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制作轨道2024第2期
除了这一突发新闻之外，由于您的支持，APNM的勤奋工作人员已经花费了2024年的计划来扩展关键的国家系统和相关的国家资金，这将有助于确保在我们的结界中对动物的人道处理。60天，2025年的州立法会议即将到来，在此版本中，我们分享了我们分享我们努力创造持久资金（通过州信托基金）的详细信息，以使许多狗，猫和马庇护所都受益，这些狗，猫和马庇护所每年都会收养成千上万的无家可归的动物。此外，我们还将努力制定更强大的法律，以帮助确保自由漫游马匹的人道成果，受家庭暴力伤害的动物以及许多其他动物依靠我们在州议会大厦上强烈的声音。
NiO/β-TiO2不稳定性实验研究...
摘要：制备了NiO/β-Ga2O3异质结栅场效应晶体管（HJ-FET），并通过实验研究了在不同栅极应力电压（VG,s）和应力时间（ts）下器件的不稳定性机制。发现了器件在负偏压应力（NBS）下的两种不同退化机制。在较低的VG,s和较短的ts下，NiO体陷阱捕获/脱捕获电子分别导致漏电流的减少/恢复。在较高的VG,s或较长的ts下，器件的传输特性曲线和阈值电压（VTH）几乎永久地负移。这是因为界面偶极子几乎永久地电离并中和了异质结界面上的空间电荷区（SCR）中的电离电荷，导致SCR变窄。这为研究NiO/β-Ga2O3异质结器件在电力电子应用中的可靠性提供了重要的理论指导。
schottky-barrier-fare vdw联系人在2D Penta-Nin2/ ... div>中
摘要：Schottky-Barrier-Far van der Waals（VDW）金属 - 半导体异质结构具有很大的潜力，可以克服具有出色设备功能的电子设备的接触电阻问题。然而，设计此类异质结构的长期挑战是在异性结界找到具有完美匹配的电子能级和带对齐方式的材料。为了应对这一挑战，我们提出了一种新型的VDW异质结构，由二维pentagonal pentagonal nigzenide（penta-nin 2）[ACS Nano 15，13539-13546-（2021）]（2021）]和Biphenylene Network（BPN）（BPN）[Science 372，852-852-856）（2021-2021）（2021）（2021）在异质结界面的通道和金属电极材料。基于第一原理的计算，我们发现垂直堆叠的五角星2和bpn可以形成相应的异质结构，而晶格不匹配可忽略0.15％，并且它们的内在电子特征是良好的，形成了VDW接触。更有趣的是，我们表明，这种堆叠导致垂直界面处的无孔式伴侣P型触点，这表明横跨异质结的无电阻孔传输。与传统的基于五角大楼的VDW堆栈不同，异质结构和半导体通道的电子能带在异质结的横向界面处很好地对齐。这些结果表明，Penta-Nin 2 /BPN可能是开发低电阻和高速野外效应晶体管和光电设备的有前途的候选人。