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World File Search System脉冲激光
GAAS模板在硅光子学中的激光器上有选择性生长
摘要：实现SI上有效的片上光源是基于SI的光子集成电路（PICS）的关键。通过MOCVD（001）硅启用硅在硅启用的III-V材料（SOI）的III-V材料的选择性外观陷阱（LART）是一种有希望的技术，用于在硅和基于SI的PIC的硅的单层整合。在本报告中，通过LART Technique在行业标准（001）面向以行业标准（001）为导向的Soi Wafers上的GAAS膜的选择性生长获得了整体上的显微镜GAAS/SI平台。GAAS膜横向从{111}的面向氧化物沟渠内的{111}式的Si表面生长，其尺寸由光刻定义。GAAS微台面激光器（MDLS）在GAAS膜上通过光泵来在室温（001）SOI Lase上侧面生长的GAAS膜。rt脉冲激光以880μj/ cm 2的阈值实现。这项工作为完全集成的SI光子学提供了关键的步骤。■简介
用于金属增材制造过程监控的激光生成宽带瑞利波形演变
摘要：本研究提出，激光脉冲可以产生有限振幅瑞利波，用于增材制造过程中的工艺监控。非接触式工艺监控使用脉冲激光产生瑞利波，并使用自适应激光干涉仪接收它们。文献中的实验和模型表明，有限振幅波形会随着传播距离而演变，甚至会在平面粒子速度波形中形成冲击波。非线性波形演变表明材料非线性，它对材料微观结构敏感，进而影响强度和断裂性能。测量是在定向能量沉积增材制造室内对平面 Ti-6Al-4V 和 IN-718 沉积物进行的。通过检测平面外粒子位移波形，还可以获得平面位移和速度波形。波形演变可以表征为 (i) 通过在不同点接收一个源振幅，或 (ii) 通过应用不同的源振幅在一个点接收。提供了针对有意调整的关键工艺参数的样本结果：激光功率、扫描速度和舱口间距。
激光加工石墨烯及相关储能材料：
缩写：SCs，超级电容器； SCs，微型超级电容器；CNTs，碳纳米管；GO，氧化石墨烯；rGO，还原氧化石墨烯；LrGO，激光还原氧化石墨烯；GOQDs，氧化石墨烯量子点；GQDs，石墨烯量子点；CNTs，碳纳米管；MWCNTs，多壁碳纳米管；HOPG，高度有序热解石墨；MOFs，金属有机骨架；LCVD，激光化学气相沉积；LIG，激光诱导石墨烯；LSG，激光划刻石墨烯；PLD，脉冲激光沉积；MAPLE，基质辅助脉冲激光蒸发；RIMAPLE，反应逆基质辅助脉冲激光蒸发；LIFT，激光诱导正向转移；LIBT，激光诱导后向转移；LIPSS，激光诱导周期性表面结构；PET，聚对苯二甲酸乙二醇酯； PVDF，聚偏氟乙烯；PI，聚酰亚胺；LIP，磷酸铁锂
高功率脉冲和连续激光损伤
我们所有使用高功率激光器的人都经历过激光损伤，通常是在我们最不想发生的时候。有时，仅仅是一道意外的闪光就意味着需要更换光学元件，但情况往往更糟，因为单个涂层损坏就会导致整个系统故障。我们的大部分工作是认证脉冲激光系统的光学元件，以防止这种灾难性事件的发生。近年来，我们收到越来越多的 CW 测试请求。这些光学元件主要用于制造业和医疗行业，而这些行业的损坏成本同样高昂。随着输出功率的增加，损坏越来越普遍，认证 CW 光学元件也变得更加必要。它们似乎在低于脉冲系统中的性能和阈值预期的功率水平下损坏。我们在此报告了一项关于不同基底材料在脉冲和 CW 性能方面的研究，这些研究由它们的激光诱导损伤阈值 (LIDT) 值给出。LIDT 值表示光学元件在不损坏的情况下可以承受的最大功率密度（或在 CW 的情况下，最大线性功率密度）。
补充材料电子结构和特性......
