使它们适合于纳米素质,纳米传感,纳米电子等学科等。[5]。有许多类别的纳米线,根据其组成,结构和特性进行分组。•半导体纳米线:这些是使用硅,硝酸盐或氧化锌等半导体材料生产的,并在电子和光子学中广泛使用,用于半导体,太阳能电池,太阳能电池和光发射diodes(LEDS)等。[6]。•金属纳米线:这些由金,银或铜等金属元素组成,并用于导电电极/膜等应用中,作为化学过程的催化剂等。[7]。•氧化物纳米线:这些纳米线是使用金属氧化物(如二氧化钛或氧化铁)产生的,并用作传感器,催化剂和基于能量的储存电子[8]。•碳纳米管:具有类似于纳米线的特性的空心纳米结构。他们在电子,材料科学和生物医学工程中有应用[9]。•混合纳米线:这些由不同的
克里斯汀·斯塔贝尔·本恩·特里安塔菲洛斯·查瓦基斯·丹妮卡·陈·罗宾·乔杜里·马齐亚尔·迪万加希·乔治·哈吉申加利斯·梅兰妮·哈蒙·莉迪亚·卡拉法蒂·凯瑟琳·Y·金·杨李·阿瑟·利斯·伊奇罗·马纳贝
Takeshi KOSUGI *****、Yusuke ICHIKAWA *****、Takayuki UKAI ***** 和 Toshiki KASAHARA *****
维格纳负性作为非经典性的著名指标,在连续变量系统的量子计算和模拟中起着至关重要的作用。最近,已经证明爱因斯坦-波多尔斯基-罗森转向是两个远程模式之间产生维格纳负性的先决条件。受现实世界量子网络需求的推动,我们从定量的角度研究了多部分场景中生成的维格纳负性的可共享性。通过建立类似于广义 Co ffiman-Kundu-Wootters 不等式的一夫一妻制关系,我们证明了维格纳负性的量不能在不同模式之间自由分布。此外,对于光子减法(实验实现的主要非高斯运算之一),我们提供了一种量化远程生成的维格纳负性的通用方法。通过这种方法,我们发现高斯可控性和产生的维格纳负性的数量之间没有直接的定量关系。我们的研究结果为利用维格纳负性作为基于非高斯场景的众多量子信息协议的宝贵资源铺平了道路。
摘要:本文报道并实验证明了一种基于微球嵌入法布里-珀罗干涉仪 (FPI) 的高灵敏度、低温度串扰应变传感器。该传感器通过将微球嵌入锥形空芯光纤 (HCF) 中而制成,而光纤的两端由两根标准单模光纤 (SMF) 包围。在 SMF/HCF 界面和微球表面发生的反射导致三光束干涉。通过控制锥形 HCF 的直径和嵌入微球的尺寸可以灵活改变形成的 FPI 的腔长,并且反射光谱的最大消光比 (ER) 大于 11 dB。这种新颖的微球嵌入 FPI 结构显著提高了传统 FPI 在应变测量中的传感性能,可提供 16.2 pm/με 的高应变灵敏度和 1.3 με 的分辨率。此外,还证明了该应变传感器具有0.086 με/ o C的非常低的温度-应变交叉敏感性,大大增强了在精密应变测量领域的应用潜力。