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World File Search System钝化
公制 - Octopart
要求：尺寸和配置：见图 1。材料：盖子 - C、F、G、R、W 和 X 级：冲击挤压或机加工铝合金。P、T 和 Z 级：冲击挤压或机加工铝合金。H、K、N、S 和 Y 级：耐腐蚀钢。J 和 M 级：符合 MIL-DTL-38999 的高性能树脂。（F 级不适用于新设计。）垫圈 - 硅橡胶。环 - 耐腐蚀钢，钝化，最大厚度为 1.020 毫米（0.04 英寸）。绳索 - 绝缘不锈钢，钝化。绝缘层应能承受 200°C 的环境。紧固件 - 不锈钢，钝化。选项：铝与盖子一体。配合连接器：MIL-DTL-38999，系列 III。垫圈应粘合到盖子上，或机械固定。绳索应在紧固件上自由旋转。紧固件抗拉强度：保护套和绳索组件应能承受轴向和纵向施加的 25 磅自重拉伸载荷。载荷应施加在绳索组件末端并保持 5 分钟。绳索组件不得与保护套分离或绳索组件损坏。轴向和纵向均为 25 磅。载荷应施加在绳索末端。
薄膜siox，sioxny和sic ...
摘要。目标。确保可植入设备的寿命对于它们的临床实用性至关重要。这通常是通过密封在不可渗透的外壳中密封敏感的电子产品来实现的，但是，这种方法限制了微型化。另外，有机硅封装已显示出对植入的厚膜电子设备的长期保护。然而，当前的许多保形包装研究都集中在更刚性的涂层上，例如丙烯烯，液晶聚合物和新型无机层。在这里，我们考虑使用薄膜技术保护植入物的潜力，其特征是厚膜的33倍。方法。在血浆增强化学蒸气下沉积的钝化（Sio X，Sio X N Y，Sio X N Y + SIC）下的铝合作的梳子结构封装在医疗级硅硅酮中，共有六种钝化/硅酮组合。在连续的±5 V双相波形下，在67天的磷酸盐生理盐水中将样品在磷酸盐生理盐水中陈化多达694天。周期性的电化学阻抗光谱测量值监测了金属痕迹的泄漏电流和降解。使用傅里叶转换红外光谱，X射线光电光谱，聚焦离子束和扫描电子显微镜来确定任何封装材料变化。主要结果。在衰老过程中未观察到硅酮分层，钝化溶解或金属腐蚀。对于这些样品，唯一观察到的故障模式是开路线键。明显的能力。阻抗大于100gΩ，在铝轨道之间保持了硅胶封装和SIC钝化的封装。相比之下，Sio X的进行性水合导致其阻力减小数量级。这些结果表明，当与适当的无机薄膜结合使用时，有机硅封装对薄膜进行轨道的良好保护。该结论对应于先前的有机硅
通过原子层沉积对有机卤化物钙钛矿的表面钝化：研究有效倒平面太阳能电池的机理
钙钛矿表面很少是化学计量的，通常是排便的。3个钙钛矿表面的缺陷可能会引起显着的非放射电荷重组，并使太阳能电池性能恶化。3 - 7尤其是在最新的太阳能电池中，与散装或晶界相比，钙钛矿和电荷传输层之间的界面的非放射性重组是主要的。4因此，界面缺陷的钝化对于实现高效率PSC是关键。为此，已经报道了许多钝化方法，例如，通过添加小分子，聚合物和无机化合物的层间或掺入宽频段间隙2D perovskites。8 - 11尽管对太阳能电池效率有所改善，但仍然关注这些方法的可观性。最近，宽频段氧化物的原子层沉积（ALD）（例如al 2 o 3）已成为一种有前途的钝化钙钛矿表面的有希望的策略。12 ALD是一种可伸缩的蒸气 - 相薄 - LM沉积技术，它依赖于序列的交替自限制表面反应，它以在具有原子厚度和 lm厚度控制的表面上产生高度均匀的连形薄lms而闻名。
xia，jianxing，Sohail，Muhammad和Nazeeruddin，Mohammad Khaja（2023），通过调整接口，有效且稳定的钙钛矿太阳能电池。 Advance
界面裁缝对于钙钛矿太阳能电池（PSC）的效率和稳定性至关重要。报告的界面工程主要集中在能级转弯和陷阱状态钝化上，以改善PSC的光伏性能。在这篇综述中，根据材料界面的电子转移机制的基础进行了分子修饰。对能量水平修改和陷阱钝化的深入分析，以及接口调整中采用的通用密度功能理论（DFT）方法。此外，还讨论了通过界面工程来解决环境保护和大规模迷你模型制造的策略。本评论可以指导研究人员了解界面工程，以设计有效，稳定和环保PSC的接口材料。
ADHD患者的灵活奖励学习受损与腹侧纹状体和顶叶皮质中的钝化敏感性和神经信号有关
基于奖励的学习和决策是了解注意力缺陷多动障碍（ADHD）的症状的主要候选人。但是，只有有限的证据可用于多动症中所见变化的神经计算基础。这涉及动态变化的环境中的灵活行为适应，这对于患有多动症的人来说是具有挑战性的。先前的一项研究表明，青少年多动症的选择转换升高，伴随着内侧前额叶皮层中的学习信号。在这里，我们使用概率逆转学习实验（fMRI）研究了与年龄和性别匹配的对照（n = 17）相比，我们研究了ADHD（n = 17）的年轻人（n = 17）。任务需要持续学习，以指导灵活的行为适应变化的奖励意外事件。为了解开行为数据的神经计算基础，我们使用了加固学习（RL）模型，该模型为fMRI数据的分析提供了信息。ADHD患者的表现比对照组较差，尤其是在逆转之前的试验中，即奖励调解稳定时。这种模式是由“嘈杂”选择切换产生的，无论先前的反馈如何。RL建模显示，ADHD患者的负反馈降低了增强敏感性和增强的学习率。在神经水平上，这反映在ADHD中左后顶叶皮层中选择概率的降低表示。由于样本量相对较小，这些神经计算发现仍然是初步的。建模显示了对未选择选项的学习的边缘降低，这与学习信号的边缘减少相似，该学习信号纳入了左侧腹侧纹状体中的未选择选项。在一起，我们表明，多动症中的灵活行为受损是由于选择过度切换（“超灵活性”），这取决于学习环境，这可能是有害的或有益的。在计算上，这是由于对加强的敏感性而引起的，我们检测到了注意力控制网络中的神经相关性，特别是在顶叶皮层中。
空间碎片、载有核动力源的空间物体的安全及其与空间碎片碰撞问题的研究
