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World File Search System结上
切碎折叠共源共栅体驱动 OTA
本文使用的核心 OTA 是体驱动 OTA [4]，其中与模拟电路有关的一个重要因素是，未来标准 CMOS 技术的阈值电压预计不会比目前的阈值电压低很多。为了克服阈值电压，人们使用了体驱动 MOSFET，众所周知，阱源结上的反向偏置会导致阈值电压增加 [5]，[6]。同样，此结上的正向偏置会导致阈值电压降低。
第20届东亚几何拓扑会议
房间3 13：30–13：50在大道（Kindai University）在同源球的结上纯粹是整容手术和Casson-Walker In-raniant 13：55-14：15 Yuta Nozaki（Yokohama National University Yuta Nozaki（Yokohama National University youkohama National University）中相关渐变元素的元素40：40：40：40：40：40：40：40：40：40：40：40：40：40：40：40：40： Tatsumasa Suzuki（Meiji University）关于Pochette手术及其概括14：45-15：05 Seungwon Kim（Sungkyunkwan University）非剪裁，交替的联系，在4孔
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。
案例研究 - 玛鲁贝农村可恢复 - 能源 -
免责声明：该出版物是在欧盟的财政支持下制作的。其内容是作者的唯一责任，不一定反映欧盟的观点。- 有需要的人（PIN）是一个非政府，非营利组织，致力于帮助人们打击贫困，克服灾难并支持他们康复。它的价值观建立在人文主义，自由，平等和团结上。PIN是Alliance 25的成员，该联盟是一个由七个从事人道主义援助和发展项目的欧洲非政府组织组成的战略网络。这种合作在目标国家和旨在影响欧洲政治家和公众态度的运动中提高了效力。有需要的人/člověkvtísnio。 p。 Sšafaêíkova635/24 120 00，Praha 2当地办公室地址：Sitio Alisyao，Mondragon，北萨马尔，菲律宾北部，菲律宾报告作者：Edwin R. Celestino，博士学位。
云端的量子计算硬件
图 1 (A) 来自参考文献 [23] 的同心 transmon 量子比特设计及其等效电路图（插图）。两个超导岛（绿色和蓝色）由一个小的约瑟夫森结桥（橙色）分流。使用共面波导谐振器（红色）读出量子比特状态。该读出谐振器电感耦合到信号线（黑色）。（B）transmon 量子比特的状态由约瑟夫森结的正弦电位（黑色实线）决定。在相位基（Δφ）中求解，特征能量（实线）可以用谐振子（虚线，相应颜色）来近似，其简并性通过结上的电容充电能量的一阶校正来消除[24 – 26]。（C）布洛赫球面图。基态 j 0 i 和第一个激发态 j 1 i 用于定义量子比特的逻辑状态 j ψ i ，它是 j 0 i 和 j 1 i 的线性组合，具有各自的复振幅 α 和 β 。j ψ i 可以通过电压脉冲和门控操作进行操纵，并通过投影到指定的测量基础上进行读出
2024_BCICTS-高级计划草案-08.14.JP_MDR.pdf
摘要：单晶半导体衬底上的外延和薄膜形成工艺直接实现了各种复杂的 III-V 异质结器件设计，因此决定了最终的电子或光电器件性能。III-V 异质结不仅包括结上掺杂剂种类变化的概念，更重要的是，还包括半导体晶体的变化，从而区分了 III-V 器件设计选项以及与硅基器件相比的伴随性能优势。最早的商业化实例是 AlGaAs/GaAs 结，它利用能带隙差异来设计电荷载流子限制。GaAs 的带隙比 AlGaAs 窄，并且可以通过精确控制 Al 的成分来“调整”AlGaAs 的带隙。数十年的研究已经导致整个半导体光谱中 III-V 异质结化合物的开发；元素周期表的 III 列中的 B、Al、Ga 和 In，以及 V 列中的 N、P、As 和 Sb。该演讲将深入探讨 III-V 外延和薄膜沉积技术、关键工艺考虑因素、异质结挑战和局限性等主题，并提供对未来机遇的看法。
CQSE 与 NCTS 联合研讨会
