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World File Search System背栅
背外外侧前额叶皮层对精神分裂症认知功能障碍的贡献
克雷佩林（Kraepelin）在他对精神分裂症（SZ）的早期描述中，将这种疾病描述为“没有指挥家的乐团。”克雷佩林进一步推测该“导体”位于额叶。在接下来的几十年中，来自多项研究的发现清楚地暗示了背外侧前额叶皮层（DLPFC）在SZ病理生理学中起着核心作用，尤其是在关键认知特征（例如在工作记忆和认知控制中定性）的关键认知特征。概述了与DLPFC功能相关的认知机制以及SZ中它们如何改变后，我们回顾了来自一系列神经科学方法的证据，从而解决了这些认知障碍如何反映出疾病潜在的病理生理学。特别是我们提供的证据表明，在一系列的空间和时间分辨率中，SZ中DLPFC的改变是显而易见的：从其细胞和分子结构到其总体结构和功能完整性，从MilliseCond到更长的时间标准。然后，我们基于DLPFC中神经元信号的变化如何改变神经活动的同步模式来产生大电路级的变化DLPFC激活中最终影响认知和行为。我们讨论了针对SZ中DLPFC功能的最初努力，这些努力的临床意义以及未来发展的潜在途径。
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
切碎折叠共源共栅体驱动 OTA
本文使用的核心 OTA 是体驱动 OTA [4]，其中与模拟电路有关的一个重要因素是，未来标准 CMOS 技术的阈值电压预计不会比目前的阈值电压低很多。为了克服阈值电压，人们使用了体驱动 MOSFET，众所周知，阱源结上的反向偏置会导致阈值电压增加 [5]，[6]。同样，此结上的正向偏置会导致阈值电压降低。
Araldite 2000 系列双背点胶枪
喷嘴 160A-718 用于 Araldite 2010、2011、2012、2013、2014、2015、2017、2018 和 2027 200ml 或 400ml 墨盒尺寸。喷嘴 160A-818 用于 Araldite 2021、2022 400ml 墨盒尺寸。使用各种墨盒枪（50ml/200ml/400ml）首先确保材料在使用期限内。确保墨盒背面没有过多泄漏/损坏（填充时可能有非常少量的残留物，但不会过多）使用前将墨盒存放在良好的室温下很重要。这应确保产品自由流动并在推荐的静态混合器喷嘴中混合。如果在低温条件下储存，某些粘合剂可能会结晶，难以分散和排出。在建议的使用温度下，将喷嘴（对于 50ml 喷嘴，它是卡口连接，对于 200ml/400ml 喷嘴，它是新喷嘴的旋入式。较旧的系统需要使用固定螺母，因为喷嘴本身没有螺纹连接器）安装到墨盒上，然后放入相应的喷枪中以供使用。
背式官能化DNA纳米结构成活细胞核
Golbarg M. Roozbahani 1,2, †, Patricia Colosi 3, †, Attila Oravecz 4,5,6,7, †, Elena M. Sorokina 3, Wolfgang Pfeifer 1,2, Siamak Shokri 1, Yin Wei 1, Yin Wei 1, Yin Wei 7,9 , Marcello Deluca 10, Gaurav Arya 10, LászlóTora4,5,6,7， *，Melike Lakadamyali 3,11,12， *，Michael G. Poirier 1,8,13， *和Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Castro 2,8， *Golbarg M. Roozbahani 1,2, †, Patricia Colosi 3, †, Attila Oravecz 4,5,6,7, †, Elena M. Sorokina 3, Wolfgang Pfeifer 1,2, Siamak Shokri 1, Yin Wei 1, Yin Wei 1, Yin Wei 7,9 , Marcello Deluca 10, Gaurav Arya 10, LászlóTora4,5,6,7， *，Melike Lakadamyali 3,11,12， *，Michael G. Poirier 1,8,13， *和Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Carlos E. Castro 2,8， *
工业实施的模拟流程——...
