摘要:灯笼是由于它们在可见光和近红外范围内狭窄的光学发射光谱而导致光电特性的多功能调节剂。它们在金属卤化物钙钛矿(MHP)中的使用最近已获得突出,尽管它们在这些材料中的命运尚未在原子水平上建立。我们使用Cesium-133固态NMR来建立所有非放射活性灯笼离子的物种(La 3+,Ce 3+,Pr 3+,Nd 3+,SM 3+,SM 3+,SM 3+,SM 2+,EU 3+,EU 3+,EU 2+,GD 3+,GD 3+,GD 3+,GD 3+,TB 3+,TB 3+,HO 3+,HO 3+,HO 3+,HO 3+,HO 3+,MIR 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ lu 3+ lu 3+ lu 3+ lu 3+ lu 3+ CSPBCL 3。我们的结果表明,无论其氧化状态如何(+2,+3),所有灯笼均掺入CSPBCL 3的钙钛矿结构中。■引言铅卤化物钙钛矿已引起了光电应用的半导体材料的极大关注。1
摘要:纳米技术将在未来十年的截然不同的领域(包括医学和药房)极大地影响我们的生活。将材料转移到纳米构象中会改变其物理特性,这些特性在药物中用于开发新的创新配方原理,用于可溶性差的药物:药物纳米晶体。药物纳米晶体不属于未来;第一个产品已经在市场上。审查了与工业相关的生产技术,珍珠铣削和高压均质化。讨论了药物纳米晶体背后的物理学及其物理特性的变化。出现了市场产品,并解释了在每种市场产品中使用的纳米晶体的特殊物理作用。提出了开发管道中产品(临床阶段)中产品的示例,并在概述中总结了药物纳米晶体体内给药的好处。关键字:药物纳米晶体,珍珠铣削,高压均质化,纳米晶体,解离,纳米底,纳米,生物利用度增强,饱和溶解度,溶解速度
在集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光 ( CMP )、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
① 参见王行愚 、 金晶 、 张宇等 :《 脑控 : 基于脑 — 机接口的人机融合控制 》, 载 《 自动化学报 》2013 年第 3 期 , 第 208-221 页 。
半导体晶圆加工过程中产生的表面缺陷是微纳米加工面临的主要挑战之一。通常使用光学显微镜扫描晶圆,然后由人类专家检查图像。这往往是一个非常缓慢且令人疲惫的过程。由于可能出现的缺陷种类繁多,开发一种可靠的基于机器视觉的系统来正确识别和分类晶圆缺陷类型以取代人工检查是一项具有挑战性的任务。在这项工作中,我们开发了一种机器视觉系统,用于检查半导体晶圆和检测表面缺陷。该系统集成了光学扫描显微镜系统和基于 Mask R-CNN 架构的 AI 算法。该系统使用具有 MEMS、硅光子学和超导器件的晶圆在不同制造阶段(包括表面缺陷)的显微图像数据集进行训练。所实现的精度和检测速度使该系统有望应用于洁净室。
Low,M。J.,Lee,H.,Lim,J。C. H.,Sustand Sandeep,C.S.,Murukeshan,V.M.,Kim,S. -W。,&Kim,Y.J。(2020)。激光引起的降低的氧化烯 - 氧化物微晶状体,由飞秒激光直接写入。应用的表面科学,526,146647-。doi:10.1016/j.apsusc.2020.146647
本文概述了用于实现纳米、微米和宏观系统以及系统集成的最常见晶圆键合技术。首先,讨论了晶圆键合应用的一般方面。然后是对不同晶圆键合工艺的技术描述,因为不同的键合应用需要与工艺集成和应键合的晶圆上的实际表面层相关的不同工艺。最后,在概述表中显示了优点和缺点以及技术和应用方面,对所述键合工艺进行了系统化和详细的比较。本概述应有助于为晶圆级键合和其他应用选择最合适的工艺。
这是被接受出版的作者手稿,并且已经进行了完整的同行评审,但尚未通过复制,排版,分页和校对过程,这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi:10.1002/sstr.202100202。本文受版权保护。保留所有权利
凭借 50 多年先进晶圆处理和运输经验,Entegris 持续提供安全可靠的 200 毫米晶圆加工解决方案。我们的 200 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些晶圆载体专为先进晶圆运输而设计,可提供精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。
在本文中,我们考虑了对于 D2W 键合,封装集成商可以使用几种键合技术,从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体,以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程,而与一直占主导地位的成熟引线键合相比,该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高,代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商,因此采用年轻的技术需要仔细规划,以解决潜在的差距和障碍,以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制,例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术,界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成;必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险,以确保
