Vassiliki Boussiotis,哈佛医学院Kenji Chamoto,CCII,CCII,京都大学希尔德·切罗特(Hilde Cheroutre),拉霍亚(La Jolla)免疫学研究所,圣裘德儿童研究医院Cristina Cristina Cristina Cristina Cristina Cristina Cristina Cristina Cristina Cristina,Stanford University,Stanford Univelsi哈格瓦尔,京都大学塔苏科大学,CCII,CCII,京都大学(开幕词)Juliana Idoyaga,加利福尼亚大学圣地亚哥卡尔大学,宾夕法尼亚大学nobuuki kakiuchi大学,托马斯·科普斯,托马斯·基普斯大学,加利福尼亚大学,加利福尼亚大学,加利福尼亚大学,加利福尼亚大学,加利福尼亚州kipps京都大学田纳西亚大学,卡利奥尼亚大学旧金山克劳斯·潘特尔大学,大学医学中心,汉堡 - 埃潘多夫大学,约翰·霍普金斯医学Eliane Piaggio大学面具塔吉马大学,CCII,京都大学Yosuke Togashi,冈山大学Suzane Louise Topalian,Johns Hopkins Medicine Hans Guaderel,Memorial Slon Kettering癌症中心圣地亚哥Zelenay,癌症研究
∗ 基金项目 : 科技创新 2030“ 脑科学与类脑研究 ” 重大项目 (2022ZD0208601), 国家自然科学基金 (62076250,62204204), 陕西
发表在预印本服务器bioRxiv 上 的论文尚未经过专家同行评审。预 计下个月,该公司将在美国基因和细 胞治疗学会年会上提交这篇论文。 与此同时,OpenCRISPR-1 或其变体 在多种生物体(包括植物、小鼠和人 类)中是否都能发挥作用还有待证 明。此外,技术的伦理和安全问题也 需要考虑。但令人兴奋的是,这些突 破性成果为生成式AI 开辟了一条新 途径,将对医学和健康领域产生广泛 影响,有望从根本上改变人们的基因 蓝图。
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中,我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响,以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略,从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层,这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比,相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列,从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质,以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
在半导体器件制造过程中,EUV 光刻技术必不可少,而光化学 EUV 掩模计量技术必不可少。在 PSI,我们正在开发 RESCAN,这是一种基于相干衍射成像 (CDI) 的平台,可以满足当前和未来的掩模检查分辨率要求。在 CDI 中,用相干光照射样品获得的衍射图案由像素检测器记录,这些衍射图案用于通过迭代相位检索算法重建物体的复振幅图像。虽然在传统光学系统中,像差会影响最终图像的分辨率,但 CDI 方法本质上是无像差的。尽管如此,仍需要仔细预处理衍射信号以避免重建图像中出现伪影。特别是,由于我们的系统以 6° 的入射角在反射模式下工作并使用平面检测器,因此有必要校正由于非远心性而导致圆锥失真的记录衍射图案。本文讨论了衍射数据预处理对重建图像质量的影响,并通过在 RESCAN 显微镜中应用优化的数据预处理流程展示了缺陷灵敏度的提高。结果,我们在光掩模上实现了低至 20 nm 的缺陷灵敏度,并在大视场中实现了均匀的图像质量。