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基于多个电流水平增量容量峰值跟踪的锂离子电池 SoH 估算，适用于在线应用
基于多个电流水平下的增量容量峰值跟踪的锂离子电池 SoH 估算，用于在线应用 M. Maures a,* 、A. Capitaine a 、J.-Y. Delétage a 、J.-M. Vinassa a 、O. Briat aa Univ. Bordeaux, CNRS, Bordeaux INP, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, 法国 摘要 本文提出了一种基于增量容量 (IC) 峰值跟踪的高 C 速率健康状态 (SoH) 诊断方法的扩展。使用一组经过不同老化协议的 11 个 NCA 锂离子电池。以 C/20、C/10、C/5 和 C/2 进行充电和放电循环，然后用于 IC 分析。给出并建模了 IC 峰值变化与 SoH 之间的相关性，并显示它们是所有测试 C 速率的准确估计量。 1. 简介 由于对新可再生能源解决方案的强劲需求，如交通运输领域的电动汽车 (EV) 和多电动飞机 (MEA)，或能源领域的电网电池存储，锂离子电池市场正达到历史最高水平。与其他应用相比，这些系统中的电池将面临更为严酷的工作条件：更高的功率和更大的温度变化，这两者都会严重影响电池的退化 [1,2]。因此，有必要跟踪它们的健康状态 (SoH) 并确定何时达到其使用寿命（对于特定应用）。SoH 通常定义为电池在给定时间的最大容量与其初始最大容量之比 [3]。存在不同的估算方法来量化电池的 SoH [4]：基于容量或阻抗、使用弛豫电压或基于增量容量 (IC) 或差分电压 (DV) 曲线。IC 分析提供了有关电池内部退化模式的重要信息 [5,6]，因为每个峰值都是电池内部材料相变的结果 [7]。然而，正因为如此，IC 曲线通常是通过非常缓慢的充电/放电获得的 [8,9]，这限制了它们的实用性。尽管如此，还是有人提出了基于 IC 峰的几何特性来量化电池 SoH 的估算方法。特别是，[8,9] 表明特定 IC 峰和谷的位置与 SoH 之间存在线性相关性，而 [8] 也表明
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正常条目：1。至少五个“ O”水平主题，包括英语语言，物理科学或物理学以及C级或更好的数学和 - ：2。2.'A' level passes in Mathematics and Physics and any one science subject as follows: Biology, Agriculture, Geography, Chemistry, Technical Graphics and Food Science Special Entry: Candidates who hold a National Diploma in Education with specializations in the following: Physics and Mathematics OR candidates who hold a National Diploma in Agriculture, Agricultural Engineering, Civil Engineering, Surveying, Mechanical Engineering or any other relevant Diploma Mature条目：至少是国家农业，农业工程，土木工程，测量，具有相关经验的机械工程的文凭。
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rs。1200/ - 对于一般（UR）/OBC-NCL/EWS考试模式：基于计算机的客观测试试验纸模式：多项选择问题•候选人希望出现GAT-B 2024可能会读取有关GAT-B 2024的详细信息公告，该信息公告托管于以下位置：o https：ohttps://dbt.nta.ac.ac.in/ o https://rcb.res.in/dbtpg/upload/gatb_information_bulletin_2024.pdf•参与机构/大学和GAT-B 2024的参与机构列表，请访问：
Kristina Kutukova 是德累斯顿 deepXscan GmbH 的 X 射线应用专家。她的职责包括开发和演示一款
Kristina Kutukova 是德累斯顿 deepXscan GmbH 的 X 射线应用专家。她的职责包括开发和演示高分辨率 X 射线成像的广泛应用。Kristina Kutukova 于 2016 年在德国德累斯顿国际大学和俄罗斯托木斯克理工大学获得无损检测双硕士学位。她的博士论文针对微电子产品的机械坚固性，研究片上互连堆栈中的微裂纹扩展。5 年多来，她一直在德国德累斯顿弗劳恩霍夫陶瓷技术与系统研究所的微电子材料和纳米级分析系担任研究员。她的研究领域是高分辨率 X 射线成像，特别是为微电子和电池应用设计、开发和集成原位和操作设置到 X 射线显微镜和纳米 XCT 系统中。 Kristina Kutukova 是欧洲纳米分析研讨会科学委员会成员，该研讨会每年在欧洲材料研究学会 (E-MRS) 秋季会议期间举行。
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