1 冲绳科学技术研究所研究生大学 (OIST) 基因组学和监管系统组,日本冲绳恩纳村 904-0495; 2 巴塞罗那大学 (UB) 遗传学系、微生物学和国家生物学系、生物学系,巴塞罗那 08028,西班牙; 3 巴塞罗那大学 (UB) 生物多样性研究所 (IRBio), 巴塞罗那 08028, 西班牙; 4 实验植物研究所植物结构与功能基因组学中心, 779 00 奥洛穆茨, 捷克; 5 卑尔根大学SARS国际中心,卑尔根N-5008,挪威; 6 卑尔根大学生物科学系,卑尔根 N-5020,挪威; 7 鹿儿岛大学理学院,鹿儿岛 890-0065,日本;8 大阪大学理学院生物科学系,丰中市,大阪 560-0043,日本
摘要:多项研究表明,癌症患者的无细胞DNA(CFDNA)在片段长度和片段末端基序(fem)的差异与健康个体不同,但是缺乏对这两个因素如何与癌症和基因转移相关的如何相关的。在这项研究中,我们使用肺癌患者(n = 12)和健康个体(n = 7)的血浆进行了CFDNA片段组学评估。使用H3K36ME3无细胞染色质染色质免疫沉淀测序(CFCHIP-SEQ)从血浆中建立了一个个人基因表达。与低表达的基因相比,具有最高表达的基因表现出富集短的CfDNA片段(中值= 19.99%,IQR:16.94–27.13%,p <0.0001)。此外,在CFCHIP之后,富含富含GC的FEM。将短CfDNA片段的频率与存在不同的FEM的存在相结合,从而进一步富集了表达最多的基因(中位数= 37.85%,IQR:30.10-39.49%,p <0.0001)。<150 bp cfDNA的体外尺寸选择可以分离代表活性基因的cfDNA,尺寸选择富集与CFCHIP-SEQ富集相关(Spearman R范围:0.499-0.882,p <0.0001)。这项研究扩大了有关CFDNA片段学的知识,并阐明了基因活性与CfDNA片段长度和不同的FEM的相关性的新启示。
半导体技术依赖于通过在半导体基质材料的晶格中控制引入替代杂质(掺杂)来调整基板的电性能的能力,以便调整其电子、光学和/或磁性。1 然而,目前的原位掺杂策略不能轻易扩展到纳米级。随着半导体器件的尺寸缩小到纳米级,半导体内单个原子的标准随机分布变得至关重要,因为均匀掺杂分布的假设不再成立。2,3 目前,科学界正在努力开发一种新技术,以展示纳米级半导体结构的确定性掺杂。传统的掺杂技术主要基于离子注入,即用高能含掺杂剂的离子轰击目标半导体,随后使用高温热处理诱导离子替换晶格中的原子。 1 该技术的主要优势在于可以独立控制半导体主体内的掺杂剂量和杂质原子的深度分布。这种方法已被广泛探索,并已成为微电子领域的主力,因为它可以保证大面积的出色掺杂均匀性。