隔膜膜是大脑中重要的薄膜结构,可将侧心室前角分开,对于维持脑解剖学和功能至关重要。在这里,我们描述了一个38岁的男性,有20年的癫痫发作,每年发生约三到四次,每集持续30分钟至一小时,他们在三天前又有了最近的癫痫发作。大脑的磁共振成像(MRI)显示出其后部缺乏隔膜颗粒状,两个侧心心室的轻度突出和肉质的异常疗程,导致诊断为隔离膜的部分缺乏。该病例强调了全面神经影像在检测结构性脑异常中的重要性,这对于有效的诊断,管理和改善患者结果至关重要,尤其是在长期存在的癫痫发作障碍中。
卤化物钙钛矿最近已成为一种有前途的低成本、高效太阳能电池材料。5 通过采用全固态薄膜结构和用混合卤化物钙钛矿设计电池结构,基于钙钛矿的太阳能电池的效率从 2009 年的 3.8% 迅速提高到 2014 年的 19.3%。钙钛矿太阳能电池的出现彻底改变了该领域,不仅是因为它们效率迅速提高,还因为它们在材料生长和结构上具有灵活性。钙钛矿太阳能电池的卓越性能表明钙钛矿材料具有内在独特的 10 种特性。在这篇综述中,我们总结了最近关于卤化物钙钛矿材料的结构、电学和光学特性及其在太阳能电池中的应用的理论研究。我们还讨论了钙钛矿在太阳能电池中使用时面临的一些当前挑战以及可能的理论解决方案。
摘要:众所周知,在现代微电子和纳米电子学中,薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响,并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底,使用了磷掺杂的硅单晶晶片,取向为 (111) 方向,电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片(Al-Si 系统)和氧化硅晶片(Al-SiO2 系统)的温度场,既有点热源的情况,也有长矩形金属化路径的情况(假设轨道长度明显超过其宽度)。计算结果表明,金属化路径(宽度 75 μm)横向的温度分布是不均匀的。结果还表明,与 SiO2 膜相比,硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
对于金属有机骨架 (MOF) 薄膜的光电应用,能够制造相对于基底表面法线高度取向的薄膜和异质结构非常重要。但是,如果没有足够详细的沉积薄膜结构表征,实现此目标的工艺优化将非常困难。结果表明,实验室系统的 2D 掠入射广角 X 射线散射 (GIWAXS) 数据对于提供此类表征大有帮助,并且可以 1) 比 1D 扫描更好地测试结构模型,2) 提供具有所需表面取向纹理(2D 粉末)的沉积薄膜部分的定量估计(可用于工艺优化),以及 3) 提供此类信息作为薄膜深度的函数(可用于异质结构表征)。本文在理解 MOF 薄膜的背景下介绍了 GIWAXS 数据收集和分析,然后展示了如何通过最小化溶液中的成核作用将通过蒸汽辅助转化制备的 UiO-66 的所需取向分数(2D 粉末分数)从 4% 提高到 95% 以上。最后,证明了一旦优化合成方案,就可以生长 UiO-66 和 UiO-67 的异质结构,其中两层都是高度有序的(UiO-66 83%,UiO-67 > 94%)。
摘要:众所周知,在现代微电子和纳米电子学中,薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响,并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底,使用了磷掺杂的硅单晶晶片,取向为 (111) 方向,电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片(Al-Si 系统)和氧化硅晶片(Al-SiO2 系统)的温度场,既有点热源的情况,也有长矩形金属化路径的情况(假设轨道长度明显超过其宽度)。计算结果表明,金属化路径(宽度 75 μm)横向的温度分布是不均匀的。结果还表明,与 SiO2 膜相比,硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
MiranMozetič教授于1961年出生于斯洛文尼亚的卢布尔雅那,并在斯洛文尼亚马里波尔大学获得了电子真空技术博士学位。自2009年以来,他一直是薄膜结构和等离子体表面工程研究团队的负责人,自2010年以来,他一直是斯洛文尼亚卢布尔雅那国际研究生院的教授。MiranMozetič教授为各种材料的血浆处理完成了以下出色的发明。首先,他开发了一种对聚合物复合材料的血浆处理方法,该方法可以直接电化学金属化并构建了生产线。每年生产超过3000万件,已有十多年来。射频发生器的创新耦合可以在批处理模式下均匀地处理众多产品。Mozetič教授开发的第二种技术是一种在大气压下在水中维持低压等离子体的方法。该方法基于通过超级浪费建立稳定的气泡。电极浸入气泡饱和压力下的气泡中。在这种压力下(与经典的大气压等离子体相比,OH激进分子的相对较长的寿命)和经过超级浪费气泡的水的快速速度可以使水中的病毒快速失活。第三个等离子体技术是在连续模式下具有氢血浆的金属的脱氧化。Mozetič教授开发了一种方法并构建了生产线。第四,Mozetič教授开发了一种快速激活氟化聚合物的方法。均匀的等离子体使用辐射发电机的四极耦合在10 m以上的反应器中维持,因为由于经典耦合不合适,因此由于对长线圈的绝大阻抗不合适。用特氟龙或类似材料制成的产品用氢血浆处理或多或少。真空紫外线辐射和氢原子之间的协同作用会导致C-F键的分裂,并在氟化聚合物表面形成非常薄的聚烯烃层。在第二步中,用中性氧原子处理产物,以确保这些疏水材料的超亲养表面饰面。Mozetič教授开发的第五个等离子技术用于在连续模式下处理种子。他构建了一个8米长的拖车,该拖车在农场用于种子,消毒和表面激活的排毒,从而使种子的超亲水表面饰面使种子的超亲水表面饰面,因此在播种后迅速吸收了水。种子处理设备的容量超过1吨/小时,并且通过通过垂直等离子体反应器掉落种子来实现治疗均匀性。发明记录在欧盟和/或美国办事处授予的20份专利中。Mozetič教授在期刊的科学会议或讲习班上合着了400多种科学文章,并给予了大约100篇被邀请的,主题演讲或全体讲座。他的科学成就为应用和工业项目提供了坚实的背景,他的专业正在提高创新的解决方案和建造大型低压非平衡等离子体反应堆,这些血浆反应堆已用于批量生产。