将二维材料（如石墨烯）与超导量子电路集成是寻找新型量子计算器件的一个新兴课题，因为它具有出色的导电性和二维门控特性。已经报道了一些关键的观察结果，例如门可调量子比特能量、拉比振荡和 36 纳秒（51 纳秒）尺度的量子比特弛豫时间 T1（失相时间 T2 ∗ ）[1]。拓扑材料由于其受拓扑保护的表面和边缘态可以作为承载超流的稳健通道，也是用于基于二维材料的量子计算器件的有希望的候选材料 [2-3]。此外，STS 结（S 为超导体，T 为拓扑材料）自然提供了一个探索与马约拉纳束缚态 (MBS) 相关的物理的平台。在本次演讲的第一部分，我将回顾这一领域，并介绍我们实验室中一些与二维腔集成的量子电路 [4]。另一方面，基于 3D 腔的超导量子比特具有允许在其组成约瑟夫森结上进行直流传输测量的优势。在本次演讲的第二部分，我将介绍我们最近在表征铜 3D 腔中的通量可调石墨烯量子电路方面的工作。
2019 财年无国界医生组织-MEDC 年度报告
密歇根州立法机构成员 来自：马克·伯顿，总裁 密歇根战略基金 主题：2019 财年 MSF-MEDC 年度报告 密歇根战略基金 (MSF) 需要向州长和密歇根州立法机构提交一份年度报告，总结上一财年的活动和项目支出。此要求包含在《密歇根战略基金法案》（1984 PA 270）和预算样板中。附件是 MSF 和密歇根州经济发展公司 (MEDC) 的年度报告，符合 2019 年公共法案 56 第 1004 节的要求，以及 MSF 法案第 9 节（MCL 125.2009）中规定的合并 MSF 法案报告要求。此外，报告最前面还有一份执行摘要，其中提供了年度活动回顾快照。为了进一步整合立法报告，附件还包括以下预算样板报告。 • 密歇根州商业发展计划和密歇根州社区振兴计划修正案 – 第 1006 节 • 企业预算、收入、支出/活动以及州与企业全职员工 – 第 1007 节 • 密歇根州投资基金就业 – 第 1010 节 • 密歇根州电影激励状况 – 第 1032 节 • 密歇根州电影与数字媒体办公室活动 – 第 1033 节 • 企业孵化器和加速器年度报告 – 第 1034 节 附件中还包括社区学院熟练工种设备计划 (CCSTEP) 的年度状况报告，该计划目前由劳工和经济机会部劳动力发展部管理。如果您有任何疑问，请联系 MEDC 政府关系办公室，电话 517.335.1847。 附件抄送： Chris Kolb，州预算主任 Chris Harkins，参议院财政机构主任 Mary Ann Cleary，众议院财政机构主任 Margaret O'Brien，参议院秘书 Gary Randall，密歇根州众议院书记员
探索基于纳米线的超导量子位的半导体约瑟夫森结
本论文研究基于近端 InAs/Al 纳米线的超导量子比特。这些量子比特由半导体约瑟夫森结组成，并呈现了 transmon 量子比特的门可调导数。除了门控特性之外，这个新量子比特（gatemon）还根据操作方式表现出完全不同的特性，这是本论文的主要重点。首先，系统地研究了 gatemon 的非谐性。在这里，我们观察到与传统 transmon 结果的偏差。为了解释这一点，我们推导出一个简单的模型，该模型提供了有关半导体约瑟夫森结传输特性的信息。最后，我们发现该结主要由 1-3 个传导通道组成，其中至少一个通道的传输概率达到大于 0.9 的某些门电压，这与描述传统 transmon 结的正弦能量相位关系形成鲜明对比。接下来，我们介绍了一种新的门控设计，其中半导体区域作为场效应晶体管运行，以允许通过门控设备进行传输，而无需引入新的主导弛豫源。此外，我们展示了传输和过渡电路量子电动力学量子比特测量之间的明显相关性。在这种几何结构中，对于某些栅极电压，我们在传输和量子比特测量中都观察到量子比特谱中的共振特征。在共振过程中，我们仔细绘制了电荷弥散图，在共振时，电荷弥散显示出明显抑制的数量级，超出了传统的预期。我们通过几乎完美传输的传导通道来解释这一点，该通道重新规范了超导岛的电荷。这与开发的共振隧穿模型在数量上一致，其中大传输是通过具有近乎对称的隧道屏障的共振水平实现的。最后，我们展示了与大磁场和破坏性 Little-Parks 机制中的操作的兼容性。当我们进入振荡量子比特谱的第一叶时，我们观察到出现了额外的相干能量跃迁。我们将其解释为安德烈夫态之间的跃迁，由于与 Little-Parks 效应相关的相位扭曲，安德烈夫态在约瑟夫森结上经历了路径相关的相位差。这些观察结果与数值结模型定性一致。