秘钥是经过加密的,而秘钥加密的密钥受到公钥加密的保护。这里,拥有CRQC的攻击者可以采取攻击公钥加密部分的方法来获取通用密钥加密的密钥,然后使用该密钥解密通信内容。因此,即使对称密钥加密部分具有抗量子性,如果公钥加密部分具有量子脆弱性,则整个加密通信可能具有量子脆弱性。为了使此类加密通信对抗量子计算机,必须将公钥加密部分改为PQC,或者使用不依赖公钥加密的方法来保护它。但需要注意的是,当采用不依赖于公钥密码的方法时,可扩展性通常会降低。
摘要 飞行颤振测试是任何新飞机项目认证过程不可或缺的一部分。颤振测试是包线扩展的主要条件。本文总结了自主研发战斗机的颤振测试计划,以清除其基线配置的作战飞行包线。颤振清除所采用的方法包括飞行前颤振分析和飞行颤振测试相结合。通过沿着恒定马赫和/或恒定 CAS 线的离散步骤组合完成全包线扩展。通过处理飞行颤振测试数据并确保阻尼系数满足基于适航标准得出的清除标准,计算各种全局飞机模式的频率和阻尼系数(%g),从而获得清除。测试结果表明,正如分析估计所预测的那样,飞行包线无颤振。从设计师的角度概述了颤振清除原理、测试程序以及飞行测试期间遇到的挑战。
为了获得直接管理旅游活动的豁免,每个受助者都需提供 HUD 数据,证明存在特殊情况、旅游活动对经济复苏的必要性以及存在正当理由。此前,HUD 已提供最高金额和规定期限的旅游豁免,根据联邦公报中规定的 HUD 指定参数,将活动的资格限制在必要的范围内。旅游活动通常是一种“短期”恢复活动,需要在灾难发生后立即开展,以让公众意识到受影响地区正在恢复并恢复运营。
量子密钥分发 (QKD) 在存在潜在窃听者的情况下,为可信通信双方 (Alice 和 Bob) 提供了一种由量子力学保证的密钥共享方法 [1–3]。目前,有两种密钥分发方法:离散变量 (DV) QKD [4,5] 和连续变量 (CV) QKD [6–9]。其中,CVQKD 有两个主要优点。一方面,它避免了单光子计数的缺点。另一方面,它确保了标准光通信器件的兼容 [10,11]。CVQKD 的无条件安全性已经在信息论中在渐近情况 [12,13] 和有限尺寸范围内 [14–16] 得到证实,以抵御一般的集体窃听攻击。用于相干检测的强本振(LO)作为CVQKD系统的重要组成部分,可作为滤波器有效抑制噪声,但实际CVQKD系统的不完善之处导致存在潜在漏洞,危及通信系统的安全。由于Eve通过操纵LO进行截取-重发攻击,因此几乎所有的攻击都与LO有关[17-21]。例如,基于本地本振(LLO)的CVQKD系统通过将LO直接发送到接收端来防止LO相关攻击[22-25]。目前CVQKD的传输距离与离散变量系统相比有限,不适合长距离分布。在检测过程中,备受瞩目的无噪声线性放大器(NLA)是一种很好的工具,可以在保持较低起始噪声水平的同时增强相干态的幅度[26-29]。近年来,该装置的实用性已得到证实,为理论提供了令人信服的证据[30–35]。此外,在Bob的正交测量中,与实际探测器相关的缺陷导致了密钥速率限制[36]。为了弥补这一弱点,光放大器补偿技术提供了一种可行的解决方案,在特定情况下也可以提高传输距离[37–39]。本文提出了一种基于LLO的CVQKD方案,通过在检测端放置HLA,它由基于预测测量(MB)的NLA和基于NLA的NLA组成
自旋电子学领域的进步为技术提供了巨大的资源,使其在经典信息处理(如数据存储)的多个方面得到发展。现在,研究自旋电子学中尚未被广泛探索的量子信息途径至关重要。腔光磁学是一个新兴领域,它描述了磁振子与腔内电磁驻波的相互作用 [1,2]。磁振子与微波 (MW) 光子强烈相互作用,从而使得经典和量子信息处理和存储应用成为可能,这些应用具有相干操控的磁振子以及通信(光纤)和处理(超导量子比特)单元之间的上/下量子转换器 [3,4]。在本次演讲中,我们将从理论上探索经典和量子范围内微波腔中铁磁体的非线性,并评估量子信息的资源,即涨落压缩和二分纠缠 [5]。当包含所有其他磁振子模式时,我们使用非谐振子(Duffing)模型的(半)经典和量子分析对 Kittel 模式的稳态相空间进行分类。随后,我们计算了可蒸馏纠缠的非零界限,以及稳定态下混合磁振子模式二分配置的形成纠缠。在现实条件下,使用钇铁石榴石样品,可以在两个不同的光通道中通过实验获得预测的磁振子纠缠。[1] X. Zhang、C.-L. Zou、L. Jiang 和 HX Tang,Phys. Rev. Lett. 113, 156401 (2014)。