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World File Search System粘滞
基于静力分布模式的粘滞阻尼器优化布置新方法
1 引言 根据现有的抗震法规，世界上人口最密集的地区都位于地震风险相对较高和极高的地区。因此，在设计新建筑或加固现有建筑时，有必要使用适当的耗能器。由于强震时结构各点会形成局部塑性铰，使建筑物发生大位移，从而增加结构的延性和耗能能力。因此，地震能量通过结构抗侧力体系的局部损坏而耗散。作为一种合理的方法，耗能器可用于防止结构的局部损坏。阻尼器是目前最广泛使用的耗能和加固各种结构的工具之一。最近，学者和工程师得出这样的结论：阻尼器是减少强地面运动对结构地震反应的良好选择。同时，由于 VD 具有极高的能量耗散能力、较大的磁滞回线和易于安装，因此得到了广泛的应用。VD 可显著提高结构等效阻尼
从表面微机械微机械结构中进行超临界二氧化碳溶剂萃取
薄膜沉积、微米级图案化以及制造低应力薄膜的能力相结合，构成了表面微机械结构，其特征具有柔顺性，并且彼此或与基板紧密贴合。如果一个柔顺特征与相邻特征或基板接触，则表面之间可能会发生永久粘附。这可能发生在两个不同的时间。首先，当结构在牺牲释放蚀刻后干燥时，相邻表面毛细管状空间中截留的液体弯月面减少产生的表面张力可以将特征拉向彼此或基板 1, 2。强粘附力（在微力学中称为粘滞力）可能导致设备永久粘附，从而导致设备干燥后产量低得令人无法接受。表面也可能相互接触并在稍后的时间（例如在设备运行期间）保持粘连，从而导致可靠性故障。这两种故障中的后者可能成本更高。已经提出了各种机制来解释粘连的原因 1-6 。据报道，从冲洗液中沉淀出来的固体杂质会粘附两个表面，这是原因 1, 2 。结果表明，疏水设备之间的粘连的主要方式是通过范德华力，而范德华力和氢键都是造成亲水表面粘连的原因 3 。其他研究表明，多晶硅表面的吸附水是造成粘连的原因 4, 5 。静电吸引力也被认为是造成粘滞的原因 6 。有关粘滞力的综述，请参阅参考文献 2 和 3。已经做了大量工作来解决表面微机械结构中的粘滞故障 7-25 。除了保持无杂质的释放和冲洗工艺外，还应用了许多技术来提高产量和长期可靠性。冷冻升华是一种常用的提高产量的技术 7-11 。使用这种方法，将设备浸入溶剂（或溶剂混合物）中，然后冷冻。通过升华固化的溶剂（或溶剂混合物），可以避免液-气界面。Guckel 等人首次使用 MeOH 和 H 2 O 混合物进行冷冻升华来干燥微机械部件。7 。环己烷 8、9、叔丁醇 10 和对二氯苯 11 等溶剂也已升华以干燥设备。其他提高产量的技术包括使用光刻胶 12 或二乙烯基苯 13
快速入门指南
■ 出于测试目的，USB 键盘效果最佳。无线和红外键盘传输可能会产生干扰或导致测量不准确。■ 如果使用 CNS VS Online - 必须禁用按键加密软件（如果已安装）粘滞键 - 已禁用■ Windows10：设置 > 轻松访问 > 键盘 > 粘滞键 > 关闭屏幕保护程序设置为“无”■ Windows 10：设置 > 系统 > 电源和睡眠 > 屏幕和睡眠 > 将所有四个设置为从不所有电源选项设置为“从不”；或至少 2 小时■ Windows 10：设置 > 系统 > 电源和睡眠 > 屏幕和睡眠 > 将所有四个设置为从不日期 - 正确设置■ Windows 10：系统托盘，右键单击时钟 - 调整日期/时间Microsoft e-home红外 - 已禁用■ 拔下红外接收器并保持红外接收器未插上电源。■ 不应为红外接收器加载任何驱动程序■ 或者将红外驱动程序更改为“HID 兼容设备”并重新启动。默认情况下，它使用 MCIR 109 键盘驱动程序 - 这是一个日语键盘驱动程序，似乎会导致问题。红外接收器应该仍然有效。如果您不熟悉这些项目，我们建议咨询当地的 IT 专家，他们可以帮助您调整设置。
