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抗溶剂材料增强了环境制备钙钛矿薄膜的结构和光学特性
钙钛矿太阳能电池 (PSC) 具有低成本、高效率太阳能的潜力，但它们对水分的敏感性限制了实际应用。目前的制造需要受控环境，限制了大规模生产。研究人员的目标是开发在环境条件下寿命更长的稳定 PSC。在这项研究中，我们研究了在自然空气中使用四种不同的反溶剂（甲苯、乙酸乙酯、乙醚和氯苯）制造和退火的钙钛矿薄膜和太阳能电池的稳定性。薄膜（厚度约 300 纳米）通过单步旋涂沉积，并在环境空气中放置长达 30 天。我们监测了结晶度、电性能和光学随时间的变化。结果表明，薄膜的结晶度、形态和电光性能逐渐下降。值得注意的是，用乙酸乙酯制成的薄膜与其他溶剂相比表现出更好的稳定性。这些发现有助于推进在正常环境条件下制造的稳定高性能 PSC。此外，我们还讨论了未来工作方向中可能采用的机器学习（ML）方法来优化材料结构和合成工艺参数，以实现未来高效的钙钛矿太阳能电池的制造。
使用聚合物作为抑制层的二氧化钌薄膜的低温区域选择性原子层沉积
与其他过渡金属氧化物相比，RuO 2 具有独特且有前途的性能。RuO 2 因其卓越的异相催化 [1] 和电催化 [2] 能力而闻名。它是一种导电性极强的氧化物（≈ 35 µΩ cm），电阻率与钌金属相当。这种材料的化学和热稳定性增加了它的吸引力。此外，钌的稀缺性和高成本要求我们了解 RuO 2 的微观特性。[3] RuO 2 薄膜具有低电阻率、优异的扩散阻挡性能、高温稳定性和耐化学腐蚀性，在大规模集成电路中有着广泛的应用。[4,5] 除了 Ru 之外，RuO 2 还可用作铜沉积的种子层。 [6,7] 它具有比 Pt 更好的蚀刻能力，这意味着 RuO2 可以借助 O2/CF4 放电中的反应离子蚀刻 (RIO) 轻松图案化。[8] 最近还有研究表明，RuO2 可以作为下一代 Ru 基互连中 Ru 扩散的优异阻挡层。[9]
通过控制吹扫时间的缺陷同时增强 ALD ZnO 薄膜的电导率并抑制热导率
我们展示了如何同时控制 ZnO 薄膜的电和热传输特性，该薄膜是通过原型原子层沉积 (ALD) 工艺从二乙基锌 (DEZ) 和水前体制备的。关键的 ALD 工艺参数是在 DEZ 前体脉冲之后施加的 N 2 吹扫时间。我们利用 X 射线反射率测量来表征薄膜的生长特性，利用光致发光光谱来表征结构缺陷，利用电传输测量来表征载流子密度、电阻率和塞贝克系数，利用时域热反射测量来表征热导率。光致发光光谱数据表明，延长吹扫时间会产生结构缺陷，从而增加电子载流子密度；这可以解释薄膜电导率增强的原因。同时，缺陷可能会阻碍薄膜中的热传输。因此，实现电导率的同时增加和热导率的降低对热电学至关重要。此外，在光学和微电子领域中，人们非常希望对半导体 ZnO 薄膜的本征电传输特性进行简单的控制。
08用carbonil组功能化的孔石墨烯的薄膜的电物理特性 div>
使用基于密度函数理论的紧密结合方法，我们研究了羰基对孔物石墨烯薄膜的电物质特性的影响，其直径为1.2 nm，颈部宽度为0。7-2 nm。根据Mulliken的部分电荷分布图的分析，在孔边缘的原子上进行了降落。已经建立了从羰基到孔的石墨烯的电荷转移现象。在研究中的特定膜的特定电导率变化的规律性，在“ Zigzag”方向和扶手椅上的颈部宽度增加了“六边形石墨烯格子的方向”。表明，电导率在“ Zigzag”方向突然变化，并显示了扶手椅方向的接近线性增加。在选择量子电子传输方向时，发现了孔石墨烯膜中电导率各向异性的存在。
通过吸收和扩散实验探索环境空气中金属有机骨架薄膜的稳定性和降解
