第 1 章 简介 1 1.1 简介 1 1.2 定子绕组绝缘系统 3 1.2.1 线束和匝绝缘 4 1.2.2 接地壁绝缘系统 5 1.2.3 应力分级系统 7 1.3 PWM-VSC 波形应力 8 1.3.1 非线性电压分布引起的应力 10 1.3.2 电缆长度的影响 12 1.3.3 局部放电 (PD) 侵蚀 13 1.3.4 空间电荷的后果 14 1.4 文献综述 18 1.4.1 电磁线涂层中的空间电荷积累、捕获和电荷注入 18 1.4.2 纳米填充电磁线的性能 20 1.4.3 建模 22 1.4.4 接地壁绝缘的评估 23 1.5 目的本论文的主要内容和论文组织 25 第 2 章 材料、实验装置和建模 27 2.1 简介 27 2.2 材料 27 2.2.1 磁线基材 27 2.2.2 磁线外涂层纳米填料 28 2.2.3 绝缘试验匝间试样 31 2.2.4 接地壁试验样品的制备 34 2.3 统计分析 35 2.3.1 威布尔分析 37 2.4 具有匝间应力的系统建模 38 2.4.1 有限元法 (FEM) 39 2.5 固体电介质中存储电荷的表征 40 2.5.1 热刺激去极化电流 (TSDC) 方法 41 2.5.2 存储电荷和捕获能级 43 2.6 实验装置43 2.6.1 PD 测量 44 2.6.2 使用红外摄像机进行温度测量 46 2.6.3 TSDC 测量 48 2.6.4 脉冲老化测试电路 50 2.6.5 用于表面粗糙度测量的 SEM 和图像工具软件 55
1.以 ZL6205 为例,先简单介绍一下 ........................................................................ 1 2.直接上拉使能 ........................................................................................................... 2 3.电阻分压使能 ........................................................................................................... 3 4.其他使能应用 ........................................................................................................... 4 5.免责声明 ................................................................................................................... 6
[1] MILLER DL, SMITH NB, BAILEY MR 等。治疗性超声应用和安全注意事项概述[J]。超声医学杂志,2012,31 (4): 623-634。[2] WANG J, ZHENG Z, CHAN J 等。用于血管内超声成像的电容式微机械超声换能器[J]。微系统纳米工程,2020,6 (1): 73。[3] JIANG X, TANG HY, LU Y 等。基于与 CMOS 电路键合的 PMUT 阵列的发射波束成形超声指纹传感器[J]。IEEE 超声铁电频率控制学报,2017,PP (9): 1-1。[4] CHEN X, XU J, CHEN H 等。利用多频连续波的 pMUT 阵列实现高精度超声测距仪[J]。微机电系统,2019 年。[5] CABRERA-MUNOZ NE、ELIAHOO P、WODNICKI R 等人。微型 15 MHz 侧视相控阵换能器导管的制造和特性[J]。IEEE 超声铁电和频率控制学报,2019 年:1-1。[6] LU Y、HEIDARI A、SHELTON S 等人。用于血管内超声成像的高频压电微机械超声换能器阵列[S]。IEEE 微机电系统国际会议;2014 年。[7] ZAMORA I、LEDESMA E、URANGA A 等人。用于成像应用的具有 +17 dB SNR 的单片 PMUT-on-CMOS 超声系统[J]。 IEEE Access,2020,页(99):1-1。[8] JUNG J,LEE W,KANG W 等。压电微机械超声换能器及其应用综述[J]。微机械与微工程杂志,2017,27 (11):113001。[9] BERG S,RONNEKLEIV A。5F-5通过引入有损顶层降低CMUT阵列中膜之间的流体耦合串扰[S]。超声波研讨会;2012年。[10] LARSON J D。相控阵换能器中的非理想辐射器[S]。IEEE;1981年。[11] NISTORICA C、LATEV D、SANO T 等。宽带宽、高灵敏度的高频压电微机械换能器[S]。 2019 IEEE 国际超声波研讨会(IUS);2019: 1088-1091。[12] 何丽梅,徐文江,刘文江等。基于三维有限元仿真的二维阵列压电微机械超声换能器性能和串扰评估[S]。2019 IEEE 国际超声波研讨会(IUS);2019。[13] PIROUZ A、MAGRUDER R、HARVEY G 等。基于 FEA 和云 HPC 的大型 PMUT 阵列串扰研究[S]。2019 IEEE 国际超声波研讨会(IUS);2019。[14] DZIEWIERZ J、RAMADAS SN、GACHAGAN A 等。一种用于NDE应用的包含六边形元件和三角形切割压电复合材料子结构的2D超声波阵列设计[S]。超声波研讨会;2009年。[15]徐婷,赵玲,姜哲,等。低串扰、高阻抗的压电微机械超声换能器阵列设计