头条发现 - 2009 年春季，第 5 卷，第 1 期
卡西米尔效应是一种量子级吸引力，最早由俄罗斯科学家于 1961 年描述。想象一下，两块平行的金属板在真空中紧密地放在一起。在真空中，量子粒子瞬息万变。它们与其他物质的短暂相互作用足以推动金属板。现在想象一下，金属板彼此非常接近，以至于空间限制了它们之间可以容纳的量子粒子的大小（而每块金属板的另一侧没有这种限制）。卡西米尔效应表明，这种限制导致来自金属板外表面的压力超过金属板相对侧的压力，将它们推到一起，使它们粘在一起。这种效应可以使小物体（理论上是纳米机器）的运动部件粘在一起，产生“粘滞”。
排斥卡西米尔力和范德华力
材料表面之间电磁场的约束会导致后者之间产生力，这是由于前者的量子涨落造成的，这种力有许多有趣的特点。首先，这种力代表了真空量子性质的宏观表现，可以用当前的实验技术测量。其次，对自然界中的几种现象进行仔细研究后，有强有力的证据表明，粘附、摩擦、润湿和粘滞从根本上说是这些量子涨落的结果。第三，随着设备不断向纳米级小型化，设计物体间真空涨落的能力可能为改进设备架构、组装方法或功能铺平道路。在本文中，我们将简要讨论最近对长距离和短距离排斥力的测量、未来实验的测量方案，以及利用修改真空涨落约束产生的这些力的能力的技术机会。
临床标准
• 对无疾病表现的人群进行甲型肝炎病毒 (HAV) 暴露前和暴露后（2 周内）预防 • 对易感人群进行麻疹（风疹）暴露后（6 天内）预防和治疗 • 当无法获得水痘带状疱疹免疫球蛋白时，治疗水痘 • 对不考虑堕胎的暴露于病毒的孕妇治疗风疹 疾病控制中心 (CDC) 和免疫实践咨询委员会 (ACIP) 的建议和指南阐明了在这些情况下使用该药物，尤其是考虑到其他有效疫苗。 GamaSTAN (S/D) 禁用于具有抗 IgA 抗体的 IgA 缺陷患者。 GamaSTAN (S/D) 有血栓形成的方框警告。在没有已知风险因素的情况下，也可能发生血栓形成。血栓形成的危险因素可能包括：高龄、长期不动、高凝状态；静脉或动脉血栓病史；使用雌激素；留置中心血管导管；高粘滞血症；心血管危险因素。对于有血栓风险的个体，不应超过推荐剂量的 GamaSTAN。给药前应充分补水，并评估血栓的体征和症状。
二氧化硅的各向异性气相 HF 蚀刻以释放 Si 微结构
制造微机电系统 (MEMS) 的两种主要方法是体微加工技术和表面微加工技术。在体微加工的情况下，可移动结构的制造是通过选择性蚀刻掉结构层下面的处理基板来完成的，而在表面微加工中，一系列薄膜沉积和对堆栈中特定层（称为牺牲层）的选择性蚀刻产生最终所需的悬浮微结构。这两种 MEMS 制造方法的关键步骤是控制释放区域，从而精确定义柔顺机械结构锚 [1]，如图 1 a 和 b 所示，显示了锚的底蚀。湿法或干法蚀刻工艺都可以去除牺牲层，使用前一种方法会遇到粘滞，而后一种方法会引入污染或残留物 [2]。选择牺牲层时需要考虑的重要设计因素包括：(i) 沉积膜的均匀性和厚度控制、(ii) 沉积的难易程度、(iii) 蚀刻和沉积速率、(iv) 沉积温度以及 (v) 蚀刻选择性。光刻胶由于易于蚀刻（使用氧等离子体或有机溶剂）且不会损害大多数结构材料而被用作牺牲层 [3–6]。然而，该工艺仅限于低温