XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System网格分析
ccf-电子元件.pdf
[学分：4 (3Th + 1P)] ELT-H-CC-1-1-TH 课程名称：电路理论和电子设备基础 [学分：3；授课时数：45] UNIT-I [12 小时] 电路元件：电阻和电阻器：类型、颜色编码和额定功率，可变电阻器，电容和电容器：类型、颜色编码和额定电压，电感和电感器：类型、颜色编码，电感线圈，空心和铁心线圈，自感和互感，变压器。电路分析：电压和电流源的概念，与电感器相关的磁通漏守恒和与电容器相关的电荷，基尔霍夫电压定律，基尔霍夫电流定律，电压和电流源的变换，网格分析和节点分析，星三角网络和转换。直流分析：直流激励下串联 RL 和 RC 电路的瞬态响应。交流分析：电路参数响应、交流激励下串联 RL、RC 和 RLC 电路的频率响应、电感器和电容器的品质因数 (Q)、串联和并联谐振电路、Q 因数。网络定理：叠加定理、戴维南定理、诺顿定理、互易定理和最大功率传输定理。第二单元 [11 小时] 半导体基础：半导体材料：类型和特性，固体能带的概念：金属、绝缘体和半导体、本征和非本征半导体、P 型和 N 型半导体、能带图、有效质量的概念、直接和间接带隙半导体、费米能级、态密度、半导体中电流传导的机制（漂移和扩散）、漂移速度、迁移率、电阻率、电导率、霍尔效应（无推导）。结型二极管及其应用：PN 结：晶圆级结构、能带图、耗尽层、二极管方程和 IV 特性、理想二极管、静态和动态电阻、反向饱和电流、齐纳和雪崩击穿、齐纳二极管、作为电压调节器的齐纳二极管、整流器：半波整流器、全波整流器（中心抽头和桥式）、峰值反向电压、纹波系数、效率、线路调节率、负载调节率、变压器利用率、并联电容滤波器、泄放电阻器的概念。
大学赠款委员会净局
单元I对半导体的简介，固体中的能带，有效质量的概念，状态的密度，费米水平。pn连接，二极管方程和二极管等效电路，二极管中的故障，齐纳二极管，隧道二极管，金属半导体连接 - 欧米克和肖特基触点，JFET的特征和同等电路，MOSFET，MOSFET。低维半导体设备 - 量子井，量子线，量子点。高电子迁移式晶体管（HEMT），太阳能电池 - I-V特征，填充因子和效率，LED，LCD和柔性显示器。未来设备的新兴材料：石墨烯，碳纳米管（CNT），ZnO，SIC等。单元-II IC制造 - 晶体生长，外延，氧化，光刻，掺杂，蚀刻，隔离方法，隔离方法，金属化，粘合，薄膜沉积和表征技术：XRD，TEM，SEM，EDX，EDX，薄膜，薄膜和无源设备，MOS技术和Mos设备和莫斯设备和莫斯式的NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS和CMOS的缩放电压，NMOS和CMOS逆变器，电荷耦合设备（CCD） - 结构，电荷存储和传输，VLSI设计的基础，贴纸图，布局设计规则。单元III叠加，Thevenin，Norton和最大功率传递定理，网络元素，网络图，节点和网格分析。拉普拉斯变换，傅立叶变换和Z变换。时间和频域响应，被动过滤器，两个端口网络参数：Z，Y，ABCD和H参数，传输函数，信号表示，状态可变的电路分析方法，AC电路分析，瞬态分析，零和极点，Bode图。