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关于单个高能电磁脉冲对人间充质干细胞形态和自由基产生的影响的初步研究
摘要：纳秒电磁脉冲对人类健康，尤其是在人类细胞中形成自由基的影响，是持续研究和正在进行的讨论的主题。这项工作介绍了对人间充质干细胞中单个高能电磁脉冲对形态，生存能力和自由基产生的影响的初步研究（HMSC）。将细胞暴露于单个电磁脉冲中，电场幅度为〜1 mV/m，脉冲持续时间约为〜120 ns，由600 kV的马克思发生器产生。分别使用共聚焦荧光显微镜和扫描电子显微镜（SEM）检查暴露后2小时和24小时的细胞活力和形态。用电子顺磁共振（EPR）研究了自由基的数量。显微镜观测和EPR测量表明，与对照样品相比，对高能电磁脉冲的暴露均未影响产生的自由基的数量，也没有在体外的HMSC形态。
Iwrap 机载多普勒雷达/散射仪的运行和改进
5.1 实验概述 ............................................44 5.2 实验 .....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。45 5.3 高入射角实验 .................................47 5.4 飓风丽塔和菲利克斯脉冲对结果 ..........................49 5.5 飓风菲利克斯光谱处理初步结果： ........。。。。。。60
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5.1 实验概述 ............................................44 5.2 实验 .....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。45 5.3 高入射角实验 .................................47 5.4 飓风丽塔和菲利克斯脉冲对结果 ..........................49 5.5 飓风菲利克斯光谱处理初步结果： ........。。。。。。60
与the鼠激光脉冲的光电离心词
摘要通过极端超紫罗兰（XUV）attosecond激光脉冲对原子或分子的光电离，需要仔细考虑来自光电离过程导致的离子 +光电子纠缠程度。在这里，我们考虑通过the骨的attosent激光脉冲对中性H 2的光电离心引起的相干H 2 +振动动力学。我们表明，chi脚的激光脉冲导致离子 +光电子纠缠以及从纯状态到混合状态的过渡。这种过渡的特征是评估纯度，对于转换限制的attosent激光脉冲而言，它接近统一性，并降低到由在光电离过程中填充的振动态数确定的值，以增加chirp参数的值。在计算中，通过用短的超紫色（UV）激光脉冲计算H 2 +阳离子的时间延迟解离来探测振动动力学。独立于chirp的大小，可以通过记录XUV-UV延迟依赖性动能与随附的光电子的动能，从而恢复相干的振动动力学。
材料表征中Attosend激光脉冲的前景和局限性
在许多领域学习材料的能力至关重要。随着技术的进步，现在可以详细研究原子化。本文在检查不同的反应时研究了两个因素，包括带宽和选择性。具体来说，它探讨了激光脉冲的持续时间如何影响研究过渡时能量和选择性的宽度。这是使用由Morlet小波建模的FEMTO-和ATTSOND脉冲的模拟完成的。然后将这些脉冲转换为傅立叶，以根据海森伯格的不确定性原理来分析该脉冲中所含能量的宽度。费米的黄金法则和电子结合能的表用于定性评估选择性。结果表明，1 FS脉冲对应于FWHM能量中的约1 eV，而A为脉冲对应于FWHM能量中约1000 eV。选择性在多个跃迁耦合时随着带宽的增加而，但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时，会改善。 状态的密度也会影响选择性；较高的密度降低了选择性，而较低的密度可以增强它。，但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时，会改善。状态的密度也会影响选择性；较高的密度降低了选择性，而较低的密度可以增强它。
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
颅骨电疗刺激（CES）和耳静脉静电刺激
对CES的兴趣始于1900年代初期，即电流弱脉冲对中枢神经系统具有平静作用。这项技术在1950年代在美国和东欧进行了进一步开发，作为治疗焦虑和抑郁的治疗，随后使用CES蔓延到西欧和美国，以治疗各种心理和生理状况。目前，通过下丘脑，边缘系统和/或网状激活系统中的直接作用，认为作用机理被认为是大脑网络中活动的调节。在美国使用的一种设备是Alpha-Stim®CES，它通过连接到耳垂的夹子电极提供脉冲，低强度电流。其他设备将电极放在眼睑，额膜，乳突过程或耳朵后面。治疗可以每天一次或两次进行几天到几周的时间。
PR：liyf 4的橙色表面波导激光器由飞秒激光器写作
飞秒直接激光写入（FS DLW）是在透明介电材料中产生3D光子微结构的强大方法[1,2]。后者在短时间内通过非线性过程吸收FS脉冲的能量，从而在μM规模的辐照面积（损伤轨道）内进行了永久性的材料修饰，从而导致折射率的热变化。激光波导（WGS）最近引起了极大的关注[1]。飞秒脉冲对激光WGS的铭文受益于快速制造时间，高精度，获得各种几何形状和活性材料。对于此类WG，达到了低至中等传播损失。wg激光器代表光子积分电路的构件之一[2]。如果设计正确，它们会受益于单模模式操作，低阈值和高光强度[3]。表面WG可以通过将非线性光学材料沉积导致脉冲激光通过evanescent-Field景偶联而进行功能化[4,5]。
电脉冲暴露减少了转导HEPG2细胞所需的AAV8剂量
我们证明，在存在增强的绿色荧光蛋白（EGFP）表达腺体相关病毒（AAV8）载体的情况下，将电场脉冲在体外施加到肝细胞，使给定的传输水平与HISPATOCYCYP相比，将腺相关的病毒量（AAV8）降低了50-折叠式的电气量不超过50-折叠量。 接触。我们在标准井板中的8个暴露条件下进行了48个实验观测。电脉冲暴露涉及具有375 V/ cm场强度的单个80-MS脉冲。我们的研究表明，电脉冲暴露会导致细胞中EGFP的表达增强，这表明转导效率提高。如果成功地转换为体内环境，在我们的研究中观察到的增强转导将是一种有希望的迹象，证明了AAV载体所需剂量的潜在减少。对电场脉冲对体外AAV转导的影响是重要的前一步。
利用阿秒单周期脉冲进行相干电子位移进行量子信息处理
相干电子位移是处理量子信息的一种传统策略，因为它能够将原子网络中的不同位置互连。处理的效率依赖于对机制的精确控制，而这种机制尚未建立。在这里，我们从理论上展示了一种新方法，即利用阿秒单周期脉冲，在比电子波包动态扭曲更快的时间尺度上驱动电子位移。这些脉冲的特征依赖于向电子传递巨大的动量，导致其沿单向路径位移。通过揭示编码量子叠加态的位移波包的时空性质，说明了这一场景。我们绘制出相关的相位信息，并从原点远距离检索它。此外，我们表明，将一系列这样的脉冲应用于离子链，能够以阿秒为单位控制电子波包在相邻位置之间来回相干运动的方向性。扩展到双电子自旋态证明了这些脉冲的多功能性。我们的研究结果为使用阿秒单周期脉冲对量子态进行高级控制建立了一条有希望的途径，为超快速处理量子信息和成像铺平了道路。