摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用(例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳)之后,介绍了这些层。分析了工艺参数(例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式)对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数,以实现高沉积速率和低膜应力,这在低沉积温度下是可能的。
根据眼镜镜头和透明显示窗口所需的聚合物基板上的反射涂料必须满足其环境稳定性的挑战性要求。聚体和无机涂层的热性质不匹配会导致应力,从而降低了涂层聚合物的耐用性和尺寸稳定性。这项研究表明,应在聚合物底物而不是无机底物上执行应力的前拟应力测量值以记录残留膜应力。此外,在聚合物底物上的沉积过程中和之后,还采用了弹性多层的概念来计算单膜内部的应力梯度和抗反射涂层。为开发高稳定的涂层聚合物光学元件,必须考虑到整个涂料的应力梯度,并应用特殊的涂层设计和光学涂层涂层沉积参数。
过去二十年来,氧化石墨烯 (GO) 一直处于碳纳米材料研究的前沿。由于其独特的性能,例如表面积大、抗拉强度高、存在可修饰的表面基团以及良好的生物相容性,石墨烯衍生物已用于扩展多个研究领域,包括电子学、材料科学、非线性光学和生物技术。[1–8] GO 正式衍生自石墨烯,石墨烯是单层碳原子以二维六边形晶格键合而成。[9,10] 石墨的化学氧化和剥离会产生 GO 表面基团,例如羧基、羟基、环氧基和羰基,为共价结合生物分子、药物或荧光团提供了绝佳的机会。这些基团的确切组成和数量是可变的,取决于合成途径。[2,11] 化学