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World File Search System迁移率
DNA-DNA滑动摩擦和非平衡动力学在病毒基因组喷射和包装中的作用 使用RNA 对植物基因组进行遗传性CRISPR-CAS9编辑
许多病毒通过病毒壳中的纳米通道弹出，这是由高密度基因组堆积产生的内力驱动的。DNA出口的速度受限制分子迁移率的摩擦力控制，但这种摩擦的性质尚不清楚。我们引入了一种方法，通过用光学镊子测量噬菌体Phi29衣壳的DNA出口来探测紧密限制的DNA的迁移率。我们测量了极低的初始退出速度，速度指数增加的制度，主导动力学的随机暂停和较大的动态异质性。使用可变的力量测量提供了证据，表明初始速度由DNA-DNA滑动摩擦控制，这与纳米级摩擦的Frenkel-Kontorova模型一致。我们证实了理论模型预测的弹出动力学的几个方面。暂停的特征表明它与软性系统中“堵塞”的现象相连。我们的结果提供了证据表明DNA-DNA摩擦和堵塞控制DNA出口动力学，但这种摩擦并没有显着影响DNA包装。
缩放栅环硅纳米线晶体管阵列中的电子传输机制
全栅环栅 (GAA) 是一种最佳器件配置，它能静电控制沟道长度最窄的晶体管 2，并最大限度地减少器件关断时的漏电流，从而使器件在每次切换时耗散更少。GAA 几何形状有多种可能，并且已经在水平 3 或垂直配置中得到验证。4 – 7 尽管技术解决方案有望最终将晶体管的栅极长度 L g 缩小到几纳米 5，但从一维（长栅极或大宽度）到全尺寸缩放的晶体管的转变对器件操作的影响仍有许多悬而未决的问题。其中，应明确解决所制造器件的质量和可能导致晶体管操作不良或电性能分散的波动源，以提出最终集成的解决方案。但是，经典的表征技术（如迁移率提取）不足以提供有关最终缩放时器件质量的信息，因为迁移率可能会在如此小的栅极长度下崩溃。 8 – 11 低频噪声可以成为一种非常精确的技术，用于表征低噪声纳米器件中的电子传输。12 , 13
适用于 X 波段 AESA 雷达应用的 10W GaN on SiC CPW MMIC 高功率放大器，PAE 为 44.53%
本文介绍了一种用于雷达应用的新型 X 波段碳化硅 (SiC) 共面波导 (CPW) 单片微波集成电路 (MMIC) 高功率放大器 (HPA) 设计。在设计中，采用了 0.25 μ m γ 形栅极和高电子迁移率晶体管 (HEMT)，它们采用了碳化硅基氮化镓技术，因为它们具有高热导率和高功率处理能力。此外，在 8.5 GHz 至 10.5 GHz 的频率范围内，反射系数低于 -10 dB，可产生 21.05% 的分数带宽。此外，MMIC HPA 在 2 GHz 带宽内实现了 44.53% 的功率附加效率 (PAE)，输出功率为 40.06 dBm。此外，由于 MMIC HPA 具有高输出功率、宽工作带宽、高 PAE 和紧凑尺寸，因此非常适合用于 X 波段有源电子扫描阵列雷达应用。索引术语 — 有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达、共面波导 (CPW)、碳化硅 (SiC) 上的氮化镓 (GaN)、高电子迁移率晶体管 (HEMT)、单片微波集成电路 (MMIC)、高功率放大器 (HPA)。
基于第一原理计算的单轴菌株的扶手椅抗氨基纳米管的理论研究