沉积技术 基片厚度密度参考温度 （nm） （g/cm 3 ） （◦ C） 脉冲激光沉积 石英玻璃 120-140 4.88- 5.4 取决于房间 Kim 等人 [1] （PLD） 激光功率、O 2 分压、目标-基片距离 80mJ、10Pa、35mm 时为 4.88（低 VO ） 80mJ、5Pa、35mm 时为 5.39（高 VO ） 等离子增强原子 Si 和蓝宝石 37.8 5.154 80 Yang 等人 [2] 层沉积（PEALD） 2500 W 5.325 250 PEALD Si (100) 10 4.83 100 Li 等人[3] 100 W ≥ 5.5 ≥ 150 电子束蒸发 GaAs 和 Si 95.5 5.152 200-350 Passlack 等人 [4] 4.5-4.8 40 分子束外延 GaAs (001) 85.5 5.30 具有一定结晶性 420-450 Yu 等人 [5] (MBE) 射频磁控溅射 SiO 2 /Si 25 5.32 有 O 2 室溅射 Han 等人 [6] 4.84 无 O 2 (更快的蚀刻速率) 射频磁控溅射 Si 498.9 4.78 室 Liu 等人 [7]
腔内时空偏移
摘要。光学元面具有无与伦比的灵活性，可以通过下波长的空间分辨率操纵光场。将元面耦合到具有强光学非线性的材料可能允许超快时空光场调制。但是，到目前为止所证明的大多数元整口是线性设备。在这里，我们在实验上证明了同时使用单层等离子式肩面与纤维激光腔中的Epsilon-Near-Zero（ENZ）材料强耦合。虽然元表面的几何阶段被用来将激光器的横向模式从高斯束转换为带有轨道角动量的涡旋束，但通过Q -Switching过程，ENZ材料的巨大非线性可饱和吸收使脉冲激光产生。在激光腔中直接整合时空跨表面可能为开发具有量身定制的空间和时间剖面的微型化激光源铺平了道路，这对于多种应用来说是有用的，例如超级分辨率成像，高密度光学存储，高密度光学储存以及三维激光射击光刻。
比利时学员的培训机会
提出的活动领域的概述：参见（单个事件效应）对COTS设备的测试和可靠性分析分析对在UCL Louvain-La-Neuve辐照的电子设备的长期可靠性（BE）活动领域将取决于对组件工程的基本知识的发展，产品保证原理以及对EEE EEE组合对EEE EEE的辐射效应的基本知识。 尤其是支持辐射测试运动的支持，包括开发测试设置和对EEE组件的随后数据分析，尤其是针对COTS设备的EEE组件，重点是在UCL Cyclone重离子设施中进行的SEE SEE SEE SEE SEE SEE进行，这是用于在不同类型的conconeration Evalence and Intrications consonic conconization and Conconization consications consications consications and Conticalization contications and Conconization的contications consications的表现。 对重型离子测试提交的COTS设备的可靠性评估：SEL（单个事件锁存）的影响，高电流事件和单个事件功能中断零件的长期可靠性。 最佳工业实践对使用脉冲激光测试的运作和开发，以模拟空间辐射对微电子设备的影响。 对标准化活动的贡献，从而改善了现有的单一事件效果测试指南和测试方法。提出的活动领域的概述：参见（单个事件效应）对COTS设备的测试和可靠性分析分析对在UCL Louvain-La-Neuve辐照的电子设备的长期可靠性（BE）活动领域将取决于对组件工程的基本知识的发展，产品保证原理以及对EEE EEE组合对EEE EEE的辐射效应的基本知识。尤其是支持辐射测试运动的支持，包括开发测试设置和对EEE组件的随后数据分析，尤其是针对COTS设备的EEE组件，重点是在UCL Cyclone重离子设施中进行的SEE SEE SEE SEE SEE SEE进行，这是用于在不同类型的conconeration Evalence and Intrications consonic conconization and Conconization consications consications consications and Conticalization contications and Conconization的contications consications的表现。对重型离子测试提交的COTS设备的可靠性评估：SEL（单个事件锁存）的影响，高电流事件和单个事件功能中断零件的长期可靠性。最佳工业实践对使用脉冲激光测试的运作和开发，以模拟空间辐射对微电子设备的影响。对标准化活动的贡献，从而改善了现有的单一事件效果测试指南和测试方法。
XPS化学状态映射在光学和微电子中
摘要。XPS成像的强度在于它具有（i）在样品表面上找到小图案的能力，（ii）以微分辨率分辨率告知有关在表面检测到的元素的化学环境。在这种情况下，由于它们的可调性和可变性，基于锶的钙钛矿似乎对这种光发射实验进行了很好的适应。这些功能性氧化物在新兴的光电和微电源应用中具有巨大的潜力，尤其是对于透明的导电氧化物。图案化的异质结构Srtio 3 /srvo 3是使用脉冲激光沉积使用阴影掩模生长的。然后通过串行采集模式下的XPS映射分析此堆栈。Ti2p和V2P核心水平成像清楚地介绍了SRTIO 3和SRVO 3域。将广泛讨论SR3D核心水平的XPS映射：锶是两种具有非常相似化学环境的氧化物的共同元素。尽管SR3D图像中的对比度较低，但由于地形的影响，这两种材料还是可辨别的。添加，使用SR3D FWHM图像是证明这两个阶段的真正资产。最后，通过主成分分析进行数据处理使我们能够在锶原子上提取重要的光谱信息。
可扩展且高度可调的导电氧化物界面
导电氧化物界面引起了广泛关注，这既是因为基础科学的原因，也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径，这可能会缩小设备工程空间。在这里，我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理，并将其持续时间用作电性能的调整参数，其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品，我们的结果与使用最先进的外延生长技术（例如脉冲激光沉积）制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径，具有广泛的参数空间，为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
可扩展且高度可调的导电氧化物界面
导电氧化物界面引起了广泛关注，这既是因为基础科学的原因，也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径，这可能会缩小设备工程空间。在这里，我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理，并将其持续时间用作电性能的调整参数，其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品，我们的结果与使用最先进的外延生长技术（例如脉冲激光沉积）制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径，具有广泛的参数空间，为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。