冷战期间,欧洲北约盟国的国防支出平均占国内生产总值的 3% 以上,且随时间变化。冷战结束后,西方国家不仅大幅削减国防开支,还将军事研发削减 25% 或更多。从 2005 年到 2017 年,欧洲研发支出占国防总支出的比例从 5% 降至 3.5%。根据欧洲防务局的数据,2022 年,欧盟 (EU) 国防总支出为 2400 亿欧元,其中研发支出增加到 3.9%,即 95 亿欧元。然而,尽管最近国防总支出和国防研发支出都有所增加,但国防研发投资并未获得应有的收益。 2022 年,欧盟成员国在国防研发上花费了 35 亿欧元,占其国防总开支的 1.5%,高于 2011 年的 1.1%,但比 2021 年下降了 0.2%。这远低于 2017 年启动的欧盟安全与防务领域永久性结构性合作 (PESCo) 框架中设定的目标,即至少将国防总开支的 2% 投资于研究和技术。目前只有两个欧盟成员国实现了 2% 的目标,该目标于 2007 年 11 月在 EDA 部长级指导委员会上首次达成。以法国为首,这两个国家占欧盟国防研发总开支的 80% 以上。
该表基于 2013 年 1 月 1 日至 2022 年 9 月 29 日期间的 FracFocus 数据,逐县显示了德克萨斯州油气公司注入 PTFE 用于水力压裂、被 EPA 确定为 PFAS 或使用至少一种氟表面活性剂或潜在氟表面活性剂进行水力压裂的油井数量。在此表中,术语“氟表面活性剂”涵盖“非离子氟表面活性剂”的公开用途,而术语“潜在氟表面活性剂”涵盖“氟烷基醇取代聚乙二醇”的公开用途,被 EPA 确定为 PFAS。两位化学家将非离子氟表面活性剂鉴定为 PFAS 或可能降解为 PFAS 的前体。第三位化学家将它们鉴定为可能的 PFAS,一位委员会认证的毒理学家将它们鉴定为潜在的 PFAS。总重量数字反映了我们有足够信息来计算化学品重量的所有记录的总和。
条件下,因此缺乏身体准备或对某些症状的清晰感知会导致身体衰竭,甚至死亡。7,8 尽管技术发展为人体工程学设计、软件、硬件和空中交通管制技术带来了进步,对飞行安全产生了积极影响,但人为因素的存在仍然是航空事故的主要原因。9–11 空间定向障碍是很大比例军事航空事故的重要因素。虽然先前的研究分析了事故统计数据,但它们往往存在方法上的缺陷,导致对民用和军用飞机事故的真正原因得出的结论值得怀疑。12,13 特技飞行可以显著改变飞行员的空间定向能力。通过这种方式,应该研究与空中活动相关的人体生理固有因素;颅内压 (ICP) 是一个重要的临床变量,医生和航空航天专业人员仍然无法获得。ICP 是颅腔内的压力。三种成分填充该空间:血液、脑脊液和脑组织,其中一种或多种成分的改变会导致颅内压的变化,14 例如动脉血压的波动。
安川电机的质量始终引领着驱动器行业,每一代产品都建立在上一代产品的基础上。上一代中压产品 (MV1S) 的现场平均无故障时间 (MTBF) 已证实超过 300,000 小时。MV1000 建立在上一代 MV 驱动器的成功基础之上,采用同样严格的设计规则和质量控制/质量保证 (QC/QA) 实践。MV1000 的组件数量也减少了。随着现场使用单位和小时数的增加,MV1000 将超越上一代 MV 驱动器已经非常出色的性能。
烧结的银(Ag)是高温电子应用最有希望的互连材料之一,因为它具有承受苛刻和极端环境的潜力。本文研究了在200°C,250°C,275°C和300°C下在聚合物粘合剂粘合剂中无压烧结下Ag颗粒的微观结构演变,持续2小时。通过在不同烧结温度下对样品上的两维离子束(FIB)观察到的晶粒,颗粒和颈部生长与原子运动和降低表面能的降低有关,这是烧结的驱动力。在这项研究中,聚合物粘合剂中的无压力烧结过程成功地将散射的Ag颗粒转化为紧凑而密集的Ag,在300°C下连接。在300°C下获得的电导率值为5.2E+05 s/cm,这是评估样品中最高的。
当同步整流管完全开启后, VDS 两端压降完全跟 随次级电流 Is 。随着次级续流电流的减小 VDS 电压升 高,当 VDS 电压增大到 -30mV 时, Gate 驱动电路的 上管供电被关断 , 驱动电压随内部电阻及漏电流开始缓 慢降低;当 VDS 电压增大到 -20mV 时, Gate 驱动电 压会被钳位在 3.3V 左右。如果 VDS 电压增大到 -1mV 时, WS2260C 会在 25ns 的时间内快速将 GATE 电压 拉到 0V 。同时,关断屏蔽时间开始计时,此期间 GATE 保持低电平。直到 VDS 电压大于 2V ,退出关断屏蔽 计时。