标准性能 8200LN 提供 10 MHz 和 1PPS 输出以及 1PPS 输入,用于校准 GPS 接收器或其他主要标准。可选配置可以支持其他输出或自定义输出。配备可选低 g 灵敏度晶体时,8200LN 可以在各种振动曲线上保持低相位噪声性能。8200LN 是基于成熟的铷原子钟和 OCXO 技术设计的,该技术已在众多机载、舰载和地面战术平台中部署了三十多年。
章节 页码 1. 电气规格. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ................. ... ..................................................................................................................................................................................13 4.2. 滞后........................................................................................................................................................................................................14 4.3. 长期暴露于高湿度环境中......................................................................................................................................................................14 4.3. 长期暴露于高湿度环境中......................................................................................................................................................................14 . . . . 14 4.4. PCB 组装. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 4.5. 保护传感器. ...烘烤/水合程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ................. ... . ... ... ................. ... .................. ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..................................................................................................................................................................................24 9.1. 封装外形:2x2 6 引脚 QFN ................................................................................................................................................................................... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... .................................................................................................................................................................................................................................................................................27 文档变更列表.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................28 联系方式.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................28 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .29
未通过同行评审认证)是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。此预印本的版权持有人(该版本发布于2024年4月2日。; https://doi.org/10.1101/2024.04.04.04.04.04.04.04.02.587715 doi:Biorxiv Preprint
卢森堡面向企业的高性能计算机 (HPC) MeluXina 专为满足业务需求而设计,其 65% 的容量可供公司使用 - 初创企业、中小型企业以及大型企业。“工业 4.0 会产生大量数据,不仅来自公司内部,还来自其价值链,因为不同部分正在相互连接。处理这些数据需要相当大的数据能力,”Lambert 先生说。“MeluXina 是欧洲第一台无需通过与大学共同实施的研究项目即可使用的 HPC。这确实是适合所有人的 HPC,有专家可以指导那些不太习惯使用超级计算机的人。”
RowHammer (RH) 是现代 DRAM 芯片的一个重大且日益恶化的安全性、可靠性问题,可利用该问题来破坏内存隔离。因此,了解真实 DRAM 芯片的 RH 特性非常重要。遗憾的是,之前没有研究广泛研究现代 3D 堆叠高带宽内存 (HBM) 芯片的 RH 漏洞,而这种芯片通常用于现代 GPU。在这项工作中,我们通过实验表征了真实 HBM2 DRAM 芯片的 RH 漏洞。我们表明:1) HBM2 内存的不同 3D 堆叠通道表现出明显不同级别的 RH 漏洞(误码率相差高达 79%),2) DRAM 组末尾的 DRAM 行(具有最高地址的行)表现出的 RH 位翻转明显少于其他行,3) 现代 HBM2 DRAM 芯片实现了未公开的 RH 防御措施,这些措施由定期刷新操作触发。我们描述了我们的观察结果对未来 RH 攻击和防御的影响,并讨论了理解 3D 堆叠存储器中的 RH 的未来工作。
SK 集团将在佐治亚州科文顿建立首家基于玻璃的半导体部件合资企业(Absolics)与 GT-PRC 的互动 州长 Brian P. Kemp 宣布(佐治亚州亚特兰大 – 2021 年 10 月 28 日) 公司将在这个前所未有的合资企业中投资超过 4.73 亿美元,并将在牛顿县创造 400 多个新工作岗位 2022 年 11 月动工 2024 年产量最低;2025 年产量最高
1 香港理工大学量子技术研究所 (IQT),香港 2 南洋理工大学量子科学与工程中心 (QSec),新加坡 639798 3 哥本哈根大学尼尔斯·玻尔研究所混合量子网络中心 (Hy-Q),丹麦哥本哈根 DK-1165 4 布里斯托大学 HH Wills 物理实验室和电气电子工程系量子工程技术实验室,布里斯托 BS8 1QU,英国 5 同济大学物理科学与工程学院精密光学工程研究所,上海 200092,中国 6 新加坡科技研究局微电子研究所,新加坡 138634 7 先进微晶圆代工厂,新加坡 117685 8 新加坡国立大学量子技术中心,新加坡 117543 9 南洋理工大学国立教育学院,新加坡 637616
电感器和变压器磁芯由软磁材料制成。“软”磁材料很容易磁化和消磁,并且只有在通过改变缠绕在其周围的绕组(或“匝”)中的电流来激发这些磁芯并产生电磁场时,才会出现磁场。术语“软”表示磁场不是永久的,当电流停止时磁场就会消失。这与我们通常所说的磁铁不同。“永久”磁铁通常用于拾取或将物体附着在含铁(铁质)金属上(例如冰箱磁铁),并且无需绕组或外部刺激即可产生永久磁场。