目前,放射科医生面临着过大的工作量,这导致他们高度疲劳,并因此导致不必要的诊断错误。决策支持系统可用于确定优先级并帮助放射科医生做出更快的决策。从这个意义上说,基于医学内容的图像检索系统可以通过提供精心策划的类似示例发挥极大的作用。尽管如此,大多数基于医学内容的图像检索系统都是通过查找最相似的图像来工作的,这并不等同于查找疾病及其严重程度最相似的图像。在这里,我们提出了一种可解释性驱动和注意力驱动的医学图像检索系统。我们在一个大型的公开可用的胸部 X 光片数据集中进行了实验,该数据集带有来自自由文本放射学报告 (MIMIC-CXR-JPG) 的结构化标签。我们在两种常见情况下评估了这些方法:胸腔积液和(潜在)肺炎。作为进行评估的地面实况,查询/测试和目录图像由经验丰富的委员会认证的放射科医生进行分类和排序。为了进行深入而全面的评估,其他放射科医生也提供了他们的排名,这使我们能够推断出评分者之间的差异,并得出定性的表现水平。根据我们的地面实况排名,我们还通过计算归一化的折现累积增益 (nDCG) 对所提出的方法进行了定量评估。我们发现,可解释性引导方法优于其他最先进的方法,并且与最有经验的放射科医生的一致性最好。此外,它的表现在观察到的评分者之间的差异范围内。
摘要:我们评估了一组模型中的中尺度搅拌的表示,以根据北大西洋示踪剂释放实验(Natre)收集的微结构数据得出的估计值。我们从法拉利和波尔津的大约温度差异预算框架中大量汲取灵感。该框架假设温度差异的两个来源远离边界:首先,大规模平均垂直梯度通过小规模的湍流垂直搅拌;其次,中尺度涡流对大规模平均层梯度的横向搅拌。温度差异被转化,并以微观结构观测值估算的速率x进行平均转移量表以在微观尺度上进行最终耗散。海洋模型通过垂直混合参数化代表这些途径,以及沿等副侧面混合参数化(如果需要的话)。我们评估后者作为Natre数据集的残差的差异速率,并在一组模型模拟中与参数化表示形式进行比较。我们发现,由于在平行的海洋程序2(POP2)1/10 8模拟中,横向搅拌引起的变量产生很好地同意,并且在估计的误差栏内,并根据NATRE估计推断出来。在其他扩散率估计值中不存在这种元素值,这表明在解释ECCOV4R4调整后的侧向扩散率时需要补偿错误和谨慎。pop2 1 8模拟以及估计海洋版本4版本4(ECCOV4R4)模拟的循环和气候模拟似乎通过应用横向扩散率来消散数量级过大的差异,与NATRE估计相比,尤其是低于1250 m。 ECCOV4R4-调整后的横向扩散率升高,而微观结构表明X升高来自中尺度搅拌。
甲状腺素的治疗指数较窄。适当的甲状腺素剂量取决于临床评估和甲状腺功能测试的实验室监测。在初始滴定期间,必须仔细滴定和监测剂量,以避免治疗不足或过度的后果。甲状腺素剂量过大的症状与内源性甲状腺毒症的许多特征相同。治疗前心电图很重要,因为甲状腺功能减退引起的变化可能与缺血的心电图证据混淆。如果代谢增加过快(引起腹泻、紧张、脉搏加快、失眠、震颤,有时在存在潜在心肌缺血的情况下出现心绞痛),必须减少剂量或暂停用药一两天,然后以较低的剂量重新开始用药。对于年轻患者,如果没有心脏病,血清左旋甲状腺素 (T4) 水平应保持在约 70 至 160 纳摩尔/升,或血清促甲状腺激素水平应低于 5 毫单位/升。对于 50 岁以上和/或患有心脏病的患者,临床反应可能是比血清水平更可接受的剂量标准。对于使用左旋甲状腺素和已知干扰剂的患者,给药应至少间隔 4 小时(见第 4.5 节与其他药物的相互作用和其他形式的相互作用)。剂量成人最初每天 50 至 100 微克,每隔 4 至 6 周调整 50 微克,直到稳定维持正常代谢。这可能需要每天 100 至 200 微克的剂量。 50 岁以上、年老或患有糖尿病或心脏病的患者 对于 50 岁以上的患者,最初不建议每天服用超过 50 微克。如果患有心脏病,则更适合服用 25 微克,隔天服用 50 微克。在这种情况下,每日剂量可以缓慢增加 25 微克(隔天服用 50 微克),间隔大约四周。此给药方案如下表 1 所示。表 1 – 左旋甲状腺素片的推荐给药方案
