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焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏
焊接对薄型硅太阳能电池造成的损伤以及模块中破裂电池的检测 Andrew M. Gabor、Mike Ralli、Shaun Montminy、Luis Alegria、Chris Bordonaro、Joe Woods、Larry Felton Evergreen Solar, Inc. 138 Bartlett St., Marlborough, MA 01752, 508-597-2317, agabor@evergreensolar.com Max Davis、Brian Atchley、Tyler Williams GreenMountain Engineering 500 Third St, Suite 265, San Francisco, CA 94107 摘要：降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺导致硅片和电池厚度不断减小。工艺、材料和处理设备必须进行调整以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将电线焊接到电池上是变得更具挑战性的步骤之一。电池可能在加工过程中破裂，或者由于加工过程中的损坏导致模块破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 开发了有助于优化工艺、设备和材料的工具，并开发了改进的模块级裂纹检测方法。在本文中，我们描述了一种电池破损强度测试仪，我们将其构建为一种快速反馈和质量控制工具，用于改进和监控焊接过程。我们还描述了一种电致发光裂纹检测系统，我们开发该系统是为了快速、无损地对模块中破裂的电池进行成像。有限元建模用于解释为什么与背面相比，在模块的玻璃面上加载时电池更容易破裂。关键词：模块制造、可靠性、焊接 1 简介 降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，正在推动晶圆和电池厚度的稳步下降。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将导线焊接到电池上是更具挑战性的步骤之一。电池可能会在此过程中破裂，或者由于在此过程中造成的损坏，模块随后会破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 正在研究裂纹形成的机制，并正在开发有助于优化工艺和材料的工具，并正在开发模块级裂纹检测的改进方法。
焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏
焊接对薄型硅太阳能电池造成的损伤以及模块中破裂电池的检测 Andrew M. Gabor、Mike Ralli、Shaun Montminy、Luis Alegria、Chris Bordonaro、Joe Woods、Larry Felton Evergreen Solar, Inc. 138 Bartlett St., Marlborough, MA 01752, 508-597-2317, agabor@evergreensolar.com Max Davis、Brian Atchley、Tyler Williams GreenMountain Engineering 500 Third St, Suite 265, San Francisco, CA 94107 摘要：降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺导致硅片和电池厚度不断减小。工艺、材料和处理设备必须进行调整以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将电线焊接到电池上是变得更具挑战性的步骤之一。电池可能在加工过程中破裂，或者由于加工过程中的损坏导致模块破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 开发了有助于优化工艺、设备和材料的工具，并开发了改进的模块级裂纹检测方法。在本文中，我们描述了一种电池破损强度测试仪，我们将其构建为一种快速反馈和质量控制工具，用于改进和监控焊接过程。我们还描述了一种电致发光裂纹检测系统，我们开发该系统是为了快速、无损地对模块中破裂的电池进行成像。有限元建模用于解释为什么与背面相比，在模块的玻璃面上加载时电池更容易破裂。关键词：模块制造、可靠性、焊接 1 简介 降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，正在推动晶圆和电池厚度的稳步下降。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将导线焊接到电池上是更具挑战性的步骤之一。电池可能会在此过程中破裂，或者由于在此过程中造成的损坏，模块随后会破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 正在研究裂纹形成的机制，并正在开发有助于优化工艺和材料的工具，并正在开发模块级裂纹检测的改进方法。
在原子薄的半导体中巨大的法拉第旋转
Faraday旋转是固体，液体和气体的磁光反应中的基本效应。具有较大Verdet常数的材料在光学调节器，传感器和非转录器件（例如光学隔离器）中应用。在这里，我们证明了光的极化平面在中等磁力的HBN封装的WSE 2和Mose 2的HBN封装的单层中表现出巨大的法拉第旋转，在A激子转变周围表现出了几个度的巨大旋转。对于可见性方案中的任何材料，这将导致最高已知的VERDET常数为-1.9×10 7 deg T -1 cm -1。此外，与单层相比，HBN封装的双层MOS 2中的层间激子具有相反的符号的大型Verdet常数（VIL≈+2×10 5 deg T-1 cm-2）。巨大的法拉第旋转是由于原子较薄的半导体过渡金属二进制基因源中的巨大振荡器强度和激子的高g因子。我们推断出HBN封装的WSE 2和Mose 2单层的完全平面内复合物介电张量，这对于2D异质结构的Kerr，Faraday和Magneto-Circular二分法谱的预测至关重要。我们的结果在超薄光学极化设备中的二维材料的潜在使用中提出了至关重要的进步。