摘要：使用Ab始于从头算计算，研究了优化的几何形状，以及钝化边缘扶手椅抗氨基烯纳米纤维（ASBNR）的电子和传输特性。由于量子限制，当宽度分别从5 nm降低到1 nm时，带隙的大小可以从1.2 eV到2.4 eV（间接）调节。这项研究的重点是宽度为5 nm（5-ASBNR）的纳米容器，因为它的制造潜力较高，并且可以接受电子应用的带型带。应用单轴压缩和拉伸菌株会减少5-ASBNR膜的带隙。当引入超过4％以上的拉伸应力时，观察到直接带隙转变的间接转换。此外，当引入高于9％的压缩应变时，可以观察到半金属行为。通过施加压缩（拉伸）应变，孔（电子）有效质量降低，从而增加电荷载体的迁移率。研究表明，可以通过在丝带上施加拉伸或压缩应变来调节基于ASBNR的纳米电子设备的载体迁移率。关键字：2D材料，偶然，纳米式，压缩和拉伸应变，带状结构，状态密度■简介
伪造晶体管具有由纳米技术产生的有机薄膜
摘要。有机薄膜晶体管是经典电子设备的替代候选物，这是因为有机半导体的载体迁移率超过0.1厘米2 /vs。本文的目的是基于经典特征方法提供某些有机薄膜晶体管的电气表征。硅在绝缘子（SOI）晶状体上的经典特征是伪MOS晶体管。因此，本文在一开始就提出了在Or-Ganic绝缘子上制造有机半导体的主要技术步骤，该隔热器仍然是SOI结构。制造的有机结构得到了纳米技术的帮助，并使用了无毒的前体，为绿色有机电子设备打开了新的方向。测量实验电流 - 电压静态特性。转移特性的微微调查表明，与模量中的栅极电压增加了漏极电流。因此，P型有机层正在积累。通过电气表征，提取了一些设备参数：掺杂浓度约为8×10 13 cm -3，有机纤维中的孔迁移率为0.2cm 2 /vs和6×10 10 10 E /CM 2的全局界面电荷。
(010)β-Ga2O3 的低温同质外延 ...
摘要 — 在本文中，我们报告了高迁移率 β -Ga 2 O 3 同质外延薄膜的生长温度，该薄膜的生长温度远低于金属有机气相外延的传统生长温度窗口。在 Fe 掺杂的 (010) 块体衬底上以 600 ◦ C 生长的低温 β -Ga 2 O 3 薄膜表现出卓越的晶体质量，这从测量的非故意掺杂薄膜的室温霍尔迁移率 186 cm 2 /Vs 可以看出。使用 Si 作为掺杂剂实现 N 型掺杂，并研究了 2 × 10 16 - 2 × 10 19 cm −3 范围内的可控掺杂。通过比较二次离子质谱 (SIMS) 中的硅浓度和温度相关霍尔测量中的电子浓度，研究了 Si 的掺入和活化。即使在这种生长温度下，薄膜也表现出高纯度（低 C 和 H 浓度），且补偿受体浓度非常低（2 × 10 15 cm − 3）。此外，在较低温度下生长时，可以观察到突变掺杂分布，正向衰减速度为 ∼ 5nm/dec（与在 810 ◦ C 下生长的薄膜相比，提高了 10 倍）。
照明研发计划：LED材料和设备研发会议
车辆技术办公室（VTO）拥有一项全面的早期研究组合，以使行业能够加速和广泛使用各种有前途的可持续运输技术。研究途径着重于燃料多样化，车辆效率，能源存储和迁移率生产率，这些途径可以提高运输或移动系统的总体能源效率和效力。VTO利用国家实验室系统的独特功能和世界一流的专业知识来开发电气化创新，包括先进的电池技术；高级燃烧发动机和燃料，包括合作的系统；轻质车辆结构的高级材料；和节能迁移率系统。VTO由于与行业的战略性公私研究合作伙伴关系（例如，美国Drive，21 Century Truck Partnership）的战略性公私研究伙伴关系而享有独特的位置，可利用相关的专业知识。这些伙伴关系阻止了重复的努力，将DOE研究集中在关键的研发障碍上，并加速进步。vto专注于行业没有技术能力自行进行的研究，通常是由于高度的科学或技术不确定性，或者距市场实现对绩效行业资源的距离太远。
电池火车的伏特快速充电站
VoltTap是我们用于电池火车的快速充电站，是与德国StadtwerkeTübingen（德国）进行开创性合作的结果。VoltTap快速充电站使电池火车在终端站或中间停靠站中快速充电。充电站高效，可靠且耐用。他们支持不同的电压并提供灵活的充电时间以帮助优化操作。伏特图是我们在确保非电气化途径上可持续和无排放的迁移率的贡献。