在本文中，我们介绍了用于实现 FD-SOI 量子点器件的模拟流程。所提出的流程由一系列模拟组成，从结构的光学光刻制造开始，然后是几何表示和电气行为，最后是量子力学特征。对于我们器件的建模，我们分别使用了 STMicroelectronics 的内部软件 Optical Friendly DEdesign Check (OFDEC)、3D TCAD Sentaurus Process [8] 和 3D Quantum TCAD [9, 10] 模拟工具。本文给出的数值结果表明，我们上一代纳米结构 [11] 中出现的不必要的角落量子点和屏障控制问题现在已经消失。此外，我们的模拟表明，可以通过背栅偏置来控制波函数位置，这预示着 FD-SOI 技术在量子计算应用方面优于其他竞争技术 [12]。
硝苯地平阻断注射至背缝核的三唑仑对睡眠的影响
第 1 小时平均值 40.32 ± 1.51 40.06 ± 1.28 40.35 ± 1.30 40.41 ± 1.55 40.27 ± 1.33 40.15 ± 1.28 NS 第 6 小时平均值 40.78 ± 1.61 40.49 ± 1.34 40.30 ± 1.26 40.78 ± 1.64 40.35 ± 1.14 40.53 ± 1.33 NS 第 1 小时平均值 - 0.66 ± 0.08 0.75 ± 1.56 0.81 ± 0.25 1.23 ± 0.51 0.82 ± 0.15 0.54 ± 0.22 NS 基线睡眠开始时间 40.60 ± 1.08 40.07 ± 1.43 40.32 ± 1.33 40.29 ± 1.52 40.23 ± 1.33 40.06 ± 1.30 NS 最高温度 41.50 ± 1.63 41.25 ± 1.36 41.49 ± 1.46 41.66 ± 1.68 41.23 ± 1.32 41.46 ± 1.48 NS 6小时内注射时间 170.8 ± 35.1 204.1 ± 38.5 198.7 ± 42.9 171.8 ± 30.3 178.6 ± 33.6 181.1 ± 23.0 NS 至最高温时间（分钟） 环境温度 26.4 ± 0.16 26.7±0.14 26.5±0.16 26.5±0.16 26.5±0.15 26.4±0.15 正常
有机薄膜晶体管的阈值电压控制的三端浮栅
摘要 - 浮动门（FG）细胞作为控制在thranddiode配置中操作的有机薄膜晶体管（TFTS）的电路级别方法。充电和排放。使用不超过4 V的编程电压，实现了阈值电压的系统调整到-0.5和2.6 V之间的值。该概念的多功能性是通过使用有机-TFT的FG细胞作为被动式直流体中可编程阈值溶剂的转置和二极管载荷式逆变器，并在透明，透明的透明塑料底物上制造的。直接菌显示出频率响应，改善3-DB点和涟漪降低。具有可编程FG-TransDiode负载的逆变器比传统的二极管逆变器具有更大的小信号增益，更大的输出 - 电压摆动和更大的噪声余量。
顶栅2D晶体管的单晶金属氧化物介电
二维（2D）结构由具有高载体迁移率的原子薄材料组成的二维（2D）结构已被研究为未来晶体管1-4的候选。然而，由于合适的高质量介电的不可用，尽管具有优越的物理和电气特性，但2D现场效应晶体管（FET）仍无法获得全部理论潜力和优势。在这里，我们证明了原子上薄的单晶Al 2 O 3（C-al 2 O 3）作为2D FET中的高质量顶栅介电。通过使用插入式氧化技术，在室温下，在单晶Al表面形成了稳定，化学计量和原子较薄的C-Al 2 O 3层，厚度为1.25 nm。由于有利的晶体结构和明确定义的接口，栅极泄漏电流，界面状态密度和C-AL 2 O 3的介电强度3符合国际路线图3,5,7的国际路线图3,5,7。通过由源，排水，电介质材料和门组成的一步转移过程，我们实现了顶部的MOS 2 FET，其特征是以61 mV的陡峭亚阈值摇摆为61 mV-1-1-1，高/OFF电流比为10 8，并且非常小的滞后率为10 mV。这种技术和材料证明了产生适合整合到完全可扩展的晚期2D FET的高质量单晶氧化物的可能性，包括负电容晶体管和自旋晶体管。
超低功率 K 波段 22.2 GHz 至 26.9 GHz 电流...
摘要：本文提出了一种具有宽调谐范围的超低功耗 K 波段 LC-VCO（压控振荡器）。基于电流复用拓扑，利用动态背栅偏置技术来降低功耗并增加调谐范围。利用该技术，允许使用小尺寸的交叉耦合对，从而降低寄生电容和功耗。所提出的 VCO 采用 SMIC 55 nm 1P7M CMOS 工艺实现，频率调谐范围为 22.2 GHz 至 26.9 GHz，为 19.1%，在 1.2 V 电源下功耗仅为 1.9 mW–2.1 mW，占用核心面积为 0.043 mm 2 。在整个调谐范围内，相位噪声范围从 -107.1 dBC/HZ 到 -101.9 dBc/Hz (1 MHz 偏移)，而总谐波失真 (THD) 和输出功率分别达到 -40.6 dB 和 -2.9 dBm。