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单发定量相成像的非对称跨表面光电视
摘要：通过波前传感对纯相对象的可视化具有重要的应用，从表面效果到生物医学显微镜，通常需要涉及光空间过滤，干涉测量法或结构化照明的笨重且复杂的设置。在这里，我们引入了一种新型的图像传感器，该传感器对光传播的局部方向具有独特的敏感性，基于涂有特殊设计的等离子跨表面的标准光电探测器，从而产生了对表面正常围绕入射角的不对称响应性的不对称依赖性。使用模拟光电传动探测器平台证明了元表面设计，制造和角度敏感的操作。测量结果，结合计算成像计算，然后用来表明基于这些跨表面像素的标准摄像头或微观范围可以直接访问相位对象，而无需任何其他光学元素，而最先进的最小可检测到的最小可检测相的相比是10 mrad。此外，在同一像素阵列上具有相等和相反角度响应的传感器的组合可用于在单个镜头中执行定量相成像，并具有定制的重建算法，该算法也在这项工作中也开发。凭借其系统的微型化和测量简化，这些设备启用的相成像方法对于涉及涉及空间约束和便携式设置的应用尤其重要（例如，现场的想象和内镜和内镜）和涉及自由移动对象的测量值。
考古科学杂志：报告
描述了最近精制的原理和应用示例，计算机化表面光伏（SPV）方法。The SPV method was used to optimize c l 巴 aningefficiency and to monitor ‘ in-lin ぜ heavy metal contamination and charge during critical processing steps for Statistical Process Control (SPC) Examples of the optimization of various cleaning steps ， effects of the purity of virgin and reused chemicals ， and the surface topology on cleaning efficiency will be given together with examples of SPC monitoring of real problems in processing lines.传入化学物质的清洁度并不总是一个限制因素，并且通常与使用点（在清洁站中）的化学物质的清洁度无关。这种新的M thodi能够具有waferscale，非散装中金属污染物的触点图，其敏感性高达10 10原子CM-3
用于活性光子学的新型相变材料
相变材料或 PCM 是一种非常了不起的化合物，其独特的可切换特性推动了电子和光子学领域新兴应用的蓬勃发展。尽管如此，如果我们不考虑它们在光盘中的应用，PCM 在数据记录之外的光子学领域的巨大应用潜力在过去十年才开始显现。虽然几十年前光学或电子数据存储的材料要求被简洁地概括为五个关键要素“可写性、档案存储、可擦除性、可读性和可循环性”，但这些要求对于目前正在探索的各种光子应用来说并不是普遍适用的。同样不足为奇的是，现有的 PCM 已经经过了严格的数据存储审查，但它们不一定是光学和光子学中不同用例的最佳组合物。因此，随着相变光子学的不断扩展，具有针对特定应用量身定制的属性的 PCM 需求旺盛。在这里，我们讨论了专门针对光子应用的 PCM 选择和设计策略，以及我们最近基于针对光子学的新 PCM 开发有源集成光子器件和超表面光学器件的工作。
BC MSC.CDR
1。I. Tsiapkinis，IKZ柏林，带开源软件的浮动区域过程的多物理模拟2。C. Rhode，Ikz Berlin，用于应变工程功能氧化物层的己酸盐底层晶体的生长和研究3.F. Kannemann，Ikz Berlin，熔融4的有机晶体生长的实验研究。N. sahsuvar，Uni Freiburg，全无机CS 2 Agbibr的合成和表征6双钙钛矿单晶用于辐射检测器应用5。C. Hartmann，Ikz Berlin，散装ALN晶体的生长具有有效的直径和表征25 mm Aln底物的表征6。L. Grieger，Freiberg Instruments，使用表面光伏特光谱研究7.R. Karhu，IISB Erlangen，4H-SIC A-Plane底物上的同性恋8。P. Wimmer，IISB Erlangen，4H-SIC底物中残留应力的光弹性测量用于评估晶体生长过程9.M. Zenk，IISB Erlangen，对气体组成和流速的影响以及动力学参数对Gan Boules HVPE生长期间生长速率的影响。V. Zimmermann，MPI Stuttgart，Prnio的高压光浮动带3单晶11。A.Böhmer，Uni Bochum，单晶的生长和跨金属化合物的表征，作为学士学位和硕士学生的高级实验室课程12.J. Strahl，Uni Frankfurt，Eumn 2 x 2，x = Si，ge 13。F. Walther，M。Ocker，Uni Frankfurt，材料的晶体生长接近关键端点和Altermagnets 14。S.