研究了LA 0.67 SR 0.33 MNO 3(LSMO)外延膜随着不同温度下厚度的函数的阻尼。具有完全不同的厚度和温度依赖性的两种散射类型之间的竞争导致了复杂的阻尼行为。LSMO膜中的the the行为与磁性金属膜中的行为一致。但是,由于𝜌喜欢阻尼对费米表面附近的细电子结构敏感,所以由膜厚度控制的氧气八面体的变形是控制阻尼的重要因素。我们的研究表明,LSMO外延膜中阻尼的复杂性是强相关效应的结果,这是复杂过渡金属氧化物的特征。
锂离子电池(LiB)由正极、负极、电解液、隔膜等组成。将活性物质、导电剂、粘结剂等在有机溶剂中混合的浆体涂敷在金属膜(集流体)上,经干燥后形成电极。N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)是溶剂型浆体中使用的有机溶剂,尤其在正极的质量控制中,需要在干燥过程中检测正极中NMP的残留量。本文介绍了一种利用顶空法GC-FID简便分析锂离子电池NCM(镍钴锰三元材料)正极中残留NMP的方法。此外,还给出了利用GC-MS定性分析NCM正极中残留的其他溶剂的结果,以及对采用不同干燥工艺的五种正极中残留溶剂量的比较。
摘要。研究是在确保发射器稳定性的领域进行的,该发射器旨在在极端条件下起作用。注意到解决问题的复杂性以及对包括结构,材料科学在内的系统方法的需求。已经分析了领先的外国和国内公司的方法 - 传感器的制造商和测量系统的测量传感器可靠性问题。显示了传感器的各种开发人员和制造商对“稳定性”一词解释的歧义。通常,传感器的随附文档以及招股说明书和目录表明定性特征且很少有定量参数。同时,国际质量标准表明有必要披露定性指标并将其转化为定量数据。提出了基于国际质量标准以及新的设计和技术解决方案,确保传感器在其生命周期中稳定的概念。以金属膜压力传感器的光束敏感元件的示例,这是一种稳定膜异质结构的电物理特性的特定有效技术。
实现 AS-ALD 的一种常见方法是使用自组装单分子层 (SAM) 作为抑制剂,以优先阻止一种表面材料上的 ALD 而不是另一种。 [7–14] SAM 是一种有机分子,由头部基团(也称为锚定基团)、主链(通过范德华相互作用参与自组装过程)和尾部官能团组成,其中尾部官能团会影响 SAM 形成后的最终表面特性。通过选择仅与特定表面反应的 SAM 分子头部基团,可以实现选择性 SAM 形成。例如,已证实烷硫醇和烷基膦酸可在金属基材上形成 SAM 结构,但不会在 SiO 2 上形成。 [15–21] 通过使用这两种 SAM 分子作为金属表面 ALD 抑制剂,已有多次成功演示在金属/电介质图案的电介质区域上选择性沉积电介质膜(电介质-电介质,或 DoD)和金属膜(金属-电介质,或 MoD)。[7–12,22,23]
用薄金属膜制成的超电流晶体管是下一代高性能计算平台的一个有前途的选择。尽管进行了广泛的研究,但对于外部直流电场如何抑制薄膜中的超导性仍未完全定量显微镜解释。这项研究旨在根据Eliashberg的理论提供对超构度作为膜厚度的函数的定量描述。计算考虑了电场的静电,其在膜中的逼真的穿透深度以及对库珀对的影响,根据BCS理论,该电场对库珀对的影响被描述为标准的S波结合状态。估计表明,需要大约10 8 V/m的外部电场才能抑制10-30 nm厚的膜中的超导性,这与实验观测一致。最终,当将外部电场应用于膜表面时,该研究提供了“通过设计材料”指南来抑制超电流。此外,提出的框架很容易扩展,以研究超薄膜的相同效果。
摘要。至关重要的是要了解哪些电势分解反应开始以及随后形成的分解膜中存在哪些化学物质,例如固体电解质相(SEI)。在此,引入了一种新的Operando实验方法,以通过使用硬X射线光电子光谱(HAXPES)来研究此类反应。这种方法可以检查在薄金属膜下方形成的SEI(例如6 nm镍),该膜在具有硫化物的基于硫化物的LI 6 PS 5 Cl固体电解质的电化学电池中充当工作电极。电解质还原反应已经开始为1.75 V(vs。li + /li)并导致相当大的li 2 s形成,尤其是在1.5 - 1.0 V的电压范围内。观察到SEI的异质 /分层微结构(例如,优先的Li 2 O和Li 2 O和Li 2 S在当前收集器附近)。还观察到了侧反应的可逆性,因为在2-4 V电势窗口中分解了Li 2 O和Li 2 S,产生了氧化的硫种类,亚硫酸盐和硫酸盐。
