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World File Search System钝化
PB – SN – BA网格合金的机械性能 - 铅...
具有所需特性的合金可以通过控制组合物或加工[9，10]来定制微结构来开发。因此，研究人员搜索可以改善纯铅的概念的合金元素[11-13]。在此类元素中是钡和锡，增加了铅的增加，增加了拉伸强度和蠕变耐药性[14-20]。此外，钡引入铅锡合金还会增加硬度，减少电化学活性，从而增加腐蚀稳定性[21]。钡还可以使这些特性保持稳定，因为防止了过度衰老。高含量的锡的存在也抑制了铅基合金的过度分支过程[22]。另外，通过防止钝化并允许电池从深处排放的条件中弥补电池的钝化和充电，锡罐有助于网格的电化学性质。
BTA04/BTB04 系列/T4 系列 4A TRIAC
6月12日2024年 — 杰杰微电子有限公司BTA04/BTB04系列/T4系列4A三端双向可控硅。描述：采用双台面技术，电流密度高；玻璃钝化...
迈向TOPCon的工业化制造
简介在过去的五年中，光伏行业见证了转换效率不断提高的发展势头。长期以来，该行业的主力一直是铝背面场 (BSF) 太阳能电池，但现在它正被钝化发射极和背面电池 (PERC) 所取代，PERC 可使生产中的转换效率超过 21%，在临近生产环境中的转换效率高达 23.6% [1]。对这些太阳能电池的详细损耗分析表明，金属/半导体触点处的少数电荷载流子复合是主要的损耗机制 [2]。通常采用两种策略来减轻复合损耗：(1) 通过扩散或合金化（例如选择性发射极或铝背面场）在金属触点下方形成重掺杂的 c-Si 区域，以减少界面处的少数电荷载流子；(2) 减少金属化面积分数。后一种策略的一个主要例子是 PERC 结构，其特点是具有局部 Al 接触的介电背面钝化，从而不仅增加了开路电压 (V oc )，而且还增加了短路电流密度 (J sc )（因为改善了红外光的背面反射）。然而，必须通过调整背面接触线（或点）的间距和基极电阻率来仔细平衡 V oc 增益和填充因子 (FF ) 损失。因此，克服这一限制的更好策略是钝化接触，它可以抑制少数电荷载流子复合并实现有效的多数电荷载流子传输。最著名的例子是 a-Si:H/c-Si 异质结（通常称为 HIT、HJT、SHJ）太阳能电池，
NanoPower P80 和 BP8
电池系统功能 • 可通过 2 个板载连接器并联电池组 • 8S1P 配置 • 电池平衡和电池寿命监控 • 过压和欠压保护 • 过流保护 • 电池循环计数器 • 充电状态 (SOC) 估计 • 包括自动/手动加热器系统 • 两级电池组钝化系统
对高温超导薄膜的表面和保护性绝缘膜的研究
高表面特性。tc ba-y-cu-o和通过薄绝缘子过层钝化。Takashi Hirao，Kentaro Setsune和Kiyotaka W asa。中央重新建筑实验室，Matsushita Electric Industrial Co.，Ltd.，3-15，Yagumonakamachi，Moriguchi，Osaka，Osaka 570
膜蛋白质 - 含量的定量，时间分辨测量
图。5：用酪蛋白钝化的悬臂背面的AFM图像在0.5pm T5溶液的溶液中孵育1.5h（箭头标记T5噬菌体或可能的酪蛋白聚集体）请注意，这里的条件与手稿中呈现的原位实验不同。
心力衰竭和心肌病
背景：决策和学习过程中神经血流动力学的改变与炎症对情绪和动机行为的影响有关。到目前为止，据报道，钝化的中脱透明胺的奖励信号与炎症引起的anhedonia和冷漠有关。尽管如此，尚不清楚炎症是否会影响决策动态的神经活动。决策过程涉及从环境中整合嘈杂的证据，直到达成关键的证据门槛为止。越来越多的经验证据表明，这种过程通常被称为决策证据的积累，在精神疾病的背景下受到影响。方法：在一项随机，安慰剂对照的跨界研究中，将19名健康的男性参与者分配给安慰剂和伤寒疫苗。注射后三到四个小时，参与者在功能磁共振成像过程中执行了概率逆转学习任务。为了捕获基于决策的隐藏神经认知操作，我们设计了一个混合顺序采样和增强学习计算模型。，我们进行了通过建模结果告知的整个大脑分析，以研究炎症对决策动态和奖励学习效率的影响。结果：我们发现在任务的决策阶段，伤寒疫苗接种减弱了反向前额叶前额叶皮层中有界证据积累的神经特征，仅用于需要短整合时间的决策。与先前的工作一致，我们表明，在结果阶段，轻度急性炎症使双侧腹侧纹状体和杏仁核的奖励预测误差钝化。结论：我们的研究扩展了当前对炎症对决策神经机制的影响的见解，并表明外源性炎症会改变证据整合的神经活动索引效率，这是选择可区分的函数。此外，我们复制了先前的发现，即发炎钝化纹状体奖励预测误差信号。
T 型栅极增强型 AlGaN/GaN MIS-HEMT 中寄生电容的不稳定性
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）或金属绝缘体半导体HEMT（MIS-HEMT），凭借优越的极化诱导高迁移率二维电子气（2DEG），因其高开关速度、低寄生参数和低导通电阻而受到广泛关注，并在高频射频和功率开关应用方面都取得了公认的成功[1-4]。通常在厚钝化电介质（如SiNx）上设置栅极和/或源极场板，以减轻栅极漏极区域的高电场并获得更高的击穿电压[5-7]。它们也有助于抑制表面态引入的电流崩塌[5，8]。然而，场板结构将引入额外的寄生电容，导致更高的VDS×IDS功率损耗和更长的开关持续时间。此外，钝化层还会引入钝化电介质/(Al)GaN界面态，甚至电介质本身的体态，它们的捕获/去捕获过程会引起寄生电容的动态漂移，导致实际应用中开关转换紊乱，dV/dt控制失效[9-11]。