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达林顿点储能系统
现在，NEM 中的发电机需要提交单独的注册包才能注册提供频率控制辅助服务 (FCAS)。这与以前的流程不同，以前的流程将这些市场的注册包含在发电机注册中。DPESS 已注册从 2023 年 11 月 20 日起提供 FCAS 服务。新的 1s Lower 和 1s Raise FCAS 市场的参与从 2024 年 2 月 29 日开始，延迟是由于需要测试额外的 SCADA 点和计量。1s Lower 和 1s Raise 的额外 SCADA 点未在与 AEMO 商定的初始 SCADA 列表中考虑，因为这些是在该市场的最终设计和开始之前商定和测试的。这应该考虑未来的项目。
达林顿点储能系统
DPESS 正在就 GPS 进行协商，而当时 NSP 和 AEMO 的负责团队尚未就反映电网形成逆变器性能的 GPS 达成一致。我们对此的方法是尽早提出与最低接入标准的偏差，包括措辞，以捕捉被认为是适当的工厂响应。这主要与故障响应有关，在故障响应中，没有必要指定异步机器最低接入标准所要求的阈值以及上升和稳定时间。我们花了数月时间才就相关条款（第 5.2.5.5 条）的措辞达成一致，这可能会导致项目延误。这是因为需要协商一个可接受的 GPS 条款，该条款不符合当前定义的异步电网形成工厂的性能标准，因为根据设计，电网形成逆变器的响应更类似于同步机器。由于电网形成逆变器的经验有限，需要时间来证明，虽然理论上可以调整逆变器以满足现有的异步发电机标准，但从网络角度来看，这并不是最好的结果，因为使用这些设置，电压扰动会更大，并且在发生故障后需要更长时间才能恢复稳定状态。最后的 GPS 条款描述了与同步机类似的性能，这被认为比异步标准更高，并适应了电网形成响应特性。
达灵顿理事会计划2024-2027
在过去的十年中，我们社区的不平等现象恶化了。达林顿最佳和最差领域之间预期寿命的不平等为女性为10.6岁，男性为13岁。在过去十年的大部分时间里，东北地区的儿童贫困增长最高，这限制了儿童蓬勃发展的机会。在我们自治市镇不同地区出生的孩子的生活机会截然不同。还有更多的不平等实例，这并不是每个人都有相同的生活机会。我们面临需要长期承诺的长期挑战。
（公开包）理事会议程文件，2023 年 4 月 25 日 19:00
2023 年 2 月 21 日晚上 7 点开始的会议记录出席者：Hunter 议员（主席）Layland 议员（副主席）Abraham、Andrews、Ball、Bayley、Bonin、Brown、Bulford、Dr. Canet、Cheeseman、Clack、Penny Cole、Perry Cole、Collins、Dickins、Dyball、Edwards-Winser、Esler、Eyre、Fleming、Fothergill、Griffiths、Grint、Harrison、Hogarth、Hudson、Kitchener、London、Maskell、McArthur、McGarvey、Morris、Pender、Purves、Raikes、Reay、Roy、Thornton、Waterton 和 Williams 议员因缺席而道歉。巴恩斯 (Barnes)、巴内特 (Barnett)、克莱顿 (Clayton)、G. 达林顿 (G. Darrington)、P. 达林顿 (P. Darrington)、麦格雷戈 (McGregor)、尼尔森 (Nelson)、佩特 (Pett)、斯特里特菲尔德 (Streatfeild) 和威廉姆森 (Williamson) 议员。巴恩斯和斯特里特菲尔德通过虚拟媒体平台出席，但根据 1972 年《地方政府法》，这并不构成出席。38. 批准 2022 年 11 月 15 日举行的理事会会议记录作为正确记录 决议：2022 年 11 月 15 日举行的理事会会议记录由主席批准并签署作为正确记录。39. 接收成员就本会议议程所列业务项目提交的利益登记册中未包括的任何利益声明。没有收到其他利益声明。40. 主席公告。主席宣布圣诞节已经过去，阳光明媚的日子即将到来，但这并没有阻止她在户外活动。其中包括与肯特郡尉科尔格兰夫人一起种植一棵赤杨树。这棵树是女王登基白金禧年庆典期间白金汉宫外壮观雕塑的一部分，现在位于布拉德伯恩湖畔。她还与戴博尔议员一起参加了在白橡树休闲中心埋葬时间胶囊的活动，以纪念该中心开业一周年。休闲中心还于 2023 年 2 月 12 日举办了一场活动来纪念这一时刻。
OLED器件的性能和老化研究
本文提出了一种通过 ADT 以光解作为加速因子来确定 PMOLED 屏幕寿命的方法。用于光解的光由发射 405 nm 的 LED 产生。该方法的特殊性在于它使用可见光谱中的光。该方法可以在不修改屏幕的情况下使用最少的硬件来构建测试台。发射 405 nm 光的 LED 可以通过具有控制达林顿晶体管的运算放大器的组件来控制。该组件放置在不透明的盒子下方，以避免暴露于其他光源。一切都通风，以便测试台的不同部分保持在室温。选择进行测试的屏幕是 UG-9664HDDAG01，405 nm LED 是 LZ1-10UA00-00U8。调整 LED 以产生 140 W/m 2 至 1090 W/m 2 之间的不同辐照度。观察到的退化表明，当屏幕像素处于活动状态时，其退化速度明显更快。测试期间关闭的设备也会受到影响，但其性能下降程度不太明显。每 24 小时使用功率计进行一次辐照度测量，功率计调整至屏幕发出的主波长。根据有关OLED的科学文献，已知发射蓝光的有机材料具有持续时间
