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直接视图在魔术扭转角度附近的石墨烯超晶格中的栅极可调小型散布
摘要：扭曲的石墨烯单和双层系统的超晶格产生了按需多体状态，例如Mott绝缘子和非常规的超导体。这些现象归因于平坦带和强库仑相互作用的组合。然而，缺乏全面的理解，因为当电场应用以改变电子填充时，低能带的结构会发生强烈的变化。在这里，我们通过应用微型注重角度分辨的光发射光谱光谱光谱光谱光谱传递到位于原位门配，我们可以直接访问扭曲的双层石墨烯（TBG）和扭曲的双重双层石墨烯（TDBG）的填充相关的低能带。我们对这两个系统的发现处于鲜明的对比：可以在简单模型中描述掺杂的TBG的掺杂依赖性分散体，将依赖于填充的刚性带转移与多体相关的带宽变化相结合。在TDBG中，我们发现了低能带的复杂行为，结合了非单调带宽变化和可调间隙开口，这取决于栅极诱导的位移场。我们的工作确立了在扭曲的石墨烯超晶格中低能电子状态的电场可调节性的程度，并且可以支持对所得现象的理论理解。关键字：扭曲的双层石墨烯，Moire ́超级晶格，扁平带，微摩尔，原位门控，带宽重归于
定向深脑刺激引线植入后旋转角度的纵向评估
抽象目的：深脑刺激（DB）的风险/益处比率取决于将电场聚焦到焦油的体积上，不包括副作用引起结构。指导导线限制径向电流扩散可以靶向刺激，但增加了空间自由度，需要控制多模式成像数据集和解剖刺激的解释。已经报道了不可预测的术后铅旋转。从外科手术预期的比对的旋转程度和时机仍然不确定，可以安全地启动方向刺激的时间点，而不会冒着刺激体积意外变化的风险。我们对有方向性DBS系统的患者进行了临床指示的，重复的神经成像对照的回顾性分析，这允许估计术后铅旋转的量和时间。方法：来自67例指导铅和多个颅内计算机断层扫描（CCT）的患者和/或旋转荧光镜的数据