新辅助化学免疫性疗法已彻底改变了非小细胞肺癌(NSCLC)的治疗策略,并确定可能对这种先进治疗的候选者具有重要的临床意义。目前的多机构研究旨在开发一种深度学习模型,以预测基于计算机断层扫描(CT)成像的NSCLC中对新辅助免疫疗法的病理完全反应(PCR),并进一步探讨了拟议的深度学习签名的生物学基础。在2019年1月至2023年9月,总共有248名接受新辅助免疫疗法的参与者在Ruijin医院,Ningbo Hwamei医院接受NSCLC的手术,然后在Ruijin医院进行NSCLC手术和Zunyi医科大学的后医院。在新辅助化学免疫性疗法之前的2周内进行了成像数据。鲁伊因医院的患者被分为培训集(n = 104)和6:4比率的验证集(n = 69),而宁波·霍马伊医院(Ningbo Hwamei Hospital)和祖尼医科大学(Zunyi)医科大学的其他参与者则是外部队列(n = 75)。在整个人群中,在29.4%(n = 73)的病例中获得了PCR。我们对PCR预测深度学习签名曲线下的区域(AUC)为0.775(95%的置信间隔[CI]:0.649-0.901)和0.743(95%CI:0.618-0.869)的验证集和外部队列中的0.5%(95%)(95%)(95%)(95%)(95%)。临床模型的0.689)和0.569(95%CI:0.454-0.683)。此外,较高的深度学习评分与微环境中细胞代谢途径和更多抗肿瘤免疫的上调相关。我们开发的深度学习模型能够预测NSCLC患者的新辅助化学免疫性疗法。
植物错综复杂地部署国防系统,以应对多种生物和非生物应力。OMICS技术,跨越基因组学,转录组学,蛋白质组学和代谢组学,已彻底改变了植物防御机制的探索,响应各种压力源来揭示分子复杂性。但是,OMIC数据的复杂性和规模需要用于有意义的见解的复杂分析工具。 本评论深入研究了人工智能算法的应用,尤其是机器学习和深度学习,这是在植物防御研究中解密复杂的OMICS数据的有希望的方法。 概述涵盖了关键的OMICS技术,并解决了当前AI辅助OMICS方法中固有的挑战和局限性。 此外,它考虑了这个动态场中的潜在未来方向。 总而言之,AI辅助的OMICS技术提出了强大的工具包,使对植物防御的分子基础有深刻的了解,并在气候变化和新兴疾病的情况下为更有效的作物保护策略铺平了道路。但是,OMIC数据的复杂性和规模需要用于有意义的见解的复杂分析工具。本评论深入研究了人工智能算法的应用,尤其是机器学习和深度学习,这是在植物防御研究中解密复杂的OMICS数据的有希望的方法。概述涵盖了关键的OMICS技术,并解决了当前AI辅助OMICS方法中固有的挑战和局限性。此外,它考虑了这个动态场中的潜在未来方向。总而言之,AI辅助的OMICS技术提出了强大的工具包,使对植物防御的分子基础有深刻的了解,并在气候变化和新兴疾病的情况下为更有效的作物保护策略铺平了道路。
3.1 人表皮生长因子受体 2 (HER2) 阳性乳腺癌对患者及其家属有相当大的影响。对于早期 HER2 阳性乳腺癌,可在手术前使用新辅助治疗来根除或缩小肿瘤大小。对于局部晚期、炎性或早期乳腺癌且复发风险较高的患者,NICE 建议使用帕妥珠单抗进行 HER2 阳性乳腺癌的新辅助治疗,联合曲妥珠单抗和化疗。患者专家解释说,如果在手术中发现残留疾病,这是一个令人失望的结果,而防止癌症复发对患者来说非常重要。手术后,使用辅助治疗来降低复发风险。对于淋巴结阳性疾病的成人患者,NICE 建议使用帕妥珠单抗进行 HER2 阳性早期乳腺癌的辅助治疗,联合曲妥珠单抗和化疗。根据 NICE 的早期乳腺癌指南,患有淋巴结阴性疾病的患者可以接受辅助曲妥珠单抗治疗。曲妥珠单抗 emtansine 是一种新的 HER2 阳性早期乳腺癌辅助治疗,适用于新辅助治疗后仍有残留浸润性疾病的患者。它可以提供给淋巴结阳性或淋巴结阴性疾病患者。
脓毒症的特征是免疫细胞对感染同时产生早期促炎反应和相反的抗炎反应,后者会导致长期免疫抑制。脓毒症的主要病理事件是先天和适应性免疫细胞的广泛程序性细胞死亡或细胞自我牺牲,导致严重的免疫抑制。这种严重的免疫功能障碍会妨碍有效的原发性病原体清除,从而增加继发性机会性感染、潜伏性病毒再激活、多器官功能障碍和死亡率升高的风险。细胞死亡的类型包括细胞凋亡(I 型程序性细胞死亡)、自噬(II 型程序性细胞死亡)、NETosis(形成中性粒细胞胞外陷阱 (NET) 的程序)和其他程序性细胞死亡,如细胞焦亡、铁死亡、坏死性凋亡,每种细胞死亡在脓毒症后期都以不同的方式导致免疫抑制。淋巴细胞(如 CD4 +、CD8+ T 细胞和 B 细胞)的广泛凋亡与免疫抑制密切相关。树突状细胞凋亡进一步损害 T 细胞和 B 细胞的存活,并可诱导 T 细胞无能或促进调节性 Treg 细胞增殖。此外,延迟凋亡和中性粒细胞功能受损会导致脓毒症中的院内感染和免疫功能障碍。有趣的是,异常的 NETosis 和随后成熟中性粒细胞的耗竭也会引发免疫抑制,中性粒细胞焦亡可以正向调节 NETosis。程序性细胞死亡 1 (PD-1) 或程序性细胞死亡 1 配体 (PD-L1) 之间的相互作用在脓毒症中的 T 细胞调节和中性粒细胞凋亡中起关键作用。树突状细胞生长因子 Fms 样酪氨酸激酶 (FLTEL) 可增加树突状细胞数量、增强 CD 28 表达、减弱 PD-L1 并提高脓毒症患者的存活率。最近,免疫辅助疗法因其在脓毒症患者中恢复宿主生理免疫和体内平衡的潜力而受到关注。本综述重点介绍了几种潜在的免疫治疗剂,旨在增强脓毒症管理中被抑制的先天性和适应性免疫反应。
