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World File Search System蚀刻
钼-金双层膜的光刻蚀 Kiyotake NARAOKA
钼和金双金属在微电子中用作互连导体。为了对双金属进行光刻蚀，首先用一种新的金蚀刻剂蚀刻金层，该蚀刻剂是由碘和碘化鎓在乙醇和水的混合物中的溶液组成。在金蚀刻过程中没有观察到钼层的溶解，因为蚀刻剂不会侵蚀钼。
使用新型 Ni/Au/Ni 干蚀刻掩模和欧姆接触演示 372 nm 微柱发光二极管
摘要: 0LFURSLOODU,Q*D1$O*D1/('V ZHUH IDEULFDWHG XVLQJ D QRYHO 1L$X 1L HWFKLQJ PDVN 7KLV 1L$X 1L VWUXFWXUH HIIHFWLYHO\ FRPELQHV D JRRG RKPLF FRQWDFW DQG HWFKLQJ PDVN LQWR D VLQJOH VWUXFWXUH DOORZLQJ IRU GHPRQVWUDWLRQ RI QP PLFURSLOODU/('V 7KH JDOOLXP QLWULGH*D1 PDWHULDOV V\VWHP LV RI JUHDW UHVHDUFK LQWHUHVW GXH LQ SDUW WR LWV KLJKO\ WXQDEOH SHDN HPLVVLRQ ZDYHOHQJWK ZKHQ VHUYLQJ DV DFWLYH UHJLRQ IRU SKRWRQLF RSWRHOHFWURQLF GHYLFHV %\ DOOR\LQJ *D1 ZLWK DOXPLQXP RU LQGLXP WKH SHDN HPLVVLRQ ZDYHOHQJWK IURP WKRVH DFWLYH UHJLRQV FDQ EH WXQHG IURP GHHS XOWUDYLROHW 89 WR UHG 0RVW IDPRXVO\ *D1 DQG ,Q*D1 HQDEOHG WKH IDEULFDWLRQ RI EOXH DQG YLROHW OLJKW HPLWWLQJ GLRGHV /('V DQG ODVHU GLRGHV /'V > @ *D1 EDVHG /('V FRQWLQXH WR ILQG DSSOLFDWLRQV LQ VWHULOL]DWLRQ ZDWHU SXULILFDWLRQ DQG LQ RWKHU ELRPHGLFDO GHYLFHV > @ 7KHVH HPLWWHUV KDYH DOVR HQDEOHG IDEULFDWLRQ RI IXOO FRORU *D1 EDVHG GLVSOD\V > @ $V WKH UHVROXWLRQ RI WKHVH GLVSOD\V LQFUHDVHV /(' HPLWWHUV PXVW VKULQN LQ VL]H WR VHUYH DV LQGLYLGXDO 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牙科世界目录 - Medident Exim
蚀刻 蚀刻凝胶 蚀刻剂 15 蚀刻剂 15 8 蚀刻凝胶 S 蚀刻凝胶 S 8 粘接 光固化粘接 边缘粘接 边缘粘接 8 ART 粘接 ART 粘接 8 单层粘接 单层 8 单层自蚀刻粘接 单层 9 单层 7.0 单层 9 化学固化粘接 ParaPost ® 粘合剂调节剂 ParaPost ® 8 ParaBond ® ParaBond ® 8 填充材料 光固化复合材料 MIRIS ® 2 MIRIS ® 10 SYNERGY ® D6 SYNERGY ® 13 SYNERGY ® D6 Flow SYNERGY ® 14 SYNERGY ® Nano Formula SYNERGY ® 15 汞合金 Oralloy Magicap S Oralloy 21 固化灯 Coltolux LED Coltolux 17 Coltolux 75 Coltolux 17 临时修复 洞型 Coltosol ® F Coltosol ® 18 Duo TEMP™ Duo TEMP™ 18 牙冠和牙桥 Cool Temp ® Natural