BS 7671 的先前版本(包括 2015 年对第 17 版的修订)并未以明显的方式解决能源效率问题。减少配电和分支电路电缆电压降的要求主要侧重于确保设备在使用点正常运行。但是,在使用点拥有正确的电压也会影响某些电气设备的运行效率。正确的载流能力要求可降低电缆尺寸过小的风险以及随后的火灾风险。但是,拥有正确尺寸的电缆也是解决某些类型电气设备谐波导致的效率低下的有效工具。在《布线规定》中,任何关于控制和电路切换的讨论都是关于安全的工作系统和功能操作。但是,之前没有明确提到在自动降低能耗的背景下使用控制。近年来,控制照明的传感器已变得很普遍,并与功能切换结合使用。电气能效标准强调的正是这些自动切换和控制。以前曾考虑过功率因数校正 (PFC) 设计,但通常只考虑进线配电板以改善供电点的负载特性。能源效率的前提是减少整个配电基础设施的压力,从使用点到供电点。设计师应该从整体上考虑整个安装的能源效率。例如,只关注主配电板的功率因数校正可能已经不够了。现在应该考虑其他功率因数校正方法,包括:(a) 直接连接到大型设备(如冷水机组)的小型 PFC 单元;(b) 使用更高效的设备,这意味着实际上需要更少的 PFC;或 (c) 直接连接到本地配电板的小型 PFC。虽然没有解决能源效率问题,但浪涌保护装置遵循类似的集成模型,并且在整个电气安装中得到越来越多的使用。在整个配电系统中,应考虑使用浪涌保护模型、局部 PFC 和谐波滤波器来帮助提高能源效率。这种方法将优化整个安装并可能减少过大的电缆。
DIREXION™ 和 DIREXION HI-FLO™ 可扭转微导管警告:联邦法律 (美国) 限制此设备由医生或根据医生的处方销售。仅限处方。使用前,请参阅完整的“使用说明”以获取有关适应症、禁忌症、警告、注意事项、不良事件和操作说明的更多信息。预期用途/使用指征:Direxion 和 Direxion HI-FLO 可扭转微导管适用于外周血管。预装的 Fathom 和 Transend 导丝可用于选择性地将微导管引入和定位在外周血管中。微导管可用于将诊断、栓塞或治疗材料控制和选择性地输注到血管中。禁忌症:未知。警告:• 切勿在阻力下推进或撤回血管内装置,除非通过荧光透视确定阻力的原因。逆着阻力移动微导管或导丝可能会导致微导管或导丝尖端损坏或分离,或血管穿孔。• Direxion 微导管系列不适用于冠状动脉血管或神经血管。• Direxion HI-FLO 微导管不是为输送栓塞线圈而设计的。• 用过大的力逆着阻力操纵微导管可能会导致镍钛合金轴断裂。注意不要过度扭转微导管,在撤回前通过反方向旋转微导管来释放任何张力。注意事项:• 只有经过全面培训的经皮血管内技术和程序医生才能使用本装置。• 请勿在没有导丝支撑的情况下插入微导管,因为这可能会损坏导管的近端轴。 • 由于微导管可能会进入狭窄的亚选择性脉管系统,因此要反复确保微导管没有进入太远,以免干扰其取出。不良事件:不良事件包括但不限于:• 过敏反应 • 死亡 • 栓塞 • 出血/血肿 • 感染 • 假性动脉瘤 • 中风 • 血管血栓形成 • 血管阻塞 • 血管痉挛 • 血管创伤(解剖、穿孔、破裂)90960724 Rev/Ver AB.6
摘要 第二代高温超导 (HTS) 带材已广泛用作储能材料,例如超导磁能存储 (SMES) 设备。为了增强载流特性,这些系统通常在接近涂层导体的临界电流下运行;因此,可能会产生热点,这可能导致超导体淬火。为了防止热点的出现并减少故障量,本文努力提高正常区域传播速度 (NZPV)。超导体和稳定层之间的界面电阻已被证明是产生大量 NZPV 的关键,在故障情况下,界面电阻可以充当电流分流器。通过在超导层和稳定层之间添加高阻层,磁带的结构略有修改,其中各种界面电阻已用于预测 10 厘米长度的 HTS 磁带之间的温度分布。使用 COMSOL 创建了 2D 数值模型来评估 2G 超导磁带的 NZPV 和温度分布。已经得出结论,通过使用相当大的界面电阻来防止超导磁带失超,可以实现更大的 NZPV。关键词:HTS 磁带,正常区域传播速度,界面电阻,失超,HTS 电缆,SFCL,SMES。1.简介 涂层导体广泛应用于电力应用,因为它们能够承载巨大的电流,同时在临界电流附近有效运行。涂层导体已在几乎所有电力应用中取代了铜导体,包括电缆、电动机、发电机、变压器、MRI、NMR、故障电流限制器和 SMES 系统,因为它们在管理电流方面更高效,占用的空间比传统设备更少。当故障电流限制和储能设备在临界电流附近运行时,可能会形成热斑,导致超导体失超。如今,HTS 电缆的发展也受到关注,载流电缆的设计负载系数更大(接近临界电流),以最大限度地提高其载流能力。然而,过大的电流会因发热而导致不平衡,而冷却不足会导致热点,最终导致胶带热失超。这个话题尚未解决,许多研究小组正在
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。