印度在尽可能最大程度上遵守联合国和机构间空间碎片协调委员会 (IADC) 的空间碎片减缓准则，同时努力更好地遵守准则。为遏制空间碎片的增长而采取的措施包括发射前避免碰撞以确定运载火箭的安全升空、对运行中的航天器进行空间物体接近度分析、在需要时执行避免碰撞机动、钝化火箭级、在任务结束后处置卫星和运载火箭上级。2023 年，GSAT-12 重新进入超同步轨道并在退役前钝化，完全符合联合国和 IADC 建议的地球静止轨道物体任务后处置准则。一项极具挑战性的实验成功完成，该实验旨在使 Meghatropiques-1 脱离轨道并确保其在太平洋无人区上空受控重返大气层。印度发射的所有轨道火箭级在任务结束后均钝化。 PSLV-C56 的上级被脱离轨道至 300 公里高度，以将其发射后的轨道寿命限制在不到一个月的范围内。采取了具体举措，以提高新进入太空领域的人的认识，并指导他们实施空间碎片减缓措施。
锈蚀剂对钢筋无源膜的影响
近年来，据报道，在国内外，有关将生锈抑制剂添加到混凝土中以保护钢筋的研究。其功能是改善钢筋表面上的钝化环境并保护被动膜的形态，从而抑制钢筋腐蚀[10,11]。许多因素会影响被动膜的损害，包括混凝土，合金组成，铁相组成和环境因子的钢筋表面状态，以及诸如混凝土，氯化物，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph，ph phs的含量，ph，ph phs，ph的，辣妹浓度为12-11212-12-12-12。被动膜的厚度，成分和稳定性受培养基中极化电位，极化时间和离子浓度的影响。被动膜的微观结构特征与钝化的电位和时间有关。钢筋的腐蚀归因于供电膜的组成和结构的变化[15,16]。因此，在生锈抑制剂的作用下，了解钢筋被动膜进化的机制至关重要，以改善混凝土中钢筋表面的钝化环境。
高纵横比硅沟槽的蚀刻。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时，高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响，这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题，从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上，但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而，侧壁上的膜不受离子轰击（除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域），因此不会被蚀刻，从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性，因为钝化膜也沉积在掩模表面上，从而降低了其有效蚀刻速率。据悉，蚀刻工艺内置有沉积组件，可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长，因此此处的沉积物较厚（> 25 nm），并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是，从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩，从而减小了这一临界尺寸，这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此，可实现的深度减小，电池电容也减小了。显然，通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽，底部的立体角增加，从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成，但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺，以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键，因为减薄工艺按要求，等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷（例如 SiH 4 ）和含 F 气体（例如 NF 3 ）的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层
通过氢等离子体辅助原子层沉积超薄氧化铝实现空间调制硅界面能量学
原子层沉积 (ALD) 已迅速成为半导体行业的重要工具，因为它可以在低温下提供高度保形、可精确调节的涂层，厚度控制在亚纳米级。因此，ALD 是一种将电介质集成到先进光电子器件中的强大方法，并且对于实现新兴的非平面电子设备至关重要。[1] 特别是，可以通过 ALD 在结构化表面上保形生长的非晶态氧化铝 (AlO x ) 广泛用于半导体技术的电介质和化学钝化、[2] 跨硅 (Si) 太阳能电池界面的载流子选择性电荷转移、[3] 非平面场效应晶体管中的栅极电介质、[4] 以及扩散屏障和保护涂层。[5] 当用作 Si 场效应钝化的表面涂层时，ALD AlO x 会引入
硅光伏超薄钝化层的电子特性
钝化接触迄今已取得一些成功，最有力的候选者是薄氧化硅层上的多晶硅（例如隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 或氧化物上的多晶硅 (POLO)）和非晶硅 (a-Si) 异质结。[3,7,8] TOPCon 是一种高效的电子选择接触，但具有较高的热预算，需要大约 900°C 的温度才能将接触电阻率降低到可接受的水平。[9] 一种可以匹配或超过当前电子选择材料性能的高效空穴选择层将引起相当大的兴趣。迄今为止，使用 SiO 2 为基础的空穴选择接触未能达到同等水平。[10,11] 最有前途的空穴选择接触材料是 p 型 a-Si 和富硅 SiC，但传统的高温 Ag 丝网印刷方法不一定与此类接触兼容。[10]