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半导体工程学系固态电子组Department of Microelectronics ...
合计 71 16 16 17 11 9 2 本系最低毕业学分为 130 学分 Minimum Credits(130 credits) must be completed 全校共同 24 学分、专业必修 71 学分、自由选修 2 学分、专业选修（必选） 18 学分、其他非通识专业 自由选修 15 学分（限理工相关课程且程式语言课程仅可认列一门） 24 credits University Core Curriculum 、 71 credits Major Required Courses 、 2 credits from chosen elective courses 、 18 credits Professional Electives (Required) 、 15 credits from optional non-general education courses in fields required by the major (Limited to STEM-related courses and only one programming language course can be counted)
半导体工程学系固态电子组
【半导体工程学系的优势】【半导体工程学系的优势】，每学期定期举办全系导生活动，每学期定期举办全系导生活动，24 小时开放之教学实验室、学生读书室、学生图书室及研讨室。 小时开放之教学实验室、学生读书室、学生图书室及研讨室。※，（如台积电）暑期实习。（如台积电）3+2 uiuc电机所双联（uiuc电机所双联）（uiuc电机所双联）※※※※※※※※，补助出国奖学金至国外大学进行交换学生（一学期或一学年），补助出国奖学金至国外大学进行交换学生（一学期或一学年）欢迎与半导体工程学系联系（一学期或一学年）欢迎与半导体工程学系联系https://nano.nycu.edu.tw：（1）请务必于113/4/5（五）至113/5/5（2）至半导体工程学系官网填写出席调查回条。（2）5/17（2）5/17（2）5/17（五）
厚度对Ni/GaAs体系固相反应的影响
摘要：为研究 Ni 与 GaAs 衬底之间的固相反应，利用磁控溅射技术在 GaAs 衬底上生长不同厚度的 Ni 薄膜，并进行原位 X 射线衍射 (XRD) 退火。利用原位和非原位 XRD、极图和原子探针层析成像 (APT) 研究了厚度对金属间化合物形成的影响。结果表明，20 nm 厚的 Ni 薄膜与 GaAs 衬底呈现外延关系，沉积后为 (001) Ni//(001) GaAs 和 [111] Ni//[110] GaAs。增加薄膜厚度会导致 Ni 薄膜织构的变化。这种差异对 Ni 3 GaAs 的形成温度有影响。该温度随着厚度的增加而降低。这是由于初始 Ni/GaAs 界面的相干/非相干性质所致。Ni 3 GaAs 相在约 400 ◦ C 时分解为二元和三元化合物 xNiAs 和 Ni 3 − x GaAs 1 − x。与 Ni 3 GaAs 类似，第二相的分解温度也取决于 Ni 层的初始厚度。