Cool Temp ® 18 TempoSIL ® 2 TempoSIL ® 2 19 Snap ROEKO 20 配件 器械 复合器械 20 辅助材料 基质 ROEKO 20 机械固定 Pins Max ® Pin Max ® 21 TMS LINK ® TMS LINK ® 21 TMS LINK PLUS ® TMS LINK ® 21 Kodex ® 钻 Kodex ® 23 TMS ® TMS ® 24 水泥 ParaPost ® ParaCore ® ParaPost ® 56 ParaCem ® Universal DC ParaCem ® 57 ParaPost ® 水泥 ParaPost ® 57 Duo Cement Plus Duo水泥 57
补充信息具有锡空位中心的非线性量子光子学与一维金刚石波导耦合
样品制作工艺从对 < 100 > 表面取向的电子级金刚石衬底 (元素 6) 进行植入前表面处理开始。首先将样品衬底放入湿式 Piranha（H 2 SO 4 (95 %): H 2 O 2 (31 %) 比例为 3:1）无机溶液中，在 80 ◦ C 下清洗 20 分钟，然后通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻 (ICP/RIE) Ar/Cl 2 等离子体化学配方进行表面约 5 µ m 蚀刻，以去除衬底表面残留的抛光诱导应变。再进行约 5 µ m ICP/RIE O 2 化学等离子蚀刻，以去除前面蚀刻步骤中残留的氯污染[1]。接下来，将样品在 Piranha 溶液中进行无机清洗（80 ◦ C 下 20 分钟），并注入 Sn 离子（剂量为 1e11 离子/cm 2，能量为 350 keV）。在通过真空退火（1200 ◦ C）激活 SnV 中心之前，进行三酸清洗（比例为 1:1:1，HClO 4（70%）：HNO 3（70%）：H 2 SO 4（> 99%））1.5 小时，以去除任何残留的有机污染，然后在退火步骤后进行相同的湿式无机清洗程序，以去除在金刚石基材退火步骤中形成的任何表面石墨薄膜层。为了评估 SnV 中心是否成功激活，在悬浮结构纳米制造之前对样品进行表征。波导结构的纳米加工遵循参考文献[2-6]和[1]中开发的基于晶体相关的准各向同性蚀刻底切法的工艺。图S1中显示了该方法的示意图。
利用金属辅助化学蚀刻进行 X 射线光学器件微加工：综述
摘要：高纵横比硅微纳米结构在微电子、微机电系统、传感器、热电材料、电池阳极、太阳能电池、光子装置和 X 射线光学等多种应用领域中具有技术相关性。微加工通常通过反应离子干法蚀刻和基于 KOH 的湿法蚀刻来实现，金属辅助化学蚀刻（MacEtch）作为一种新型蚀刻技术正在兴起，它允许在纳米级特征尺寸中实现巨大的纵横比。到目前为止，文献中缺少对 MacEtch 的专门综述，既考虑了基本原理，也考虑了 X 射线光学应用。本综述旨在提供全面的总结，包括：（i）基本机制；（ii）在垂直于 <100> Si 基底的方向上进行均匀蚀刻的基础和作用；（iii）用 MacEtch 制造的几个 X 射线光学元件示例，例如线光栅、圆形光栅阵列、菲涅尔区板和其他 X 射线透镜； (iv) 吸收光栅完整制造的材料和方法以及在基于 X 射线光栅的干涉测量中的应用；以及 (v) X 射线光学制造的未来前景。本综述为研究人员和工程师提供了对 MacEtch 作为 X 射线光学制造新技术的原理和应用的广泛和最新的理解。
采用 TiO2 模板原子层沉积技术在金刚石膜上制备高 Q 纳米光子谐振器
电子束光刻：根据应用，将电子束光刻胶 (950K PMMA A4，MicroChem) 旋涂至 270 nm-330 nm 的厚度。接下来，在顶部热蒸发 20 nm Au 的导电层，以避免光刻过程中电荷积聚。为了进一步减轻充电效应，我们使用了相对较低的束电流 (0.3 nA)、多通道曝光 (GenISys BEAMER) 和减少电子束在一个区域持续停留时间的写入顺序。光刻胶的总曝光剂量为 1200 uC/cm2，电压为 100 kV (Raith EBPG5000 plus)。