA Hernández-Bertrán、AL Morales 和 M. de Dios-Leyva，“探索石墨烯超晶格：磁光特性，”J. Appl.物理。 121, 074301 (2017), 10.1063/1.4976680 8. MA Hernández-Bertrán、CA Duque 和 M. de Dios-Leyva，“石墨烯超晶格：有限尺寸对态密度和电导的影响”，Phys. Status Solidi B, 254, 4 (2017), 10.1002/pssb.201600313 9. MA Hernández-Bertrán 和 L. Diago-Cisneros，“层状半导体异质结构中空穴的准键态：寿命和特征能量”，Rev. Cuba Fis。 32, 20 (2015)。