摘要:本研究提出了一种新的梦境记录方法,该方法结合了非侵入式脑机接口 (BMI)、思维输入软件和生成式 AI 辅助多模态软件。该方法旨在将 REM 睡眠期间的意识过程升华到半意识状态,并产生用于思维输入的信号。我们概述了一个两阶段的过程:首先,使用生成式 AI 开发多模态软件来补充文本流并生成多媒体内容;其次,采用基于摩尔斯电码的打字方式来简化信号要求并提高打字速度。我们通过建议一种涉及植入 BMI 的用户的控制系统来优化非侵入式信号,从而应对非侵入式 EEG 的挑战。文献综述重点介绍了 BMI 打字、意识过程升华以及生成式 AI 在基于文本提示的思维输入方面的潜力方面的最新进展。
随着人工智能产品的普及,人类和人工智能越来越多地合作做出决策。为了使这种类型的合作取得成功,人类需要了解人工智能的能力,以便有效地校准他们的信任。在这些合作关系中,以人类可以理解的方式解释决策和预测至关重要,以鼓励信任校准。可解释人工智能领域专注于将可解释性融入人工智能,但旨在使人工智能模型更具可解释性。因此,这项研究通常从以模型为中心的角度而不是以人为中心的角度来处理解释。与此同时,行业研究人员已经制定了指导方针,以帮助界面设计师有效地生成用户友好的解释。然而,这些指导方针通常过于宽泛,无法有效指导行业设计师的日常工作。我们的研究通过两种方法解决了这一差距:一个实证实验,研究人们如何回应解释以及哪些类型的解释对信任校准最有帮助;以及一个教育资源,帮助行业设计师了解用户可能有什么问题,以及使用环境如何影响他们可能使用的解释。我们的实验结果表明,解释并不总是有助于信任校准,实际上可能会损害信任校准,尤其是面对自我能力较低的新手用户时。我们对行业设计师进行的探索性访谈和可用性测试表明,人们渴望一种全面但易于访问的教育资源,以转化我们实验等研究并指导可解释的 AI 产品界面的设计。关键词
摘要:高纵横比硅微纳米结构在微电子、微机电系统、传感器、热电材料、电池阳极、太阳能电池、光子装置和 X 射线光学等多种应用领域中具有技术相关性。微加工通常通过反应离子干法蚀刻和基于 KOH 的湿法蚀刻来实现,金属辅助化学蚀刻(MacEtch)作为一种新型蚀刻技术正在兴起,它允许在纳米级特征尺寸中实现巨大的纵横比。到目前为止,文献中缺少对 MacEtch 的专门综述,既考虑了基本原理,也考虑了 X 射线光学应用。本综述旨在提供全面的总结,包括:(i)基本机制;(ii)在垂直于 <100> Si 基底的方向上进行均匀蚀刻的基础和作用;(iii)用 MacEtch 制造的几个 X 射线光学元件示例,例如线光栅、圆形光栅阵列、菲涅尔区板和其他 X 射线透镜; (iv) 吸收光栅完整制造的材料和方法以及在基于 X 射线光栅的干涉测量中的应用;以及 (v) X 射线光学制造的未来前景。本综述为研究人员和工程师提供了对 MacEtch 作为 X 射线光学制造新技术的原理和应用的广泛和最新的理解。
cc0pi信号定义(中微子模式):一种负电荷的muON,零亲和在最终状态下检测到的任何数量的哈德子,其中在FGD1(scintillator)中重建了顶点(scIntillator)fimial formial量
自动机器引导施工 数字化施工数据存储库,可用于数字孪生应用 高度遵循设计规范 时间高效,减少浪费 在不影响施工质量的情况下按时施工(平整、充分均匀压实的表面) 改善驾驶性能 增强性能耐用性和使用寿命 提高生产力 实时文档和更好的透明度和最少的人为干预 3. NHAI 在勒克瑙-坎普尔高速公路项目中开展了一个 AIMC 试点项目,其中使用了自动化和智能机器,例如 GPS 辅助平地机、智能压实机和无绳摊铺机。在对本项目中展示的 AIMC 功效的评估以及项目利益相关方的反馈意见的基础上,考虑了这方面的国际指南/规范,决定在以下项目中试点在 NH 建设中采用 AIMC:
沉积 (RPCVD) 系统以尽量减少表面损伤。起始表面是二氢化物和一氢化物终止的组合。ALE 实验周期包括用等离子体中的氦离子轰击基底 1-3 分钟以使其解吸,然后在无等离子体激发的情况下,在一定分压范围(1&- 7 Torr 至 1.67 mTorr)、温度范围(250 0 C-400 0 C)和时间范围(20 秒至 3 分钟)内用乙硅烷对表面进行剂量控制,以自限制方式将 Si2H6 吸附在轰击产生的裸露表面 Si 原子上,形成硅基 (SiH3) 物种,从而形成氢终止表面。在 3 分钟的轰击周期内,获得的最大生长量为每周期 0.44 个单层。随着轰击周期时间的减少,每周期的生长量减少,表明氢去除的百分比随着轰击时间的增加而减少。
