XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System记忆
为什么生成学习策略可以改善记忆？
摘要 —生成性学习策略与认知和情感相联系。基于单因素实验设计，75 名被试被随机分配到化学虚拟现实 (VR) 课程，在三种条件下学习：VR、VR+总结和VR+自我测试。使用 emWave 系统记录学习者在学习过程中的情绪状态。使用保留测试测量学习者的学习成果，使用工具测量学习体验。结果表明，与没有生成性学习策略的 VR 课程学生相比，1）在学习过程中进行生成性自我测试策略的学生在认知过程中表现出更多积极情绪，学习后积极评价更多，记忆测试分数更高；2）在学习过程中进行生成性总结策略的学生在认知过程中表现出更多积极情绪，但即时记忆分数较低。这些发现为解释生成性总结和自我测试学习策略如何影响基于 VR 的学习提供了新的证据。
组织居民记忆T细胞作为免疫治疗治疗黑色素瘤反应和毒性的介体的作用 - 同一硬币的两个侧面？
居住的记忆T细胞（T RM细胞）已成为黑色素瘤和其他实体瘤抗肿瘤免疫的有趣研究主题。在抗肿瘤免疫的初始阶段，它们保持免疫平衡，并防止肿瘤细胞和原发性黑色素瘤形成的挑战。在转移性环境中，它们是免疫检查点抑制（ICI）的主要靶细胞群体，因为它们高表达抑制性检查点分子，例如PD-1，CTLA-4或LAG-3。一旦用ICI治疗黑色素瘤患者，居住在肿瘤中的T RM细胞就会重新激活并扩展。肿瘤杀死是通过分泌效应子分子（例如ifng g）来实现的。但是，还观察到脱靶效应。免疫相关的不良事件，例如影响皮肤等屏障器官的不良事件，可以通过ICI诱导的T RM细胞介导。因此，对这种记忆T细胞类型的详细理解是必须更好地指导和改善免疫疗法方案。
心理评论 - 注意力与工作记忆实验室
当今大多数心理学家对“智力”一词的理解本质上是一个差异性概念。最广为接受的智力结构描述是赫布-卡特尔-霍恩-卡罗尔（HCHC）模型（Brown，2016；Carroll，1993；McGrew，2009；见图 1），该模型将智力归因于一个层次结构。在最低层次上，特定技能和狭义的认知能力可能会对不同的认知任务产生影响。在第二层次上，更具普遍性的广义能力因素有助于解释为什么某些任务彼此之间的关联比与其他任务的关联更紧密。这些广义的能力是相关的，这种常见的、任务一般性的变异性在该模型层次结构的顶端表示为一般智力，通常表示为 g 或 g 因子。 g 因子解释了为什么所有认知任务都倾向于相互关联，这种模式被称为正流形（Carroll，1993；McGrew，2009）。尽管人们对智力结构有着广泛的共识，但对于导致智力个体差异的因果因素，人们的看法却不太一致。智力差异的一个主要解释是人们完成基本认知操作的速度不同，这被称为信息处理速度或处理速度。另一个可能的解释是执行注意力或避免分心、集中注意力和保持注意力的能力不同，有时也称为“认知控制”或“执行功能”。
收集中产阶级的记忆？疫情……
Covidmemory.lu 是“一个收集来自生活或工作在卢森堡的普通人的 COVID19 相关照片、视频、故事和访谈的平台”。2 该平台由卢森堡当代和数字历史中心 (C 2 DH) 开发。该网站由我们的同事 Sean Takats 在 2020 年 3 月第一次封锁开始时发起，于 2020 年 4 月 3 日上线。它允许用户上传文本和媒体来记录他们在疫情中的日常经历，并探索其他人的分享内容。我们仍鼓励人们上传。他们可以通过一个简单的在线表格来上传，表格中询问他们经历的日期、姓名和电子邮件地址（这三个字段是必填的，但后两个字段不公开），以及可选的昵称和位置。继承历史研讨会的传统，像 covidmemory.lu 这样的快速反应收集旨在打破国家档案馆的沉默，并保护那些原本无法保存的材料。 3
强迫症及其对记忆的影响
随着精神疾病的发病率逐年上升，越来越多的研究开始探讨其影响，例如强迫症对记忆的影响。强迫症最早在 20 世纪 80 年代的《精神疾病诊断和统计手册》中被描述。1 它分为 5 个主要类别：检查、污染、对称/排序、侵入性思维和囤积，可以使用 Y-BOCS 进行测量。强迫症是由遗传、神经生物学、行为和环境因素引起的。神经影像学研究显示眶额皮质和基底神经节过度活跃。科学家发现了强迫症对情景记忆和程序记忆的影响。2004 年，Robert M Roth 对 46 名参与者进行了一项 Pursuit Rotor Task。结果显示，强迫症组的程序记忆增强，这可能是由于大脑某些部位过度活跃所致。此外，2011 年，Mika Konishi 对 45 名参与者使用了“定向遗忘范式”方法。结果显示，强迫症患者的大脑检索抑制减少，选择性编码困难，导致记忆回忆能力下降。
形状记忆合金薄膜拉胀结构
SMA 通常以两种方式使用：要么利用形状记忆效应，要么利用热或应力诱导的马氏体相变提供的超弹性行为。在 TiNi 基 SMA 中，可实现高达 8% [19] 的可逆固有应变，而利用形状记忆效应则需要加热到高温相奥氏体才能可逆地恢复变形。超弹性合金的可逆伪弹性行为与应力诱导的马氏体相变有关，从奥氏体到马氏体。在这种情况下，只需移除施加的载荷即可实现可逆性。根据应用的要求，SMA 的转变温度可以通过热处理或改变成分来调整。[20–22] Chluba 等人。研究表明，三元形状记忆合金 TiNiCu 即使在 1000 万次超弹性循环后也不会出现疲劳，[23] 这使得这种合金成为皮肤电子（应用于皮肤的可拉伸电子产品）等应用的良好候选材料，其中肘部或膝盖处的设备可能会经受大量循环和大应变。嵌入聚合物中的传统金属（如铜）的循环行为已被研究，结果显示应变高达 5% 时就会出现裂纹。[24] 在人体应用中
情绪模拟的记忆：记住玫瑰色的未来
Terms of use This article was downloaded from Harvard University's DASH repository, and is made available under the terms and conditions applicable to Open Access Policy Articles (OAP), as set forth at https://harvardwiki.atlassian.net/wiki/external/NGY5NDE4ZjgzNTc5NDQzMGIzZWZhMGFlOWI2M2EwYTg
记忆增强量子通信的实验演示
使用条款本文从哈佛大学的DASH存储库下载，并根据适用于其他已发布材料（LAA）的条款和条件提供，如https://harvardwiki.atlassian.net/wiki/wiki/wiki/wiki/wiki/wiki/wiki/wiki/wiki/wiki/ngy/ngy/ngy5ngy5ndnde4zjgzndnde4zjgzntc5ndndndgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgizzmgiamsfyytytewy
记忆和显示系统的材料
设备，数据存储在存储单元中存储的电荷量的基础上。记忆单元显示两个电荷状态，它们被编码为“ 0”和“ 1”。2。这些状态必须在数据存储期间稳定。新的有机/聚合物材料表现出两种电稳定状态，称为电气。从一个状态（在状态）到另一个状态（OFF状态）的转移。因此，这些化学材料以其在应用电场下的性质变化形式存储信息。