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World File Search System绝缘电阻
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测试方法 方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键拉力试验） 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部视觉和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部视觉（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
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测试方法 方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.9 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.8 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.14 密封 1015.10 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.1 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.3 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.11 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.11 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键拉力试验） 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.10 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
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测试方法 方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键拉力试验） 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
验证杜邦LTCC 951系统的替代ROHS符合ROHS的糊状
摘要限制了某些危险物质（ROHS）的使用限制于2006年7月1日生效。设备程序需要从其供应商那里获得材料声明或合规证书。某些豁免该法规，例如RF端口和某些医疗应用，仍然允许使用不合同材料的LTCC产品生产LTCC产品。但是，对没有镉或铅的LTCC产品的需求不断增长。自2006年底以来，杜邦（Dupont）一直为已建立产品提供无CD的AU糊状物。用于连接的内部和外部导体，AU糊5734经常使用LTCC制造商使用。替代的ROHS填充糊为CDF34型。对于销钉，选项卡和框架悬挂，AU糊剂5062D（粘附层）和5063D（屏障层）的组合是MSE的LTCC零件的首选。无CD版本是5062E型和5063E。MSE根据一个全面的测试计划验证了所有三个新糊状，该计划包括五个不同的CDF34测试布局，另外两个用于5062E和5063E。同时构建了Corre-sponds的参考部分，以具有确切的比较功能。CDF34的验证包括对键合的研究以及电阻终止，VIA和粘合键组件的可靠性。此外，测试了横向迁移（绝缘电阻）。5062E和5063E验证包括焊接组件的可靠性，焊接垫中的VIA以及框架和底板的焊接。不同的测试单元包括视觉检查，横截面，初始测量和热循环后的结果，热休克，温度和湿度暴露。
PME 和 BME 陶瓷电容器的可靠性问题
本研究回顾了低压贵金属电极 (PME) 和贱金属电极 (BME) 多层陶瓷电容器 (MLCC) 的可靠性问题。特别关注有缺陷（尤其是有裂纹）的电容器的退化和故障。使用一般对数线性威布尔模型，基于漏电流退化率分布的近似计算了温度和电压可靠性加速因子。结果显示，有缺陷的 BME 和 PME 电容器的行为存在很大差异。讨论了在潮湿和干燥环境中退化和故障的机制以及高加速寿命测试 (HALT) 期间电容器过载的风险。关键词：陶瓷、电容器、BME、PME、可靠性、退化、开裂。 1. 简介 低压（额定电压低于 200 V）MLCC 的两个主要可靠性问题是：(i) 与氧空位（VO ++ ）迁移相关的绝缘电阻（IR）下降，以及 (ii) 与焊接或焊后应力引起的开裂相关的故障。 第一个问题主要出现在商用 BME 电容器中，而后者主要出现在 PME 电容器中，直到最近，PME 电容器才成为高可靠性电容器中唯一使用的类型，尤其是用于空间应用的电容器。 将 BME 电容器插入空间系统需要更好地了解下降和故障机制及其与传统使用的 PME 电容器的区别。 2. 可靠性加速因子 使用监控 HALT 研究了不同类型 BME 电容器中 IR 的固有下降。 初始阶段的电流下降用线性函数近似（见图 1）以确定下降速率 R 。
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测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
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测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
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测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
变更 3 压接、连接电缆、线束和
- 第 iii 页：更新访问 NASA 技术标准的 URL。正确的 URL 为 http://standards.nasa.gov/ - 第 iii 页：将对 NASA 5300.4(3J- 1) 和 NASA 5300.4(3M) 的引用分别更新为 NASA-STD- 8739.1 和 NASA-STD-8739.2。 - 第 iv 页：插入修订页面并相应重新编号目录。 - 第 2.1 段将 NHB 8060.1 的引用更改为 NASA-STD-6001，将 NHB 1700.1(V1) 的引用更改为 NPR 8715.3。 - 第 3.2 段从缩略词列表中删除 NHB，并将 NPR 添加到缩略词列表中 - 第 4.3 段第 4 条：将句子更改为“压接。压接时应使用绞合线。禁止压接实心线。”禁止压接镀锡绞线。” - 第 5.7 段：将培训中心地址更改为：GSFC，培训中心，编号 300.1，7000 Columbia Gateway Dr.，Columbia，MD。21046 - 第 6.8 段：将句子改为：“按照 ASTM-E-595 进行测试时，在真空或低压下使用的所有材料释放的总质量损失 (TML) 不得超过 1.0% 并且收集的挥发性可凝性物质 (CVCM) 不得超过 0.1%。 - 第 6.8 段：将第二句中的“NHB 8060.1”更改为“NASA-STD- 6001”。 - 第 7.3 段第 11 号将 NHB 8060.1 更改为 NASA- STD-6001 - 第 9.7 段：将胶带“可应用于捆扎”更改为“应应用于捆扎”。 - 第 14.1 段将 NHB 1700.1 更改为 NPR 8715.3 - 第 18.2 段第 6.c 号：对于绝缘电阻 (IR) 测试，将“至少 1 分钟，或按照测试程序中的规定”更改为“直到达到稳定读数，时间不超过 1 分钟，或按照测试程序中的规定”。