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摘要:随着半导体行业在过去几十年的迅猛发展,其对环境的影响也日益令人担忧,包括淡水的抽取和有害废水的产生。四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是半导体废水中不可避免的有毒化合物之一,应在废水排放前去除。然而,很少有经济实惠的技术可以去除半导体废水中的 TMAH。因此,本研究的目的是比较不同的处理方案,如膜电容去离子 (MCDI)、反渗透 (RO) 和纳滤 (NF),用于处理含有 TMAH 的半导体废水。进行了一系列台式实验装置,以研究 TMAH、TDS 和 TOC 的去除效率。结果证实,MCDI 工艺和 RO 一样表现出很强的去除能力,而 NF 在相同的恢复条件下无法充分去除。 MCDI 对包括 TMA+ 在内的一价离子的去除率高于二价离子。此外,在碱性溶液中,MCDI 对 TMA+ 的去除率高于在中性和酸性条件下的去除率。这些结果首次证明了 MCDI 在处理含有 TMAH 的半导体废水方面具有巨大潜力。