米尔顿·凯恩斯无家可归和粗糙的睡眠策略
来自艾米丽·达林顿（Emily Darlington）的词，成人，住房和健康社区的内阁成员米尔顿·凯恩斯市议会（Milton Keynes Council）认为，每个人都应该得到良好的生活质量，健康，安全，并在某个地方可以打电话给家。采用与社区合作伙伴，利益相关者和更广泛的公众一起工作的多机构方法，帮助我们制定了新的无家可归和粗暴的睡眠策略。我们认识到，无家可归的人比睡觉的人更广泛，包括生活在不安全的住宿中的人。我们也理解无家可归是一个复杂的问题，很难描述并且没有简单的解决方案。应对这一挑战需要新的思考，并且需要我们将新方法应用于旧问题，因为我们致力于最大程度地减少重复和长期无家可归的目的，并支持个人和家庭找到可持续的长期解决方案，重点关注他们的需求和愿望。该战略旨在与社区和合作伙伴一起解决这个具有挑战性的问题，他们将支持我们为使用我们服务的人提供服务。至关重要的是我们如何解决此问题，包括与经验经验或受到无家可归者影响不成比例的个人，以帮助塑造我们的服务，以便他们最好地满足访问这些服务的人的需求。我们欢迎您的支持。Cllr Emily Darlington Labor和Bletchley East内阁成人，住房和健康社区成员的合作委员
模拟电子学（REC3C001）
模块 — I（12 小时） MOS 场效应晶体管：FET 和 MOSFET 的原理和操作；P 沟道和 N 沟道 MOSFET；互补 MOS；E- MOSFET 和 DMOSFET 的 VI 特性；MOSFET 作为放大器和开关。BJT 的偏置：负载线（交流和直流）；工作点；固定偏置和自偏置、带电压反馈的直流偏置；偏置稳定；示例。FET 和 MOSFET 的偏置：固定偏置配置和自偏置配置、分压器偏置和设计模块 — II（12 小时）BJT 的小信号分析：小信号等效电路模型；CE、CC、CB 放大器的小信号分析。Rs 和 RL 对 CE 放大器操作的影响、射极跟随器；级联放大器、达林顿连接和电流镜电路。 FET 的小信号分析：小信号等效电路模型、CS、CD、CG 放大器的小信号分析。CS 放大器上的 RsiG 和 RL 的匹配；源极跟随器和级联系统。模块 —III（8 小时）FET 和 BJT 的高频响应：BM 和 FET 的高频等效模型和频率响应；CS 放大器的频率响应、CE 放大器的频率响应。模块 —IV（6 小时）反馈放大器和振荡器：负反馈和正反馈的概念；四种基本反馈拓扑、实用反馈电路、正弦振荡器原理、WeinBridge、相移和晶体振荡器电路、功率放大器（A、B、AB、C 类）。模块 — V（7 小时）运算放大器：理想运算放大器、差分放大器、运算放大器参数、非反相配置、开环和闭环增益、微分器和积分器、仪表放大器。书籍：
适用于2.5V纳米集成电路的超低压触发可控硅ESD保护装置
可控硅整流器 (SCR) 因其对 ESD 应力的高稳定性而成为最具吸引力的 ESD 防护元件 [1]。然而，传统 SCR 器件具有较高的触发电压 (Vt1) 和较低的维持电压 (Vh) [2,3]。因此，它无法在大多数电路中提供有效的 ESD 防护。为了解决这些问题，许多基于局部的改进 ESD 防护方案被提出，例如改进型横向 SCR (MLSCR)、低触发 SCR (LVTSCR) 和二极管串触发 SCR (DTSCR) [4,5]。其中，DTSCR 能够实现非常低且灵活的触发电压，近年来许多基于 DTSCR 的改进结构被提出。例如，Chen、Du 等人提出了一种称为 LTC-DTSCR 的新型 DTSCR [6]。 LTC-DTSCR通过抑制DTSCR寄生SCR的触发，进一步降低了触发电压。但DTSCR结构相对较高的过冲电压和较慢的导通速度限制了其在充电器件模型（CDM）保护中的应用[7]。此外，DTSCR不适用于2.5 V及以上电路的ESD防护，因为触发二极管数量的增加会因达林顿效应而导致较大的漏电和闩锁风险。LVTSCR与传统SCR存在同样的问题：触发电压过高，难以调整以适应先进CMOS工艺的ESD设计窗口。目前，[8，9]中已提出了几种改进的LVTSCR结构，但它们均侧重于提高保持电压，这些器件的触发电压仍然较高（~8 V）。此外，还有许多新型SCR结构被提出。 Lin 等通过在 SCR 中引入两个栅极，实现了低触发电压、低漏电、低寄生电容的新型 SCR 器件 [10]，但需要外部 RC 电路辅助触发，会造成巨大的额外面积消耗。P. Galy 等将 SCR 嵌入 BIMOS 中 [11]，实现了超紧凑布局、低触发电压、低导通电阻，但其保持电压较低，如果施加的电压域较高，会增加闩锁风险。