将范德华(VDW)材料集成到光子设备中,为许多新的量子和光电应用奠定了基础。尽管在VDW晶体的光子构建块的纳米化过程中取得了巨大进展,但仍然存在局限性,特别是在大面积设备和掩蔽中。在这里,我们将重点放在六角硼(HBN)作为VDW材料上,并提出了一种双蚀刻方法,该方法克服了与使用金属膜和基于抗拒膜的方法相关的问题。通过设计和制造一组功能性光子组件(包括波导,环谐振器和光子晶体腔)来证明开发方案的效率。通过在几个关键频谱范围内的光学表征来证明制造结构的功能。这些包括近红外和蓝色范围,其中HBN硼空缺(V b-)旋转缺陷分别和相干B中心量子发射器发射。双蚀刻方法可实现高质量因子光腔的制造,并构成了VDW材料片上整合的有希望的途径。
光学特性 – 金属 • 金属由部分填充的高能导带组成。 • 当光子照射到金属上时,它们的能量用于激发电子进入未占据状态。因此,金属对可见光是不透明的。 • 但是,金属对高端频率(即 x 射线和 γ 射线)是透明的。 • 吸收发生在非常薄的外层。因此,厚度小于 0.1 μm 的金属膜可以透射光。 • 吸收的辐射以可见光的形式从金属表面发射,可见光的波长与反射光相同。金属的反射率约为 0.95,而其余的入射能量则以热量的形式消散 • 金属吸收的能量取决于每种特定金属的电子结构。例如:铜和金对绿色和蓝色等短波长颜色的吸收较大,对黄色、橙色和红色波长的反射较大。 非金属材料的光学特性 • 非金属材料由各种能带结构组成。因此,吸收、反射、透射和折射等四种光学现象对这些材料都很重要。折射 • 当光子穿过材料时,它们会引起电子极化,进而导致光速降低,光束改变方向。• 光穿过介质的相对速度由称为折射率 (n) 的光学特性表示,定义为
我们讨论了超导体-绝缘体-超导体 (SIS) 结的材料加工极限,这些结的能隙足够高,可以实现 THz 异差混频器检测。这项工作的重点是器件结构,该结构具有 Nb 作为基层、由薄 Al 邻近层的等离子体氮化形成的隧道势垒以及 NbTiN 作为对电极材料。这些 SIS 结通常表现出 3.5 mV 的总间隙电压,对于电阻 - 面积乘积 RNA = 20 pm',亚间隙与正常状态电阻比 Rsg / RN = 15。开发该工艺的目的是将结集成到混频器天线结构中,该结构将 NbTili 用作接地平面和线路层。针对 Al 层等离子体氮化期间应用的条件,解决了 RNA 产品的运行间可重复性和控制。通过控制直流浮动电位、N 2 压力和曝光时间来研究铝的射频等离子体氮化。处理在接近室温下进行,以减少变量数量。金属膜层中的应力保持在低压缩范围内。最近的接收器结果将在本次研讨会上发表的另一项工作中讨论。[1]
现职和职位:退休 现职年限:50 年 专利:在磁环境应用的铁磁合金薄层电化学制备领域拥有 6 项专利 专业协会成员: 正式会员 – 罗马尼亚物理学会 正式会员 – 罗马尼亚材料科学-晶体生长学会 正式会员 – 欧洲物理学会 (自 1997 年起) 正式会员 – IEEE 磁学学会 (自 2000 年起) 研究员 – 世界创新基金会 (自 2002 年起) 正式会员 – 国际电化学学会 (自 2005 年起) 熟练外语:英语、法语、俄语 专业领域:先进的纳米结构材料、纳米技术;薄层和表面物理学、表面/界面现象及应用;凝聚态物理学;磁学与磁性材料;分子物理学和热力学。该研究课题包括以下主要领域: - 研究获取和研究多层金属膜和纳米结构磁性材料的磁性能, - 研究获取和研究新型磁性材料(薄层形式)的磁性能、薄层中的有序-无序转变, - 应用研究(在磁传感器和数字磁记录领域应用的磁性材料)、磁传感器的应用, - 设计和建造用于教学和研究的实验室设施。