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6.5-GHz脑刺激系统，使用增强的探针聚焦和开关驱动调制6.5-GHz脑刺激系统，使用增强的探针聚焦和开关驱动调制
摘要 - 第一次，本文提出了一种新型的微波大脑刺激系统的设计，制造和测量结果，从而实现了矩形脉冲包裹的6.5-GHz波的有效探针聚焦。虽然文献中的召开 /关闭刺激系统采用低于0.5 GHz的低频，但拟议的系统采用6.5 GHz，可以实现更多的空间能量聚焦和中等水平的能量渗透深度。在拟议的系统中，ON / OFF调制的微波信号是由由电压控制的振荡器（VCO）和功率放大器（PA）组成的单个芯片生成的。VCO由当前源处的开关驱动，以生成高和低状态之间20 dB隔离的调制信号。用对称载荷包围的中心开放孔的探测器可以向大脑的低功率反射，并将其聚焦在1毫米2区域的方形孔径中。最后，证明了使用具有1 Hz重复脉冲信封的微波信号对体内小鼠大脑的20分钟刺激，而1％的占空比刺激使归一化的频率可达到0.2，而在没有刺激下，归一化的灯率在±0.05以内保持在±0.05之内。这表明所提出的大脑刺激系统可以实现单个海马神经元活性的巨大变化。
用于纳米级垂直自旋转移力矩磁隧道结作为磁传感器的调节电路
摘要 — 本文展示了一种使用垂直自旋转移力矩磁隧道结的新型磁传感器。传感元件呈圆柱形，直径为 50 纳米，据我们所知，是迄今为止报道的最小的磁传感器之一。本文介绍了传感元件和相关信号处理电子设备的工作原理，它们提供与外部磁场成比例的信号。详细介绍了实验结果，并将其与最先进的商用集成磁传感器以及基于磁隧道结的具有可比尺寸的已发布的磁阻传感器进行了比较。所开发的传感器的测量灵敏度为 1.28 V/T，动态范围达到 80 mT。测得的噪声水平为 21.8 µT/√Hz。描述并比较了所提出的传感器的两种不同工作原理，一种基于时间数字转换器，另一种基于脉冲宽度调制信号。这两种方法都只需要标准的微电子元件，适用于将传感元件与其调节电子设备单片集成。需要对传感元件以及调节电子器件进行后续改进，以进一步降低噪声水平。传感元件及其调节电子器件与磁性随机存取存储器制造中已经使用的制造工艺兼容。这为大规模生产开辟了道路，并满足了消费电子、汽车、工业传感、物理实验或医疗设备等各种市场的需求。
可重新配置的非均匀功率组合V波段PA，+17.9 dbm PSAT和26.5％的PAE在16 nm Finfet CMOS
摘要 - 本文介绍了双模式V波段功率放大器（PA）的设计，该功率放大器（PA）使用负载调制提高了功率退回（PBO）时的效率。PA利用可重新选择的两/四向电源组合器来实现两种离散的操作模式 - 满足功率和后退功率。Power Combiner采用了两种技术来进一步提高PBO的PA效率：1）使用具有不均匀转弯比的变压器的使用，以减少对两种模式和2模式之间的PA内核的阻抗差异的差异）使用拟议的开关方案，以消除与背部功率模式相关的泄漏电感（bpm）。两阶段PA的峰值增益为21.4 dB，分数BW（FBW）为22.6％（51-64 GHz）。在65 GHz时，PA的P SAT为 + 17.9 dBm，OP 1 dB为 + 13.5 dBm，峰值功率增加了效率（PAE），在全功率模式下为26.5％。在BPM中，测得的P SAT，OP 1 dB和峰值PAE分别为 + 13.8 dBm， + 9.6 dBm和18.4％。在4.5 dB后退时，PAE的点数增加了6％。PA能够在平均P OUT/PAE分别 + 13 dbm/13.6％的情况下扩增6 GB/S 16-QAM调制信号，EVM RMS为-20.7 dB。此PA在16 nm的FinFET中实施，占0.107 mm 2的核心面积，并在0.95-V电源下运行。
Hus, S.、Ge, R.、Chen, P.-A.、Liang, L.、Donnelly, GE、Ko, W.、Huang, F.、Chiang, M.-H.、Li, A.-P. 和 Akinwande, D. (2020 年)。观察单个
按照之前描述的方法15，在90 nm SiO 2 / Si 基底上新沉积的金膜（30 nm Au 和 1 nm Ti 粘附层）上机械剥离非常大规模的单层 MoS 2 薄片。使用光学相机可以轻松识别剥离的 MoS 2，该相机引导 STM 探针位于单层区域之上以进行成像、光谱和传输研究。在进行第一组 STM 测量之前，将样品在 T = 250 °C 的超高真空条件下（p < 10 −10 Torr）退火数小时以去除水和弱键合分子。初始 STM 研究使用金或钨 STM 探针进行。样品随后在 400 °C 下退火以增加硫空位密度。之后，使用用 50% 饱和 KCl 溶液蚀刻的金 STM 探针进行 STM 和原位传输测量。所有 STM 测量均采用在 100K 下运行的可变温度 STM 系统进行。对于 STS 测量，使用 1Khz 下 20 mV 的调制信号。对于传输测量，使用 3.3 nA 或 330 nA 的顺从电流。在每次传输测量之前，使用 MoS 2 带隙内的稳定电压将金 STM 尖端固定在表面上，以确保尖端和 MoS 2 表面之间的真空间隙减小。然后将 STM 尖端进一步靠近表面以提供稳定的机械和电接触。MoS2 的高机械强度可防止在物理接触期间对尖端和样品造成任何损坏 25