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（7）其他 a.须在投标开始前提交《资格审查结果通知书》副本。若您已经提交过，则无需再次提交。 若申请人由代表人或其他代理人代为竞投，则其须于竞投开始前提交《授权委托书》。 邮寄投标应清楚写明公司名称、投标日期和时间、投标主题，并用红色写明“投标附件”，并于6月21日星期五中午12点之前邮寄到下述地址。此外，投标人还将提前通过邮件收到投标意向通知。 如果您希望参与竞标，您必须在 6 月 19 日星期三中午 12:00 之前通过电话联系我们并提交市场价格调查。 投标同等产品时，其标准必须等于或高于标准栏所示的标准或规格。 该产品必须被视为等效产品，并必须在 6 月 19 日星期三下午 5:00 之前向合同官员提交“等效性判定请求”以获得批准。 投标者在参与前必须同意《驻军使用标准合同》和《投标及合同指南》（在东部陆军会计司令部网站（https://www.easternarmy.gov/accountingcommand/eae/kaikei/eafin/index.html）或在泷原驻军会计司令部办公室公布）。 （k）通过提交投标文件，您将被视为已经按照“关于排除有组织犯罪集团的承诺”作出承诺。投标文件中应当包含下列声明作为接受的表示： “本公司（本人（若为个人）、本公司（若为团体））谨此承诺本誓约书所列事项，以排除有组织犯罪为目的。” 此外，拒绝提交上述“排除有组织犯罪承诺事项”的誓约书的，将无法参与投标。 Q 如果有投标人在首次投标时通过邮寄方式提交了投标，则重新投标的时间如下。
外国国家豁免法DISCLAIMER
第十二条 外国国家与包括中华人民共和 国在内的其他国家的 组织或者个人 之间的 商业活动产生的争议，根据书面协议被提 交仲裁的，或者外国国家通过国际投资条 约等书面形式同意将其与包括中华人民共 和国在内的其他国家的 组织或者个人 产生 的投资争端提交仲裁的， 对于需要法院审 查的下列事项 ，该外国国家在中华人民共 和国的法院不享有管辖豁免： （一）仲裁协议的效力； （二）仲裁裁决的承认 和执行 ； （三）仲裁裁决的撤销； （四）法律规定的其他 由中华人民共和国 的法院 对仲裁进行审查的事项。 第十三条 外国国家的财产享有司法强制 措施豁免，但有下列情形之一的除外： （一）外国国家以国际条约、 仲裁协议、 书面合同 或者向中华人民共和国的法院提 交书面文件的方式明示放弃司法强制措施 豁免； （二）外国国家已经拨出或者专门指定财 产用于司法强制措施执行的； （三）为执行中华人民共和国的法院的生 效判决，且外国国家的财产用于商业活 动、与诉讼有联系、位于中华人民共和国 领域内的。 外国国家接受中华人民共和国的法院管 辖，不应视为放弃司法强制措施豁免。
阿特莫斯能源公司
规章制度表 7. 客户向公司提出的投诉 70 8. 账单调整 70 至 72 9. 客户要求终止服务 72 10. 部分付款和预算付款计划 73 11. 公司拒绝或终止服务 74 至 76 12. 冬季困难重新连接 77 13. 请求测试 78 14. 进入物业 78 15. 服务线路 78 16. 合同转让 79 17. 合同续签 79 18. 关闭和恢复燃气服务 79 19. 输电干线服务客户的特殊规则 79 至 80 20. 业主同意 80 21. 客户的设备和安装 81 22. 公司的设备和安装 81 23. 公司财产的保护 82 24. 客户责任 82 25. 燃气泄漏或不安全情况通知 82 26. 特殊规定 – 大用量客户 82 27. 专属服务 83 28. 燃气交付点 83 29. 配气干线延伸 83 至 84 30. 服务线路延伸 84 31. 市政特许经营费 85 32. 连续或统一服务 85 33. 计量基数 86 34. 服务性质 86 35. 限量令 86 至 88 36. OFO 命令 88A 至 88B (N) 37. 一般规则 89 (T)
基于莫特绝缘体的新型电子产品
经过半个世纪的微型化，微电子技术面临着两大问题，即缩小尺寸极限和能耗。为了克服这些挑战，新策略的探索包括寻找新材料、新物理和新架构。在此背景下，量子材料引起了广泛关注。特别是，作为一类广泛的量子材料的莫特绝缘体，根据传统的能带理论预计是金属的，但由于现场电子-电子排斥而具有绝缘性。在这样的系统中，电子掺杂或外部压力可能会驱动绝缘体到金属的转变 (IMT)，并导致高 Tc 超导或巨磁电阻等显著特性。在过去的几十年里，莫特绝缘体中的填充或带宽控制 IMT（即莫特转变）一直是基础研究的热门话题 [1]。然而，由于一个非常简单的原因，这些 IMT 在应用中的使用仍然相当稀少。事实上，在实际设备中，压力或掺杂并不是容易控制的参数。我们 IMN 的研究小组证明，电场是破坏莫特绝缘状态并诱导绝缘体向金属转变的有效参数 [2]。我们首先证明了单晶上的非挥发性和可逆性转换，并进一步在多晶薄层上验证了莫特绝缘体家族的几个成员的转换 [3]。这种现象被称为“电莫特转变”(EMT)，在微电子应用方面前景广阔，并可能为基于莫特绝缘体的新型电子器件打开大门，称为 Mottronics [4]。进一步的研究表明，这种 EMT 是由大量热电子的产生引起的，导致丝状导电路径内发生电子雪崩 [5]。我们证明了这种机制正在驱动具有不同化学成分的多种莫特绝缘体中的 EMT，例如硫族化物 AM 4 Q 8（A=Ga、Ge；M=Nb、V、Ta、Mo；Q=S、Se、Te）和 Ni(S、Se) 2、氧化物 (V 1-x Cr x ) 2 O 3 和分子系统 Au(Et-thiazdt) 2 [6]。非挥发性 EMT 的特性适合于信息存储：“莫特存储器”与基于金属氧化物 (OxRAM) 或相变材料 (PCRAM) 的 ReRAM 相比显示出明显的优势 [7]。此外，我们还表明，受到一连串电脉冲作用的莫特绝缘体可能基于挥发性 EMT 表现出泄漏集成和起火行为。因此，莫特绝缘体可以复制人类大脑中神经元的主要功能，这使得它们可能适合构建人工神经元和硬件人工神经网络 [8]。一个有趣的颠覆性解决方案确实是用节能的人工神经元和突触“硬件”网络（即基于莫特绝缘体的构建块）取代能源密集型的软件网络。从长远来看，我们最近基于超快激光的研究表明，在基于 Mott 绝缘体的电光或全光设备中，可以实现皮秒范围内的最终切换时间 [9]。本演讲将首先回顾电 Mott 跃迁以及此特性所实现的新功能。然后，它将介绍一些 Mottronics 设备的示例，特别是用于数据存储和人工智能应用的示例。