在这里，我们探讨了探针分子（甲苯）在四种流行结构的 MOF 薄膜中的质量转移：HKUST-1、ZIF-8、UiO-66 和 UiO-67。HKUST 代表香港科技大学，ZIF 代表沸石咪唑酯框架，UiO 代表奥斯陆大学。使用石英晶体微天平 (QCM) 量化客体的吸附和扩散。将 MOF 薄膜暴露在普通环境空气中，并表征其对吸收性能的影响。虽然所有 MOF 薄膜的晶体度都是稳定的，如 X 射线衍射 (XRD) 所示，但我们表明，HKUST-1 和 UiO-67 中甲苯的吸附量和速率常数在暴露于环境空气后严重下降。另一方面，UiO-66 和 ZIF-8 是稳定的，吸附和扩散性能不受样品与实验室空气长期接触的影响。为了揭示缺陷并阐明降解机理，我们使用红外光谱，并将导致传质阻力增加的缺陷与之前描述的缺陷联系起来。对于 UiO-67，实验补充了使用不同客体分子以及 MOF 粉末的吸收实验，结果显示类似的降解和表面屏障演变。在 UiO-67 MOF 中发现的此类传质表面屏障尚未在 UiO 型 MOF 中出现。研究表明，尽管材料的结晶度
聚合物两性离子对 CsPbBr3 钙钛矿纳米粒子和纳米复合薄膜的稳定作用
摘要：以磺基甜菜碱或磷酰胆碱两性离子为侧链基团的功能性聚合物被证实既是 CsPbBr 3 钙钛矿纳米粒子 (PNP) 的配体，又是其基质。这些聚合物可制备出具有出色 NP 分散性、光学透明度和出色的抗 NP 降解性（暴露于水中时）的纳米复合膜。含两性离子的共聚物与 PNP 的多齿相互作用可诱导分散或弱聚集的纳米复合形态，具体取决于聚合物中两性离子官能团的程度。将其他官能团（例如二苯甲酮侧链基团）加入聚合物中可产生可光刻图案化的薄膜，而时间分辨光致发光测量可深入了解 PNP 在两性离子聚合物基质中的电子影响。
外延PB（Zr，Ti）O3薄膜的组成修饰，用于高性能压电收割机
在这项研究中，由RF磁铁溅射以不同的ZR/[ZR + Ti]比率而沉积的压电能量收割机（PEHS）是基于外部PB（ZR，Ti）O 3（PZT）薄膜制造的。对于与微电力系统的兼容性，外部PZT薄膜被沉积在SI底物（PZT/SI）上。形态相边界（MPB）的组成范围为0.44≤zr/[Zr + Ti]≤0.51的外观PZT/Si的0.51，其比散装PZT的宽度要广泛得多。同时，使用Unimorph Cansilever方法，通过直接和逆向压电效应评估有效的横向压电系数（| E 31，F |）值。在组成中，Zr/[Zr + Ti]的菱形统治MPB（MPB-R）= 0.51表现出直接| E 31，f |在这项研究中，10.1 C m -2和相对介电常数（𝝐 r）为285，最大程度的功绩为40 GPA。另一方面，最大匡威| E 31，f |从Zr/[Zr + Ti]的四方优势MPB（MPB-T）测量14.0 C m-2的2。在共振频率下，MPB-T在加速度为3 m-1 s-2的加速度下，高输出功率密度为301.5μW-1 /（cm 2 g 2），这对于高表现PEH应用非常有前途。
电子回旋共振等离子体法制备氮化硅薄膜的键合结构和氢含量
a 电子和计算机技术系，卡塔赫纳理工大学，30202 卡塔赫纳，西班牙 b 马德里康普顿斯大学 Física Aplicada III 系，28040 马德里，西班牙 c 萨里大学离子束中心，吉尔福德 GU2 7XH，英国 d 研究所Tecnológico e Nuclear, Estrada Nacional 10, 2686-953 Sacavém, 葡萄牙 e 南岸大学工程、科学和技术学院, 103 Borough Road, London SE1 0AA, United Kingdom
离子能对高功率脉冲磁控溅射沉积的氮化钛薄膜的微结构和性能的影响
摘要：氮化钛（Ti-n）薄膜是电导和导导的，具有高硬度和耐腐蚀性。致密和无缺陷的Ti-N薄膜已被广泛用于切割工具，耐磨性组件，医疗植入装置和微电子的表面修饰。在这项研究中，通过高功率脉冲磁控溅射（HPPM）沉积了Ti-N薄膜，并分析了其血浆特性。通过调节底物偏置电压以及其对微结构，残留应力和薄膜的粘附的影响来改变Ti物种的离子能量。结果表明，在引入氮气后，在Ti靶标表面形成了Ti-N化合物层，从而导致Ti目标放电峰功率增加。此外，Ti物种的总频量减少，Ti离子的比率增加。HPPM沉积的Ti-N薄膜密集且无缺陷。当Ti-ions的能量增加时，Ti-nfim的晶粒尺寸和表面粗糙度减少，残留应力增加，Ti-N Thin Fimflm的粘附强度降低。