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World File Search System裸露表面
磁性药物靶向和基于铁毒素的癌症治疗中的氧化铁纳米颗粒
与其他几种NP变体不同，IO NP可以借助EMF引导到肿瘤部位，而无需固定靶向剂，例如肽，适体，蛋白质或抗体。但是，类似于其他NP类型，至关重要的是要覆盖IO NP的裸露表面（例如，使用聚合物或细胞膜）来防止调子化和聚集，并逃避巨噬细胞的吸收，以便它们可以到达肿瘤部位（图1A）[2]。使用IO NPS采用MDT有两种策略：直接与IO NP的药物共轭或与IO NP共同负载的DDS的药物共轭。使用IO NP，其他参数，例如血流速率，NPS的表面电荷或其尺寸也可能对NP的最终积累产生显着影响，而磁场强度在MDT中起关键作用。磁场梯度可能导致IO NP向最强磁力（F）的区域移动，如公式（4）[3]：
X射线反射率来自弯曲表面，如熔融铜上的石墨烯层所示
X射线反射技术可以提供具有原子分辨率精度的表面，接口和薄膜的平面外电子密度纤维。虽然当前的方法需要高表面的平流，但由于表面张力非常高，这对于自然弯曲的表面，尤其是液态金属的挑战。在这里，使用配备有双晶体束向旋转器的同步降低衍射仪，在高度弯曲的液体表面上具有几十微米的光束大小的X射线反射测量。使用标准反射性–2扫描的提议和开发方法成功地用于原位研究熔融铜和熔融铜的裸露表面，该铜和熔融铜被化学蒸气沉积原位生长的石墨烯层覆盖。发现在1400 K处的铜液体表面的粗糙度为1.25 0.10a˚，而石墨烯层的距离与液体表面分离为1.55 0.08a˚，其粗糙度为1.26 0.09a˚。
氧化铁纳米粒子在磁性药物靶向和基于铁死亡的癌症治疗中的应用
与其他几种 NP 变体不同，IO NP 可以借助 EMF 引导至肿瘤部位，而无需在表面固定肽、适体、蛋白质或抗体等靶向剂。然而，与其他类型的 NP 类似，必须在 IO NP 的裸露表面涂上涂层（例如，用聚合物或细胞膜）以防止调理作用和聚集，并避免被巨噬细胞摄取，这样它们才能到达肿瘤部位（图 1A）[2]。使用 IO NP 进行 MDT 有两种策略：将药物直接结合到 IO NP 上，或将药物结合到与 IO NP 共同负载的 DDS 上。虽然磁场强度在使用 IO NP 的 MDT 中起着关键作用，但其他参数（如血流速率、NP 的表面电荷或它们的大小）也会对 NP 的最终积累产生重大影响。磁场梯度可导致IO NPs向磁力最强的区域（F）移动，如方程（4）所示[3]：
采用远程等离子体辅助氢解吸和乙硅烷作为前驱体的硅原子层外延
沉积 (RPCVD) 系统以尽量减少表面损伤。起始表面是二氢化物和一氢化物终止的组合。ALE 实验周期包括用等离子体中的氦离子轰击基底 1-3 分钟以使其解吸，然后在无等离子体激发的情况下，在一定分压范围（1&- 7 Torr 至 1.67 mTorr）、温度范围（250 0 C-400 0 C）和时间范围（20 秒至 3 分钟）内用乙硅烷对表面进行剂量控制，以自限制方式将 Si2H6 吸附在轰击产生的裸露表面 Si 原子上，形成硅基 (SiH3) 物种，从而形成氢终止表面。在 3 分钟的轰击周期内，获得的最大生长量为每周期 0.44 个单层。随着轰击周期时间的减少，每周期的生长量减少，表明氢去除的百分比随着轰击时间的增加而减少。
在L模式高通力运动期间，西部主要等离子体面向组件的钨大侵蚀调查
在2023年，在西部进行了最初的高通力运动，该活动是由新安装的主动冷却的钨分流，由Iter级单块组成。该活动包括在附着的转移条件下重复60秒钟的长氘L模式脉冲，累积了超过10000秒的血浆暴露。在外部罢工点区域达到了大约5举10 26 m -2的最大氘静脉，代表了一些高性能iTer脉冲。从可见光谱中推断出的总钨侵蚀表明，最受侵蚀的等离子体面向成分是内部分流目标，其速率比外移分离目标大十倍。位于离等离子体数厘米的外部平面钨保险杠，显示出侵蚀率的侵蚀速率是外移分流的两倍。我们得出的结论是，外部平面保险杠对远程钨的迁移和沉积到下层的延长具有可忽略的贡献。内部分流器上的累积总侵蚀率以约20μm的有效总侵蚀厚度转换，而外分离器的侵蚀速率约为20μm。引人注目的是，这些订单与分流物上本地的沉积物厚度一致：高场侧单块的裸露表面覆盖着几个μm的钨沉积物，而在下部侧面，很少有μm薄钨沉积物仅在磁性阴影部分上发现单块的磁性阴影部分。尤其是研究行动的开始，应考虑分离侵蚀预算的定义，以预测有害存款的形成。这些沉积物对西部运行的强烈影响，即表面温度测量与红外热摄影的扰动以及片的发射导致受限血浆的辐射扰动，要求预测ITER中的类似问题。
在...
在二维电子系统（2DE）中发现了这种丰富行为的显着示例，该系统在带绝缘子3（LAO）和SRTIO 3（STO）之间形成的界面形成。[3]在基于氧化物的2DE中观察到了许多有趣的物理现象，包括超导性，[4]一种有趣的磁反应，[5,6]和非常规的RashBA效应。[7–9]基于该系统的不同设备已被证明，首先通过编写原子力显微镜的尖端编写结构来避免与氧化物的光刻图案相关的固有困难。[10]虽然最终克服了这些，并且证明了具有电子束光刻术的电场效应的有效制造[11] [11]在LAO/STO中实现高迁移率2DE所需的高增长温度仍需为设备制造带来挑战。[12]可以通过在室温下沉积Al层来形成2DE的演示，已经为在设备中实现基于STO的2DS的新观点开辟了新的观点。[13]最近观察到基于Al/sto 2DES的设备中非常大的旋转转换效应，突出了该系统对氧化物电子产品的潜力。[14]同样的工作还表明，2DES的Complex频段结构对于其属性和设备性能至关重要。现在，在最常见的晶体学方向上，通过角度分辨光学光谱（ARPE）对Sto裸露面的2DE的电子结构已经进行了很好的研究。[15–20]该2DE是通过引入氧气空位来形成的，这些空位是通过在UHV条件下用高能量光子的辐照在裸露表面产生的。[21]相同的机制允许在其他氧化物（如KTAO 3，SNO 2和TIO 2）中稳定表面2DES [22-26]，并且与Ar Ion bombard bombard的金属STO表面层不同。[27,28]铝在UHV裸露表面上的铝沉积以类似的方式产生了2DE。在这种情况下，由于有效的氧化还原反应而产生了氧空位，而Al膜从底物中泵入氧气，而氧气则将其氧化为绝缘Alo X。[13]，由于诱导此Al/sto 2DE仅需要很少的Al，因此表面敏感的ARPES测量也可以访问。正如预期的那样，通过两种方法获得的2DE的电子结构相似，因为两个系统都出现了氧气空位