非线性过滤模型是一种设计安全流密码的古老且易于理解的方法。几十年来,大量的研究表明如何攻击基于此模型的流密码,并确定了用作过滤函数的布尔函数所需的安全属性,以抵御此类攻击。这导致了构造布尔函数的问题,这些函数既要提供足够的安全性,又要实现高效。不幸的是,在过去的二十年里,文献中没有出现解决这个问题的好方法。缺乏好的解决方案实际上导致非线性过滤模型或多或少变得过时。这对密码设计工具包来说是一个巨大的损失,因为非线性过滤模型的巨大优势在于,除了它的简单性和为面向硬件的流密码提供低成本解决方案的能力之外,还在于积累了有关抽头位置和过滤函数的安全要求的知识,当满足所有标准时,这让人对其安全性充满信心。在本文中,我们构造了奇数个变量(n≥5)的平衡函数,这些函数具有以下可证明的性质:线性偏差等于2−⌊n/2⌋−1,代数次数等于2⌊log2⌊n/2⌋⌋,代数免疫度至少为⌈(n−1)/4⌉,快速代数免疫度至少为1+⌈(n−1)/4⌉,并且这些函数可以使用O(n)NAND门实现。这些函数是通过对著名的Maiorana-McFarland弯曲函数类进行简单修改而获得的。由于实现效率高,对于任何目标安全级别,我们都可以构造高效的可实现函数,以提供对快速代数和快速相关攻击所需的抵抗级别。先前已知的可有效实现的函数具有过大的线性偏差,即使变量数量很大,它们也不合适。通过适当选择 n 和线性反馈移位寄存器的长度 L,我们表明有可能获得可证明 κ 位安全的流密码示例,这些密码对于各种 κ 值都可以抵御众所周知的攻击。我们为 κ = 80、128、160、192、224 和 256 提供了具体建议,使用长度为 163、257、331、389、449、521 的 LFSR 和针对 75、119、143、175、203 和 231 个变量的过滤函数。对于 80 位、128 位和 256 位安全级别,相应流密码的电路分别需要大约 1743.5、2771.5 和 5607.5 个 NAND 门。对于 80 位和 128 位安全级别,门数估计值与著名密码 Trivium 和 Grain-128a 相当,而对于 256 位安全级别,我们不知道任何其他流密码设计具有如此低的门数。关键词:布尔函数、流密码、非线性、代数免疫、高效实现。
非线性过滤模型是一种设计安全流密码的古老且易于理解的方法。几十年来,大量的研究表明如何攻击基于此模型的流密码,并确定了用作过滤函数的布尔函数所需的安全属性,以抵御此类攻击。这导致了构造布尔函数的问题,这些函数既要提供足够的安全性,又要实现高效。不幸的是,在过去的二十年里,文献中没有出现解决这个问题的好方法。缺乏好的解决方案实际上导致非线性过滤模型或多或少变得过时。这对密码设计工具包来说是一个巨大的损失,因为非线性过滤模型的巨大优势在于,除了它的简单性和为面向硬件的流密码提供低成本解决方案的能力之外,还在于积累了有关抽头位置和过滤函数的安全要求的知识,当满足所有标准时,这让人对其安全性充满信心。在本文中,我们构造了奇数个变量(n≥5)的平衡函数,这些函数具有以下可证明的性质:线性偏差等于2−⌊n/2⌋−1,代数次数等于2⌊log2⌊n/2⌋⌋,代数免疫度至少为⌈(n−1)/4⌉,快速代数免疫度至少为1+⌈(n−1)/4⌉,并且这些函数可以使用O(n)NAND门实现。这些函数是通过对著名的Maiorana-McFarland弯曲函数类进行简单修改而获得的。由于实现效率高,对于任何目标安全级别,我们都可以构造高效的可实现函数,以提供对快速代数和快速相关攻击所需的抵抗级别。先前已知的可有效实现的函数具有过大的线性偏差,即使变量数量很大,它们也不合适。通过适当选择 n 和线性反馈移位寄存器的长度 L,我们表明有可能获得可证明 κ 位安全的流密码示例,这些密码对于各种 κ 值都可以抵御众所周知的攻击。我们为 κ = 80、128、160、192、224 和 256 提供了具体建议,使用长度为 163、257、331、389、449、521 的 LFSR 和针对 75、119、143、175、203 和 231 个变量的过滤函数。对于 80 位、128 位和 256 位安全级别,相应流密码的电路分别需要大约 1743.5、2771.5 和 5607.5 个 NAND 门。对于 80 位和 128 位安全级别,门数估计值与著名密码 Trivium 和 Grain-128a 相当,而对于 256 位安全级别,我们不知道任何其他流密码设计具有如此低的门数。关键词:布尔函数、流密码、非线性、代数免疫、高效实现。
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。