曝光后，我们用 TFA 金蚀刻剂 (Transene) 去除导电层，并在 7 C 的冷板上将光刻胶置于 1:3 MIBK:IPA 溶液中显影 90 秒，然后用 IPA 封堵 60 秒，再用 DI 水冲洗。原子层沉积：在进行 ALD 之前，我们在 ICP RIE 工具 (PlasmaTherm Apex) 中使用 10 sccm O2 和 50 W ICP 功率进行三秒等离子曝光，以去除残留聚合物。使用此配方，PMMA 蚀刻速率约为 2.5 nm/s。对于 TiO 2 沉积，我们使用商用热 ALD 室 (Veeco/Cambridge Savannah ALD)。使用四（二甲酰胺）钛 (TDMAT) 和水在 90 C 下沉积非晶态 TiO 2，交替脉冲分别为 0.08 秒和 0.10 秒。沉积期间连续流动 100 sccm N 2，前体脉冲之间的等待时间为 8 秒。沉积速率通常为 0.6 A/循环。 ICP 蚀刻程序：我们通过氯基 ICP RIE 蚀刻（PlasmaTherm Apex）去除过填充的 TiO 2，基板偏压为 150 W，ICP 功率为 400 W，Cl 2 为 12 sccm，BCl 为 8 sccm。蚀刻速率通常为 1.5-1.7 nm/s。SEM 成像：在 5 nm Cr 导电层热沉积后，使用 Carl Zeiss Merlin FE-SEM 对纳米光子结构进行成像。FDTD 模拟：使用 Lumerical 有限差分时域软件模拟环形谐振器、光子晶体腔和光栅耦合器。透射光谱：我们使用自制的共焦显微镜装置，该装置具有独立的收集和激发通道，以进行透射光谱。脉冲超连续源 (430-2400 nm，SC-OEM YSL Photonics) 和光谱仪 (1200 g/mm，Princeton Instruments) 用于宽带测量。为了对单个腔体谐振进行高分辨率扫描，我们使用 50 kHz 线宽、可调 CW 激光器 (MSquared) 进行激发，并使用雪崩光电二极管 (Excelitas) 进行检测。金刚石膜：通过离子轰击 34 生成 500 nm 厚的金刚石膜，并在阿贡国家实验室通过化学气相沉积进行覆盖。在对离子损伤层进行电化学蚀刻后，去除悬浮膜并用 PDMS 印章翻转。然后使用 ~500 nm 的 HSQ 抗蚀剂将它们粘附到 Si 载体上，并在氩气中以 420 C 的温度退火 8 小时。最后，使用 ICP 蚀刻法将膜蚀刻至所需厚度，蚀刻气体为 25 sccm Ar、40 sccm Cl2、400 W ICP 功率和 250 W 偏压功率。蚀刻速率通常为 1.2-1.4nm/s。
冷等离子体应用 - 本土开发...
冷大气压等离子体 (CAPP) 已成为一种多功能工具，应用范围从材料加工到等离子体医学 [1]。近年来，针对大气压冷等离子体装置的研究出现了显著增长 [2, 3]。这些装置的优点是无需使用昂贵且笨重的真空设备 [4]。此外，由于其气体温度低且产生的活性物质，这种类型的等离子体源具有从工业到生物学等各种应用 [5,6]。大气压冷等离子体蚀刻已在各个行业中得到广泛应用。在微电子领域，它用于半导体材料的精确和高分辨率蚀刻，从而能够生产更小、更高效的电子设备。在汽车工业中，它在改善粘合剂粘合和表面处理、提高部件的耐用性和性能方面发挥着作用 [7,8]。医疗领域受益于其对医疗器械进行消毒的能力，确保了患者的安全 [9]。在包装领域，它有助于表面活化，从而提高油墨和涂层的附着力。此外，它的环保特性符合可持续发展目标，使得大气压冷等离子蚀刻成为现代工业过程中越来越有价值的工具。
钼硅质超导纳米线单...
第二，具有侵略性的干蚀刻和湿清洁，对于最佳波导图案至关重要，可能会损害纳米线的制造产量和整体检测器性能。根据所选过程流量，可以实施几种缓解策略。在检测器优先的方法中（在波导蚀刻之前制造纳米线），可以应用封装层以减少纳米线降解。22相反，波导优先的方法（在波导蚀刻后产生纳米线）自然会暴露于侵袭性化学物质中。但是，这种方法可能导致纳米线制造过程的波导质量降解，从而增加了光损失。此外，波导的表面粗糙度可以影响检测器的产量。21在这种情况下，缓冲层20在随后的处理过程中为波导提供了保护，同时也有可能降低表面粗糙度。纳米线的产量也可以通过使用无定形超导体来提高，因为它们的底物要求较少。22