bose金属在原子上薄的NBSE2中？
一开始是定位的缩放理论。Boomer物理学家1被培养为认为没有二维金属，因为任何含量的疾病都会导致定位和绝缘行为2。他们了解到，微调金属行为可以在超导体 - 绝缘体过渡的量子临界点上表现出来，并通过磁场或混乱来调节，并且对超导膜的早期实验似乎证实了这张图片：超导能力：超导对过渡的一侧，在过渡的一侧，在另一种和关键的金属状态下进行隔离。但从1990年开始，实验表明没有关键的金属状态，而是整个金属阶段开始积累。这种异常的金属状态（AMS）是不寻常的，因为除其他外，其电导率σxx（t→0）的升级为低于正常状态Drude理论的值。另一个异常是观察到的幂律缩放r xx〜（h-h 0）α（t）
dell EMC Unity：快照和薄克隆
本出版物中的信息“原样”提供了。戴尔公司（Dell Inc.本出版物中描述的任何软件的使用，复制和分发都需要适用的软件许可。本文档可能包含某些与戴尔当前语言指南不符的单词。Dell计划在随后的未来发布中更新文档，以相应地修改这些单词。本文档可能包含来自第三方内容的语言，这些语言不受戴尔的控制，并且与戴尔当前有关戴尔自己内容的准则不一致。当相关第三方更新此类第三方内容时，将相应修订本文档。版权所有©2016-2021 Dell Inc.或其子公司。保留所有权利。Dell Technologies，Dell，EMC，Dell EMC和其他商标是Dell Inc.或其子公司的商标。其他商标可能是其各自所有者的商标。[6/21/2021] [技术白皮书] [H15089.7]
09,13薄锌薄膜的光谱与铜 div>
透明导电金属氧化物已成为研究的主题，这要归功于它们的独特物理特性以及潜在的微观和纳米电子设备和显示单元的应用。这些材料的基本实际应用是基于明显的特异性抗性和高可见的透射率。透明的金属氧化物尤其包括诸如碳锡氧化物，氧化锌，氧化镉等化合物。氧化锌半导体作为压电和光纤材料具有实用的应用潜力，可作为功能性气体传感器组件，表面声设备，透明电极和太阳能电池[1-4]。高光带隙值（〜3。3 eV在室温下）和激子结合能（约60 meV）允许将ZnO作为创建下一代紫外线光电设备和彩色显示单元的磷光器的材料。对于上面提到的许多应用，例如，通过合金来控制ZnO薄膜结构的物理参数的不稳定性是必不可少的。在这种情况下，铜合金添加剂更有效，因为铜是半导体中迅速扩散的杂质，它会导致结晶结构和物理性能的修改，例如，表面状态能量参数以及光学特性[5-7]。后者提供了有关光学主动故障的能量结构的其他信息，这具有很高的实际兴趣。这项研究的目的是研究未扎的ZnO铜掺杂（ZnO：Cu）薄膜的光光谱的行为。
砂拉越实现其渴望成为“东盟炮台”
在此电源间项目中向砂拉越点头。Abang Johari说，Tenaga nasional Bhd（TNB）目前正在进行一项预审前者，以潜在的砂拉越至马来西亚链接，以从砂拉越出口电力。“这些项目标志着砂拉越在东盟力量电网下一阶段中的作用的重要英里。”早在2007年，TNB计划将连接砂拉越和马来西亚半岛的海底电缆构建，以从2,400MW Bakun Hydreelectric Dam上传输电力，但由于高成本，该项目被中止。Bakun大坝随后由联邦政府拥有，后来被出售给SEB。在婆罗洲，Abang Johari说，SEB目标是到2025年将电力出口到沙巴，并在2027年至2030年之间向石油丰富的文莱出口。 根据电力交换协议和SEB全资子公司Syarikat Sesco Bhd和Sabah Electricity SDN BHD（SESB）之间的签署的互连协议，砂拉越将在31.55千克的近距离范围内，从31公里的Yourty villiand conterns行驶，砂拉越将在30mw yeard of Exteral inters and conterns law of Doupprotight law naw yearly inters conterly and cirtern cilling conterns conterns law cillide cirtern cillide cirtern conterns inters。 Ern Sarawak）到Mangalong（Sabah）。在婆罗洲，Abang Johari说，SEB目标是到2025年将电力出口到沙巴，并在2027年至2030年之间向石油丰富的文莱出口。根据电力交换协议和SEB全资子公司Syarikat Sesco Bhd和Sabah Electricity SDN BHD（SESB）之间的签署的互连协议，砂拉越将在31.55千克的近距离范围内，从31公里的Yourty villiand conterns行驶，砂拉越将在30mw yeard of Exteral inters and conterns law of Doupprotight law naw yearly inters conterly and cirtern cilling conterns conterns law cillide cirtern cillide cirtern conterns inters。 Ern Sarawak）到Mangalong（Sabah）。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
薄列列聚合物网络的山脊能量
抽象将平滑等距沉浸式列表聚合物网络的薄板的弹性自由能最小化是主流理论所声称的策略。在本文中，我们拓宽了可允许的自发变形类别：我们考虑脊层浸入式浸入，这可能会导致浸入浸入的表面尖锐的山脊。我们提出了一个模型，以计算沿此类山脊分布的额外能量。这种能量来自弯曲；在什么情况下，它显示出与薄板的厚度四相缩放，落在拉伸和弯曲能量之间。，我们通过研究磁盘的自发变形，将径向刺猬的自发变形置于测试中。我们预测了外部试剂（例如热量和照明）在材料中诱导的材料诱导的顺序程度而发展的褶皱数量。