[2] Y. Tabuchi、S. Ishino、T. Ishikawa、R. Yamazaki、K. Usami 和 Y. Nakamura,Phys. Rev. Lett. 113, 083603 (2014)。 [3] A. Osada、R. Hisatomi、A. Noguchi、Y. Tabuchi、R. Yamazaki、K. Usami、M. Sadgrove、R. Yalla、M. Nomura 和 Y. Nakamura,物理学家。莱特牧师。 116, 223601 (2016)。 [4] Y. Tabuchi、S. Ishino、A. Noguchi、T. Ishikawa、R. Yamazaki、K. Usami 和 Y. Nakamura,科学 349, 405 (2015)。 [5] M. Elyasi,YM Blanter,GEW Bauer,物理学家。修订版 B 101 (5), 054402 (2020)。
• 自动清洁:水和溶剂。 • 配备2个用于制作比色板的迷你舱。 • 仅需一个排气管道。 • 洗涤周期由计时器控制。 • 溶剂部分配备有冲洗泵。 • 适用于重力枪和吸力枪。 • 安全装置防止洗涤槽在使用过程中被打开:操作停止。 • 配备吹枪和气管,用于测试枪。 • 配备喷嘴和带鼓风机的软管,用于最后的冲洗。 • 通过气动文丘里系统进行气味通风。 • 符合法规要求的风速。 • 符合 ATEX ZONE 1 和 CE 标准。
汽车涂料系统加速老化试验的目的是在实际户外暴露试验结果出来之前确定长期老化性能。使用可靠的加速老化试验可以缩短新涂料系统的推出时间:溶剂排放量更低、涂装成本更低、耐刮擦、耐磨损和耐碎裂性能更好、外观变化更吸引客户的涂料系统。不幸的是,经过 50 多年的研究,尚不存在能够充分模拟所有涂料化学成分的自然老化条件的加速老化试验。然而,确实存在能够重现特定涂料化学成分在使用过程中老化性能的专门试验。此类试验是将多年的户外暴露试验结果与多年的加速老化试验结果相结合以产生相关性的最终结果。一旦为给定的涂料化学成分建立了相关性,该试验就成为该涂料化学成分的强大开发工具。但是,针对特定涂料化学成分量身定制的加速老化试验并不一定适用于其他涂料化学成分。事实上,将专门的耐候性测试视为通用测试会导致代价高昂的错误。因此,涂料供应商及其客户在采用新涂料化学成分或甚至看似微小的配方变化时都犹豫不决,因为这些变化可能影响到涂料的耐候性。
摘要 茶树(Camellia sinensis)广泛种植在酸性土壤中,铝(Al)毒性被认为是限制植物生长的主要因素。与大多数植物物种不同,茶树具有耐铝性并能积累高水平的铝。了解茶树耐铝性和积累的机制可能有助于改良茶树栽培和开发耐铝作物。在本综述中,我们总结了茶树对铝的吸收、运输和积累的最新进展,以及影响这些过程的遗传和环境因素。我们进一步重点介绍了基于组学方法对茶树铝的最新研究,包括转录组学、蛋白质组学、代谢组学、离子组学和微生物组学。我们提出了未来研究的前景,这将有助于阐明茶树耐铝性和积累的机制。
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围:+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能,源极关断漏电流(最大值)为 ±4.5nA,关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料,具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
[1] https://www.whitehouse.gov/briefing-room/statement-releases/2022/05/04/national-security-memorandum-on-promotim-on-promotim-promotit------------------------------ https://csrc.nist.gov/news/2023/three-draft-for-for-post-post-quantum-cryptography [3] https://www.whitehouse.gov/wp-content/uploads/2023/06/m-23-18-administration-cybersecurity-priorities-for-the-the-for-the-fy-2025-budget-budget-s.pdf